公开(公告)号：CN111095649B

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN201880060291.X

申请日：2018-09-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李宁 ,  J·P·德苏扎 ,  李允锡 ,  D·萨达纳

IPC: H01M10/04

Abstract: 提供了一种全固态锂基薄膜电池。全固态锂基薄膜电池包括电池材料堆，该电池材料堆从下至上包括阳极侧电极、阳极区域、氧化铝界面层、固态电解质层、阴极层、以及阴极侧电极层。通过首先形成电池堆的阳极侧，然后形成阴极侧，来形成全固态锂基薄膜电池堆。包括位于阳极区域和固态电解质层之间的氧化铝界面层的全固态锂基薄膜电池均具有改善的性能、高容量和高可靠性。

公开(公告)号：CN111629782B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN201980009683.8

申请日：2019-01-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H.德利吉亚尼 ,  李克涛 ,  李宁 ,  D.萨达纳

IPC: A61N5/06

Abstract: 探针包括被配置成穿透生物组织的探针本体。高效光源定位在探针本体内。每个高效光源具有足够强的光输出以触发邻近组织中的光敏反应，并且具有足够低的功率输出，使得多个光源的组合热输出不会引起所述邻近组织中的破坏性温度升高。

公开(公告)号：CN114747034A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080083943.9

申请日：2020-11-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李宁 ,  J·德扎索 ,  S·博德尔 ,  D·萨达纳

IPC: H01L45/00

Abstract: 底部电极(110)沉积在衬底(105)的顶部上。介电材料层(115)沉积在底部电极(110)的顶部上。在介电材料层(115)中产生孔。在介电材料层(115)上旋涂并烘烤剥离层(116)。在剥离层(116)上旋涂并烘烤光致抗蚀剂层(117)。执行UV光刻以在介电材料层(115)中的孔上方产生开口。Ag层(120)沉积在剩余的图案化的介电材料层和光致抗蚀剂层(117)的顶部上。在Ag层(120)的顶部上沉积碲锗锑(GST)层(130)。顶部电极(140)沉积在GST层的顶部上(130)。去除Ag层(120)、GST层(130)和位于光致抗蚀剂层(117)顶部上的顶部电极(140)以及光致抗蚀剂层(117)和剥离层(116)。

公开(公告)号：CN114284429A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111118624.X

申请日：2021-09-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李宁 ,  J·P·德索扎 ,  K·W·布里 ,  D·K·萨达纳

IPC: H01L45/00

Abstract: 本公开涉及包括降低阻力漂移的衬垫的相变存储器(PCM)。一种相变存储器(PCM)器件，包括：电介质层；底部电极，所述底部电极设置在所述电介质层中；衬垫材料，所述衬垫材料设置在所述底部电极上；相变材料，所述相变材料设置在所述衬垫材料上；以及顶部电极，所述顶部电极设置在所述相变材料上和所述电介质层中。

公开(公告)号：CN111328429A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201880073064.0

申请日：2018-11-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 曹庆 ,  唐建石 ,  李宁

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种垂直集成多谱成像传感器包含：位于衬底上的第一金属接触层；在第一金属接触层上的SiO2层，其中第一检测器元件嵌入其中的孔中，第一石墨烯层，覆盖第一检测器元件；在所述第一石墨烯的一侧上的SiO2层上的第二金属接触层，SiO2层上的AlO3层，其中，第二检测器元件被嵌入在所述第一石墨烯层上的孔中，在所述第二检测器元件上的第二石墨烯层，以及在AlO3层上与第二石墨烯层相邻的第三金属接触层。第一检测器材料与第二检测器材料对电磁光谱的不同的波长带敏感。

公开(公告)号：CN111295132A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201880071187.0

申请日：2018-11-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H·德利吉安尼 ,  李宁 ,  李克涛 ,  D·萨达纳 ,  R·虞

IPC: A61B5/00

Abstract: 描述了用于使用探针和探针控制器来实现光遗传学治疗的技术方案。探针控制器控制探针以执行如下方法，该方法包括由探针的光源来发射光波以与组织中的一个或多个细胞中的对应化学物质相互作用。该探针能够嵌入该组织中。该方法还包括通过探针的传感器采集与对应化学物质相互作用的光波的光谱。该方法还包括由探针将光谱发送给分析系统。该方法还包括由探针从分析系统接收用于光源的经调整的参数，并且由探针的控制器根据所接收的经调整的参数来调整光源的设置以发射不同的光波来与对应的化学物质相互作用。

公开(公告)号：CN105990375A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610137306.0

申请日：2016-03-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·里欧班端 ,  李宁 ,  D·K·萨达纳

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/14 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/144 ,  G02B6/00 ,  G02B6/12004 ,  G02B2006/12078 ,  G02B2006/12121 ,  G02B2006/12123 ,  H01L21/84 ,  H01L25/167 ,  H01L25/50 ,  H01L27/092 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1852 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/32316 ,  H01L27/12 ,  H01L27/02 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/14

Abstract: 一种用于将光电子器件和硅器件形成在单个芯片上的方法。该方法可以包括：在单个芯片的第一区域和第二区域中形成硅衬底；将锗层形成在至少第一区域中的衬底之上；将光电子器件形成在第一区域中的锗层上，光电子器件具有顶部熔覆层、底部熔覆层以及有源区域，底部熔覆层处在半导体层上，有源区域邻近波导并且处在底部熔覆层上，顶部熔覆层处在有源区域上；以及将硅器件形成在第二区域中的硅层上。

公开(公告)号：CN103682175B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201310435444.3

申请日：2013-09-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李宁 ,  D·K·萨达那

IPC: H01L51/56 ,  H01L27/32 ,  G09G3/3241

Abstract: 本发明涉及形成包括具有半导体驱动电路的OLED显示器的结构的方法和半导体结构。采用剥落来产生单晶半导体层。在剥落之前在单晶半导体衬底上形成互补金属氧化物半导体（CMOS）逻辑和存储器件。可以在剥落之前或之后形成有机发光二极管（OLED）驱动电路、太阳能电池单体、传感器、电池等。剥落的单晶半导体层可以被转移到衬底。OLED显示器可以形成在剥落的单晶半导体层中，以实现这样的结构：该结构包括集成在所述单晶半导体层上的具有半导体驱动电路的OLED显示器和其它功能器件。

公开(公告)号：CN103426969A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310193832.5

申请日：2013-05-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比德尔 ,  K·E·福格尔 ,  A·J·宏 ,  李宁 ,  D·K·萨达那 ,  K·L·森格尔 ,  D·沙赫莉亚迪 ,  徐崑庭

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L21/304 ,  H01L31/02363 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及通过剥脱产生和转印表面形态的方法。在本公开中无需采用蚀刻工艺便可实现表面图形的产生或表面图形的复制。相反地，本公开中使用被称为剥脱的独特断裂模式来产生或复制表面图形。在表面图形产生的情况下，在应力源层中提供表面图形，然后执行剥脱。在表面图形复制的情况下，在基础衬底的表面内或表面上形成表面图形，然后施加应力源层。在施加应力源层之后，执行剥脱。利用剥脱产生或复制表面图形提供了低成本的用于表面图形产生或复制的方式。

公开(公告)号：CN111279467B

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN201880070106.5

申请日：2018-11-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李宁 ,  李允锡 ,  J·德索萨 ,  D·萨达纳

IPC: H01L21/822

Abstract: 提供了一种半导体结构，其包含控制栅极偏压并具有增加的输出电压保持率和电压分辨率的非易失性电池。该半导体结构可以包括半导体衬底，该半导体衬底包括位于源极/漏极区域之间的至少一个沟道区域。栅极电介质材料位于半导体衬底的沟道区域上。电池堆叠位于栅极电介质材料上。该电池堆叠包括：位于栅极电介质材料上的阴极集电器，位于阴极集电器上的阴极材料，位于阴极材料上的第一离子扩散阻挡材料，位于第一离子扩散阻挡材料上的电解质，位于电解质上的第二离子扩散阻挡材料，位于第二离子扩散阻挡材料上的阳极区域和位于阳极区域上的阳极集电器。