公开(公告)号：CN103563066B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201280026281.7

申请日：2012-04-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 蔡劲 ,  R·H·登纳德 ,  W·E·哈恩斯科 ,  T·H·宁

IPC: H01L21/70

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/84 ,  H01L27/082

Abstract: 示例实施例是一种互补晶体管反相器电路。所述电路包括：绝缘体上半导体（SOI）衬底、被制造在所述SOI衬底上的横向PNP双极型晶体管和被制造在所述SOI衬底上的横向NPN双极型晶体管。横向PNP双极型晶体管包括PNP基极、PNP发射极和PNP集电极。横向NPN双极型晶体管包括NPN基极、NPN发射极和NPN集电极。PNP基极、PNP发射极、PNP集电极、NPN基极、NPN发射极和NPN集电极毗邻SOI衬底的掩埋绝缘体。

公开(公告)号：CN103563066A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280026281.7

申请日：2012-04-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 蔡劲 ,  R·H·登纳德 ,  W·E·哈恩斯科 ,  T·H·宁

IPC: H01L21/70

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/84 ,  H01L27/082

Abstract: 示例实施例是一种互补晶体管反相器电路。所述电路包括：绝缘体上半导体（SOI）衬底、被制造在所述SOI衬底上的横向PNP双极型晶体管和被制造在所述SOI衬底上的横向NPN双极型晶体管。横向PNP双极型晶体管包括PNP基极、PNP发射极和PNP集电极。横向NPN双极型晶体管包括NPN基极、NPN发射极和NPN集电极。PNP基极、PNP发射极、PNP集电极、NPN基极、NPN发射极和NPN集电极毗邻SOI衬底的掩埋绝缘体。