公开(公告)号：CN101438400A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200780011899.5

申请日：2007-04-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 蔡劲 ,  陆荣坚

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/84 ,  G11C8/16 ,  G11C11/405 ,  H01L21/28 ,  H01L27/12 ,  H01L29/49

CPC classification number: G11C11/4097 ,  G11C7/18 ,  G11C8/16 ,  G11C11/405 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/495

Abstract: 动态随机存取存储器单元包括电容存储器件和写存取晶体管。写存取晶体管可操作地耦合到电容存储器件并具有栅极堆，所述栅极堆包括高K绝缘体(424)和耦合到所述高K绝缘体的金属栅极电极(422)，其中高K绝缘体具有大于二氧化硅的介电常数的介电常数。