光致抗蚀剂组合物及多层抗蚀剂体系的多次曝光方法

    公开(公告)号:CN101884013B

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN200880119057.6

    申请日:2008-12-05

    CPC classification number: G03F7/0045 G03F7/0397 G03F7/40

    Abstract: 一种方法及抗蚀剂组合物。抗蚀剂组合物包含:具有含有内酯结构部分的第一重复单元的聚合物、能产生碱的热碱产生剂、以及光敏酸产生剂。聚合物具有的特性为:实质可溶于第一溶剂,并且该聚合物在加热后变成实质不可溶。该方法包括:形成光致抗蚀剂薄膜,该光致抗蚀剂包含聚合物、能释出碱的热碱产生剂、光敏酸产生剂、以及溶剂。图案式成像薄膜。成像包括将薄膜曝光于辐射,导致产生酸催化剂。在水性碱中显像薄膜,导致移除可碱溶区域,并且形成图案化层。烘烤图案化层高于该温度,导致热碱产生剂在图案化层内释出碱,且导致图案化层变成不可溶于溶剂。

    用于负型抗蚀剂的可显影底部抗反射涂料组合物

    公开(公告)号:CN103733134A

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201280038940.9

    申请日:2012-08-10

    CPC classification number: G03F7/0382 C09J133/14 G03F7/091 G03F7/094 G03F7/095

    Abstract: 一种负型可显影底部抗反射涂料(NDBARC)材料包括聚合物,该聚合物含有脂肪族醇部分、芳香族部分以及羧酸部分。NDBARC组合物在涂布及烘烤之后不溶于一般的光刻胶溶剂,如丙二醇甲基醚乙酸酯(PGMEA)。NDBARC材料也包括光酸产生剂以及选择性的交联化合物。在NDBARC材料中,羧酸提供显影剂溶解性,而醇单独、羧酸单独或其组合提供PGMEA抗性。NDBARC材料对光刻胶溶剂具有抗性,因此,在涂布光刻胶于NDBARC上方的过程中,NDBARC与光刻胶之间不会发生互混。在曝光及烘烤之后,由于负型光刻胶中的聚合物与光刻曝光部分中的NDBARC层之化学增强交联,该负型光刻胶与该NDBARC层之光刻曝光部分皆变成不溶于显影剂。

    光致抗蚀剂组合物及多层抗蚀剂体系的多次曝光方法

    公开(公告)号:CN102591161B

    公开(公告)日:2014-06-11

    申请号:CN201210043396.9

    申请日:2008-12-05

    CPC classification number: G03F7/0045 G03F7/0397 G03F7/40

    Abstract: 本发明涉及一种方法及抗蚀剂组合物。抗蚀剂组合物包含:具有含有内酯结构部分的第一重复单元的聚合物、能产生碱的热碱产生剂、以及光敏酸产生剂。聚合物具有的特性为:实质可溶于第一溶剂,并且该聚合物在加热后变成实质不可溶。该方法包括:形成光致抗蚀剂薄膜,该光致抗蚀剂包含聚合物、能释出碱的热碱产生剂、光敏酸产生剂、以及溶剂。图案式成像薄膜。成像包括将薄膜曝光于辐射,导致产生酸催化剂。在水性碱中显像薄膜,导致移除可碱溶区域,并且形成图案化层。烘烤图案化层高于该温度,导致热碱产生剂在图案化层内释出碱,且导致图案化层变成不可溶于溶剂。

    用于负显影的光致抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法

    公开(公告)号:CN103201680A

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:CN201180053569.9

    申请日:2011-10-21

    CPC classification number: G03F7/325 G03F7/0397

    Abstract: 本发明涉及能够负显影的光致抗蚀剂组合物和利用所述光致抗蚀剂组合物的图案形成方法。所述光致抗蚀剂组合物包括成像聚合物和辐射敏感型产酸剂。所述成像聚合物包括具有酸不稳定侧链部分的第一单体单元和含有反应性醚部分、异氰化物部分或异氰酸酯部分的第二单体单元。所述图案形成方法利用有机溶剂显影剂来选择性除去光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层中未曝光区域,在光致抗蚀剂层中形成图案化的结构。所述光致抗蚀剂组合物和图案形成方法尤其可用于利用193nm(ArF)光刻法在半导体衬底上形成材料图案。

    用于负型抗蚀剂的可显影底部抗反射涂料组合物

    公开(公告)号:CN103733134B

    公开(公告)日:2018-04-03

    申请号:CN201280038940.9

    申请日:2012-08-10

    CPC classification number: G03F7/0382 C09J133/14 G03F7/091 G03F7/094 G03F7/095

    Abstract: 一种负型可显影底部抗反射涂料(NDBARC)材料包括聚合物,该聚合物含有脂肪族醇部分、芳香族部分以及羧酸部分。NDBARC组合物在涂布及烘烤之后不溶于一般的光刻胶溶剂,如丙二醇甲基醚乙酸酯(PGMEA)。NDBARC材料也包括光酸产生剂以及选择性的交联化合物。在NDBARC材料中,羧酸提供显影剂溶解性,而醇单独、羧酸单独或其组合提供PGMEA抗性。NDBARC材料对光刻胶溶剂具有抗性,因此,在涂布光刻胶于NDBARC上方的过程中,NDBARC与光刻胶之间不会发生互混。在曝光及烘烤之后,由于负型光刻胶中的聚合物与光刻曝光部分中的NDBARC层之化学增强交联,该负型光刻胶与该NDBARC层之光刻曝光部分皆变成不溶于显影剂。

    用于负显影的光致抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法

    公开(公告)号:CN103201680B

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201180053569.9

    申请日:2011-10-21

    CPC classification number: G03F7/325 G03F7/0397

    Abstract: 本发明涉及能够负显影的光致抗蚀剂组合物和利用所述光致抗蚀剂组合物的图案形成方法。所述光致抗蚀剂组合物包括成像聚合物和辐射敏感型产酸剂。所述成像聚合物包括具有酸不稳定侧链部分的第一单体单元和含有反应性醚部分、异氰化物部分或异氰酸酯部分的第二单体单元。所述图案形成方法利用有机溶剂显影剂来选择性除去光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层中未曝光区域,在光致抗蚀剂层中形成图案化的结构。所述光致抗蚀剂组合物和图案形成方法尤其可用于利用193nm(ArF)光刻法在半导体衬底上形成材料图案。

    用于DUV、MUV和光学平版印刷的基于全受体取代的芳族阴离子的离子、有机光致产酸剂

    公开(公告)号:CN101910944B

    公开(公告)日:2013-08-07

    申请号:CN200880124366.2

    申请日:2008-12-17

    CPC classification number: G03F7/0045 G03F7/0392

    Abstract: 光致产酸剂P+A-包括天线(antenna)基团P+和A-,所述天线基团P+包括当与光相互作用时产生质子的阳离子,和所述A-包括不含氟或半金属元素,例如硼的弱配位的全受体-取代的芳族阴离子。在一个实施方案中,这种阴离子包括下述化合物4、5、6和7,其中E包括吸电子基团,且除去一个质子产生芳香性。P+包括与光子相互作用时分解成质子和其他组分的鎓阳离子。P+可包括有机硫属元素鎓阳离子或卤素鎓阳离子,其中在另一个实施方案中,硫属元素鎓阳离子可包括氧鎓、锍、硒鎓、碲鎓或鎓阳离子,和在另一个实施方案中,卤素鎓阳离子可包括碘鎓、氯或溴鎓阳离子。新颖化合物包括TPS CN5。照相平版印刷配方包括与照相平版印刷组合物例如照相平版印刷聚合物结合的该光致产酸剂。当在基底上时,该配方曝光于光学平版印刷辐射或ArF(193nm)或KrF(248nm)辐射下并显影。产物包括通过本发明的方法制备的制造制品。

    光致抗蚀剂组合物及多层抗蚀剂体系的多次曝光方法

    公开(公告)号:CN101884013A

    公开(公告)日:2010-11-10

    申请号:CN200880119057.6

    申请日:2008-12-05

    CPC classification number: G03F7/0045 G03F7/0397 G03F7/40

    Abstract: 一种方法及抗蚀剂组合物。抗蚀剂组合物包含:具有含有内酯结构部分的第一重复单元的聚合物、能产生碱的热碱产生剂、以及光敏酸产生剂。聚合物具有的特性为:实质可溶于第一溶剂,并且该聚合物在加热后变成实质不可溶。该方法包括:形成光致抗蚀剂薄膜,该光致抗蚀剂包含聚合物、能释出碱的热碱产生剂、光敏酸产生剂、以及溶剂。图案式成像薄膜。成像包括将薄膜曝光于辐射,导致产生酸催化剂。在水性碱中显像薄膜,导致移除可碱溶区域,并且形成图案化层。烘烤图案化层高于该温度,导致热碱产生剂在图案化层内释出碱,且导致图案化层变成不可溶于溶剂。

    杂化光致抗蚀剂组合物和使用它的图案形成方法

    公开(公告)号:CN103930828B

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201280055029.9

    申请日:2012-11-02

    Abstract: 本发明涉及改进分辨率的杂化光致抗蚀剂组合物和使用该光致抗蚀剂组合物的图案形成方法。所述光致抗蚀剂组合物包括辐射敏感性酸产生剂、交联剂和具有疏水性单体单元和含羟基的亲水性单体单元的聚合物。所述羟基中的至少一些用具有低活化能的酸不稳定性结构部分保护。所述光致抗蚀剂能够对单一曝光产生杂化响应。所述图案形成方法利用所述杂化响应以在所述光致抗蚀剂层中形成图案化的结构。本发明的光致抗蚀剂组合物和图案形成方法可用于印刷具有精确图像控制的小特征,尤其是小尺寸的空间。

Patent Agency Ranking