弹性波器件
    4.
    发明公开
    弹性波器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN114375544A

    公开(公告)日:2022-04-19

    申请号:CN202080056332.5

    申请日:2020-08-04

    Abstract: 本发明提供一种弹性波器件,其能够在6GHz以上的超高频带中得到良好特性,并且能够确保充分的机械强度。具有压电基板(11)、以与压电基板(11)接触的方式设置的电极(12)、以及以与压电基板(11)和/或电极(12)接触的方式设置的声多层膜(13),且构成为利用体波的谐振特性中的高次模。声多层膜(13)交替地层叠有低声阻抗膜(13a)和高声阻抗膜(13b)。

    高阶模式弹性表面波器件
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113678372A

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202080026259.7

    申请日:2020-03-31

    Abstract: 一种高阶模式弹性表面波器件,具有压电基板(11)和叉指电极(12),且利用了高阶模式的弹性表面波,其中,该压电基板(11)由LiTaO3晶体或LiNbO3晶体构成,该叉指电极(12)被嵌入压电基板(11)的表面,但也可形成为从压电基板(11)的表面突出。此外,可具有在压电基板(11)层叠的薄膜(13)或基板,也可具有支持基板(14)和/或多层膜(15),其被设置为与压电基板(11)的设置有叉指电极(12)的表面相反侧的面接触。高阶模式弹性表面波器件即使在3.8GHz以上的高频带也可得到良好的特性,并可保持充分的机械强度。

    弹性波器件
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110114974A

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201780080515.9

    申请日:2017-11-15

    Abstract: 提供一种TCF良好,能够提高谐振器的Q、阻抗比的弹性波器件。该弹性波器件包括:含有70质量%以上的二氧化硅(SiO2)的基板11、由设置于基板11之上的LiTaO3晶体或LiNbO3晶体形成的压电薄膜12以及被设置为与压电薄膜12相接的叉指状电极13。

    MEMS器件的制造方法及MEMS器件

    公开(公告)号:CN112292345A

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN201980037632.6

    申请日:2019-05-22

    Abstract: 本发明提供一种可提高活动空间内部的真空度,可降低制造成本以及制造装置的引入及维护成本的MEMS器件的制造方法及MEMS器件。所述MEMS器件具有MEMS器件晶圆11及CAP晶圆12,所述MEMS器件晶圆在Si基板11a上形成有活动元件21,所述CAP晶圆12以形成活动空间13且覆盖所述MEMS器件晶圆11的方式而设置,所述活动元件21以可动的方式收纳于所述活动空间13中。CAP晶圆12为硅制,并具有以与活动空间13连通的方式形成的通气孔23。以将CAP晶圆12与MEMS器件晶圆11接合的状态,在氢气氛围中进行热处理,通过CAP晶圆12的硅的表面迁移来堵塞通气孔23,由此将活动空间13密封。

    弹性波器件
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117792334A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311803350.7

    申请日:2017-11-15

    Abstract: [课题]提供一种TCF良好,能够提高谐振器的Q、阻抗比的弾性波器件。[解决手段]该弾性波器件包括:含有70质量%以上的二氧化硅(SiO2)的基板11、由设置于基板11之上的LiTaO3晶体或LiNbO3晶体形成的压电薄膜12以及被设置为与压电薄膜12相接的叉指状电极13。

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