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公开(公告)号:CN102725618A
公开(公告)日:2012-10-10
申请号:CN201080054137.5
申请日:2010-10-13
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 丰田自动车株式会社
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C2201/019 , B81C2203/032 , B81C2203/0792 , G01L1/146 , G01L1/148 , G01L5/228 , H01L23/10 , H01L24/04 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/82 , H01L24/94 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 提供将具有接触感知面的传感器构造部(300)和处理该传感器构造部的传感器信号的信号处理LSI部(420)封装化的技术。传感器构造部(300)具有接触感知面和传感器电极(320、330)。在半导体基板(400)中制作有信号处理用集成电路(420)。通过粘结层(500)将传感器构造部(300)和半导体基板(400)接合,由此将传感器装置(200)单片化。传感器电极(320、330)和集成电路(420)在传感器装置(200)的内侧被封闭,并且传感器电极(320、330)和集成电路(420)的外部端子经由半导体基板(400)的侧面被引出到半导体基板(400)的背面。
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公开(公告)号:CN102713546A
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN200980162937.6
申请日:2009-10-14
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 丰田自动车株式会社
CPC classification number: G01L5/228 , G01L1/142 , G01L1/144 , G01L1/146 , G06F3/0414
Abstract: 片状触觉传感器系统包括片层部(200)和可检测垂直应力的多个垂直应力检测传感器单元(300)。片层部(200)具有:外部片层部(210)、内置有垂直应力检测单元(300)的力检测片层部(230)、以及被夹在外部片层部(210)与力检测片层部(230)之间的介质层(220)。外部片层部(210)与力检测片层部(230)具有彼此在相对方向上突起的多个突起部(212、232),并且外部片层部(210)与力检测片层部(230)以使彼此的突起部(212、232)隔着介质层(220)啮合的方式被相对配置。每个垂直应力检测传感器单元(300)具有紧接在设置于力检测片部(230)上的突起部(232)的中央部的下方配置的中央部检测传感器装置(310)、以及紧接在设置于力检测片部(230)上的突起部(232)的边缘部的下方配置的至少两个边缘部检测传感器装置(321~324)。
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公开(公告)号:CN102713546B
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN200980162937.6
申请日:2009-10-14
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 丰田自动车株式会社
CPC classification number: G01L5/228 , G01L1/142 , G01L1/144 , G01L1/146 , G06F3/0414
Abstract: 片状触觉传感器系统包括片层部(200)和可检测垂直应力的多个垂直应力检测传感器单元(300)。片层部(200)具有:外部片层部(210)、内置有垂直应力检测传感器单元(300)的力检测片层部(230)、以及被夹在外部片层部(210)与力检测片层部(230)之间的介质层(220)。外部片层部(210)与力检测片层部(230)具有彼此在相对方向上突起的多个突起部(212、232),并且外部片层部(210)与力检测片层部(230)以使彼此的突起部(212、232)隔着介质层(220)啮合的方式被相对配置。每个垂直应力检测传感器单元(300)具有紧接在设置于力检测片层部(230)上的突起部(232)的中央部的下方配置的中央部检测传感器装置(310)、以及紧接在设置于力检测片层部(230)上的突起部(232)的边缘部的下方配置的至少两个边缘部检测传感器装置(321~324)。
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公开(公告)号:CN114375544A
公开(公告)日:2022-04-19
申请号:CN202080056332.5
申请日:2020-08-04
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H03H9/17
Abstract: 本发明提供一种弹性波器件,其能够在6GHz以上的超高频带中得到良好特性,并且能够确保充分的机械强度。具有压电基板(11)、以与压电基板(11)接触的方式设置的电极(12)、以及以与压电基板(11)和/或电极(12)接触的方式设置的声多层膜(13),且构成为利用体波的谐振特性中的高次模。声多层膜(13)交替地层叠有低声阻抗膜(13a)和高声阻抗膜(13b)。
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公开(公告)号:CN102668271B
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201080048508.9
申请日:2010-09-01
Applicant: 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01L24/16 , B81B2203/04 , B81C3/001 , B81C2203/031 , H01L24/81 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16503 , H01L2224/81192 , H01L2224/8181 , H01L2224/81893 , H01L2224/97 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01R43/0214 , H01L2224/81 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供布线连接方法和功能器件。在第一基板(10)的连接电极部(12)、第二基板(15)的连接电极部(17)中的至少一个连接电极部上预先形成金属层(14),以第一基板(10)的连接电极部(12)与第二基板(15)的连接电极部(17)隔着金属层(14)相对的方式使第一基板(10)与第二基板(15)重叠之后,通过一边第一基板(10)与第二基板(15)升温至阳极接合温度并维持该温度一边对第一基板(10)与第二基板(15)之间施加直流电压,对第一基板(10)与第二基板(15)进行阳极接合,与此同时,使金属层(14)熔融而对第一基板(10)的连接电极部(12)与第二基板(15)的连接电极部(17)进行电连接。由此,能够以良好成品率对多个基板进行阳极接合的同时进行布线连接,对封装等有效。
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公开(公告)号:CN113678372A
公开(公告)日:2021-11-19
申请号:CN202080026259.7
申请日:2020-03-31
Applicant: 国立大学法人东北大学
Abstract: 一种高阶模式弹性表面波器件,具有压电基板(11)和叉指电极(12),且利用了高阶模式的弹性表面波,其中,该压电基板(11)由LiTaO3晶体或LiNbO3晶体构成,该叉指电极(12)被嵌入压电基板(11)的表面,但也可形成为从压电基板(11)的表面突出。此外,可具有在压电基板(11)层叠的薄膜(13)或基板,也可具有支持基板(14)和/或多层膜(15),其被设置为与压电基板(11)的设置有叉指电极(12)的表面相反侧的面接触。高阶模式弹性表面波器件即使在3.8GHz以上的高频带也可得到良好的特性,并可保持充分的机械强度。
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公开(公告)号:CN110114974A
公开(公告)日:2019-08-09
申请号:CN201780080515.9
申请日:2017-11-15
Applicant: 国立大学法人东北大学
Abstract: 提供一种TCF良好,能够提高谐振器的Q、阻抗比的弹性波器件。该弹性波器件包括:含有70质量%以上的二氧化硅(SiO2)的基板11、由设置于基板11之上的LiTaO3晶体或LiNbO3晶体形成的压电薄膜12以及被设置为与压电薄膜12相接的叉指状电极13。
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公开(公告)号:CN112292345A
公开(公告)日:2021-01-29
申请号:CN201980037632.6
申请日:2019-05-22
Applicant: 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供一种可提高活动空间内部的真空度,可降低制造成本以及制造装置的引入及维护成本的MEMS器件的制造方法及MEMS器件。所述MEMS器件具有MEMS器件晶圆11及CAP晶圆12,所述MEMS器件晶圆在Si基板11a上形成有活动元件21,所述CAP晶圆12以形成活动空间13且覆盖所述MEMS器件晶圆11的方式而设置,所述活动元件21以可动的方式收纳于所述活动空间13中。CAP晶圆12为硅制,并具有以与活动空间13连通的方式形成的通气孔23。以将CAP晶圆12与MEMS器件晶圆11接合的状态,在氢气氛围中进行热处理,通过CAP晶圆12的硅的表面迁移来堵塞通气孔23,由此将活动空间13密封。
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公开(公告)号:CN101208260B
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:CN200680022865.1
申请日:2006-06-15
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 日本化药株式会社
CPC classification number: F04D29/281 , B29C64/106 , B29C64/124 , B29L2031/7496 , B81C99/008 , F04D29/023 , F05D2230/31 , F05D2300/44
Abstract: 一种制造树脂的微型机器部件的方法,该方法包括以下步骤:(a)在基片上形成一层牺牲层;(b)在所述牺牲层上顺序形成至少两层光敏树脂组合物层,并对形成的各光敏树脂组合物层进行光刻,形成限定微型机器部件的周边部分的气隙部分和构成微型机器部件的内部结构的气隙部分,因而形成多层结构;(c)在固化的光敏树脂组合物层的多层结构上沉积干膜抗蚀剂,对所述干膜抗蚀剂层进行光刻,形成固化的干膜蚀刻层,其中,形成限定遮蔽层的周边部分的气隙部分和构成遮蔽层结构的气隙;和(d)通过去除所述牺牲层将所述微型机器部件与所述基片分离,所述微型机器部件具有固化光敏树脂组合物层和固化的干膜抗蚀剂层的多层结构。
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公开(公告)号:CN117792334A
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202311803350.7
申请日:2017-11-15
Applicant: 国立大学法人东北大学
Abstract: [课题]提供一种TCF良好,能够提高谐振器的Q、阻抗比的弾性波器件。[解决手段]该弾性波器件包括:含有70质量%以上的二氧化硅(SiO2)的基板11、由设置于基板11之上的LiTaO3晶体或LiNbO3晶体形成的压电薄膜12以及被设置为与压电薄膜12相接的叉指状电极13。
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