公开(公告)号：CN118610090A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202311539320.X

申请日：2023-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈品彣 ,  葛于臣 ,  陈继元 ,  郑雅忆 ,  蔡纯怡 ,  林威戎 ,  张志维 ,  蔡明兴 ,  章勋明 ,  罗唯仁

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：在突出得高于衬底的鳍之上形成栅极结构；邻近所述栅极结构、在所述鳍之上形成源极/漏极区域；围绕所述栅极结构、在所述源极/漏极区域之上形成层间电介质(ILD)层；在所述ILD层中形成开口以暴露所述源极/漏极区域；在所述源极/漏极区域之上的所述开口中依次形成硅化物区域和阻挡层，其中，所述阻挡层包括氮化硅；降低所述阻挡层的暴露于所述开口的表面部分中的氮化硅的浓度；在进行所述降低之后，在所述阻挡层上形成晶种层；以及在所述晶种层上形成导电材料以填充所述开口。

公开(公告)号：CN116153785A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202210854441.2

申请日：2022-07-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈品彣 ,  钟长廷 ,  赵翊翔 ,  温钰婷 ,  杨凯杰 ,  葛于臣 ,  徐鹏皓 ,  郑雅忆 ,  洪敏修 ,  黄俊贤 ,  林威戎 ,  张志维 ,  蔡明兴

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/768 ,  H01L23/482

Abstract: 本公开涉及半导体器件的接触特征及其形成方法。一种方法包括在外延源极/漏极区域之上形成电介质层，在电介质层中形成开口。开口暴露外延源极/漏极区域的一部分。在开口的侧壁和底部上形成阻挡层。对开口的侧壁和底部执行氧化工艺。氧化工艺将阻挡层的一部分转化为氧化阻挡层，并将电介质层的与所述氧化阻挡层相邻的部分转化为衬垫层。去除氧化阻挡层。以自下而上的方式用导电材料填充开口，导电材料与衬垫层实体接触。

公开(公告)号：CN220172124U

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202321174513.5

申请日：2023-05-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵翊翔 ,  张淑兰 ,  陈靖怡 ,  叶士维 ,  张佩珊 ,  郑雅忆 ,  葛于臣 ,  王毓萱 ,  黄俊贤 ,  许宏彰 ,  张志维 ,  蔡明兴 ,  林威戎

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/538 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体装置，包括由介电材料的多个侧壁所划定的凹洞；一导电结构，接壤(bordering)于该凹洞的底部；一层或多层材料，于该凹洞中且直接位于该导电结构上及直接位于该介电材料的该侧壁上，其中所述一层或多层材料包括阻障金属；及导电插塞，于该凹洞中且直接位于所述一层或多层材料上且直接位于该介电材料的该侧壁上。