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公开(公告)号：CN117792334A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311803350.7
申请日：2017-11-15
Applicant: 国立大学法人东北大学
Abstract: [课题]提供一种TCF良好，能够提高谐振器的Q、阻抗比的弾性波器件。[解决手段]该弾性波器件包括：含有70质量％以上的二氧化硅(SiO2)的基板11、由设置于基板11之上的LiTaO3晶体或LiNbO3晶体形成的压电薄膜12以及被设置为与压电薄膜12相接的叉指状电极13。
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公开(公告)号：CN115336173A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202080092585.8
申请日：2020-11-22
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 天工方案公司
Abstract: 声波器件中的能量约束。在一些实施例中，表面声波器件可包括石英基板、由LiTaO3或LiNbO3形成并设置在石英基板上方的压电膜、以及形成在压电膜上方的叉指换能器电极。表面声波器件还可包括在压电膜上方实现的结合层、以及形成在结合层上方的覆盖层，从而将传播波的能量基本上约束在覆盖层下方。
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公开(公告)号：CN115176416A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202180017384.6
申请日：2021-02-12
Applicant: 国立大学法人东北大学
Abstract: 提供一种弹性波器件，其能够使用谐波而在6GHz以上的超高频带获得良好特性。具有压电基板(11)、以与压电基板(11)接触的方式设置的电极(12)、和以与压电基板(11)和/或电极(12)接触的方式设置的声多层膜(13)，且构成为利用弹性表面波的谐振特性中的谐波。电极(12)具有设置在压电基板(11)的一表面上的帘状电极(12a)。谐波的弹性表面波优选为声速9000m/s以上。声多层膜(13)优选为低声阻抗膜(13a)与高声阻抗膜(13b)交替地层叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113424443A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201980081234.4
申请日：2019-10-15
Applicant: 国立大学法人东北大学
Abstract: 公开了声波器件和相关方法。在一些实施例中，声波器件可以包括具有第一表面的石英基板，以及由LiTaO3或LiNbO3形成并且具有被配置为支持表面声波的第一表面和与石英基板的第一表面接合的第二表面的压电板。压电板的第二表面是由压电板的晶体结构取向导致的负表面。所述声波器件还可以包括叉指换能器电极，所述叉指换能器电极形成在压电板的第一表面上并且被配置为提供与所述表面声波相关联的换能器功能。
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公开(公告)号：CN113678372A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080026259.7
申请日：2020-03-31
Applicant: 国立大学法人东北大学
Abstract: 一种高阶模式弹性表面波器件，具有压电基板(11)和叉指电极(12)，且利用了高阶模式的弹性表面波，其中，该压电基板(11)由LiTaO3晶体或LiNbO3晶体构成，该叉指电极(12)被嵌入压电基板(11)的表面，但也可形成为从压电基板(11)的表面突出。此外，可具有在压电基板(11)层叠的薄膜(13)或基板，也可具有支持基板(14)和/或多层膜(15)，其被设置为与压电基板(11)的设置有叉指电极(12)的表面相反侧的面接触。高阶模式弹性表面波器件即使在3.8GHz以上的高频带也可得到良好的特性，并可保持充分的机械强度。
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公开(公告)号：CN110114974A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201780080515.9
申请日：2017-11-15
Applicant: 国立大学法人东北大学
Abstract: 提供一种TCF良好，能够提高谐振器的Q、阻抗比的弹性波器件。该弹性波器件包括：含有70质量％以上的二氧化硅(SiO2)的基板11、由设置于基板11之上的LiTaO3晶体或LiNbO3晶体形成的压电薄膜12以及被设置为与压电薄膜12相接的叉指状电极13。
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公开(公告)号：CN114375544A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202080056332.5
申请日：2020-08-04
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H03H9/17
Abstract: 本发明提供一种弹性波器件，其能够在6GHz以上的超高频带中得到良好特性，并且能够确保充分的机械强度。具有压电基板(11)、以与压电基板(11)接触的方式设置的电极(12)、以及以与压电基板(11)和/或电极(12)接触的方式设置的声多层膜(13)，且构成为利用体波的谐振特性中的高次模。声多层膜(13)交替地层叠有低声阻抗膜(13a)和高声阻抗膜(13b)。
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公开(公告)号：CN110114974B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN201780080515.9
申请日：2017-11-15
Applicant: 国立大学法人东北大学
Abstract: [课题]提供一种TCF良好，能够提高谐振器的Q、阻抗比的弹性波器件。[解决手段]该弹性波器件包括：含有70质量％以上的二氧化硅(SiO2)的基板11、由设置于基板11之上的LiTaO3晶体或LiNbO3晶体形成的压电薄膜12以及被设置为与压电薄膜12相接的叉指状电极13。
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