-
公开(公告)号：CN109309061A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201711288876.0
申请日：2017-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/522
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体封装。所述半导体封装包括封装衬底、光子集成电路、激光管芯、电子集成电路、及第一重布线结构。所述封装衬底包括连接件。所述光子集成电路设置在所述封装衬底之上。所述激光管芯在光学上耦合到所述光子集成电路。所述电子集成电路设置在所述封装衬底之上。所述第一重布线结构设置在所述封装衬底之上，其中所述电子集成电路通过所述第一重布线结构电连接到所述光子集成电路。
-
-
公开(公告)号：CN107180795A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201611150397.8
申请日：2016-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L21/50 , H01L25/065 , H01L23/48
Abstract: 一种方法包括通过管芯附接膜将电压调节器管芯粘附在载体上方，其中管芯附接膜位于电压调节器管芯中并环绕电压调节器管芯的金属柱，将电压调节器管芯密封在密封材料中，并且平坦化密封材料。去除电压调节器管芯的背部以暴露电压调节器管芯的半导体衬底中的通孔。该方法还包括在密封材料上方形成电连接至通孔的第一再分布线，用介电材料替代管芯附接膜，在密封材料的与第一再分布线相对的侧上形成第二再分布线，并且将额外的器件管芯接合至第二再分布线。电压调节器管芯电连接至额外的器件管芯。本发明实施例涉及包括电压调节器的集成扇出封装件及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN106847794A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610764706.4
申请日：2016-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/66 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L24/19 , H01L2223/6627 , H01L2223/6677 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01Q1/2283
Abstract: 本发明提供了一种方法，包括：形成第一金属板，形成与第一金属板的外围区域对齐的金属环，以及放置与金属环齐平的器件管芯，用密封材料密封器件管芯和金属环。该方法还包括将介电材料填充至由金属环包围的空间中，以及形成覆盖介电材料和金属环的第二金属板，其中，在第二金属板中形成开口。形成多个再分布线，其中，再分布线中的一个覆盖开口的部分。第一金属板、金属环、第二金属板和介电材料结合在一起形成天线或波导管。再分布线形成无源器件的信号连线。本发明还提供了一种封装件。
-
公开(公告)号：CN104037157A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310226499.3
申请日：2013-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01P1/2007 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/64 , H01L23/66 , H01L2924/0002 , H03H7/0138 , H03H2001/0092 , Y10T29/49117 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了用于集成电路的扼流器以及用于选择性过滤一个或多个RF频率带宽内的RF信号的一种或多种技术及系统。具体地，提供了被配置为选择性过滤这种RF信号的诸如3D RF扼流器或半集总RF扼流器的RF扼流器。RF扼流器包括被配置为RF扼流器的电感元件的金属连线。在一个实例中，诸如金属开路枝节的一条或多条金属线被形成为RF扼流器的电容元件。在另一个实例中，一个或多个通孔被形成为RF扼流器的电容元件。以这种方式，RF扼流器允许DC电源信号通过金属连线而阻止一个或多个RF频带内的RF信号通过金属连线。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120030958A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510119111.2
申请日：2025-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例提供了一种集成电路(IC)结构。IC结构包括具有光波导的光中介层；多个芯片堆叠件，设置在所述光中介层上方，所述多个芯片堆叠件中的每个都包括第一光子IC芯片和位于所述第一光子IC晶圆上方的存储芯片；以及分别与所述多个芯片堆叠件相邻设置的多个第一激光源芯片，其中，所述光中介层中的光波导被配置为光学互连结构，以通过所述第一光子IC芯片与所述存储芯片耦合。本公开的实施例还提供了一种制造集成电路(IC)结构的方法。
-
公开(公告)号：CN114937664A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202110856920.3
申请日：2021-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/488 , H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括位于晶片上的第一多个管芯、位于所述第一多个管芯之上的第一重布线结构及与所述第一多个管芯相对地位于所述第一重布线结构上的第二多个管芯。所述第一重布线结构包括第一多个导电特征。所述第一多个管芯中的每一管芯在所述第一重布线结构的底侧上通过多个金属‑金属接合而接合到所述第一多个导电特征中的相应的多个导电特征。所述第二多个管芯中的每一管芯在所述第一重布线结构的顶侧上通过多个金属‑金属接合而接合到所述第一重布线结构中的所述第一多个导电特征中的相应的多个导电特征。
-
公开(公告)号：CN107180795B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201611150397.8
申请日：2016-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L21/50 , H01L25/065 , H01L23/48
Abstract: 一种方法包括通过管芯附接膜将电压调节器管芯粘附在载体上方，其中管芯附接膜位于电压调节器管芯中并环绕电压调节器管芯的金属柱，将电压调节器管芯密封在密封材料中，并且平坦化密封材料。去除电压调节器管芯的背部以暴露电压调节器管芯的半导体衬底中的通孔。该方法还包括在密封材料上方形成电连接至通孔的第一再分布线，用介电材料替代管芯附接膜，在密封材料的与第一再分布线相对的侧上形成第二再分布线，并且将额外的器件管芯接合至第二再分布线。电压调节器管芯电连接至额外的器件管芯。本发明实施例涉及包括电压调节器的集成扇出封装件及其形成方法。
-
-
公开(公告)号：CN104037157B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201310226499.3
申请日：2013-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01P1/2007 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/64 , H01L23/66 , H01L2924/0002 , H03H7/0138 , H03H2001/0092 , Y10T29/49117 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了用于集成电路的扼流器以及用于选择性过滤一个或多个RF频率带宽内的RF信号的一种或多种技术及系统。具体地，提供了被配置为选择性过滤这种RF信号的诸如3D RF扼流器或半集总RF扼流器的RF扼流器。RF扼流器包括被配置为RF扼流器的电感元件的金属连线。在一个实例中，诸如金属开路枝节的一条或多条金属线被形成为RF扼流器的电容元件。在另一个实例中，一个或多个通孔被形成为RF扼流器的电容元件。以这种方式，RF扼流器允许DC电源信号通过金属连线而阻止一个或多个RF频带内的RF信号通过金属连线。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.026 seconds)
