公开(公告)号：CN114695311A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202110697518.5

申请日：2021-06-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜翠玲 ,  陈建宏

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体元件与其制作方法，半导体元件包含：导电特征、设置于导电特征上方的介电层、以及延伸穿透介电层的接触特征。接触特征具有上部与下部。上部是以间隔层从介电层分离。下部是电性地耦接至导电特征并且与介电层接触。

公开(公告)号：CN107017237A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611237535.6

申请日：2016-12-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜翠玲 ,  倪其聪 ,  张瑞鸿 ,  罗耀聘

IPC: H01L23/64

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L23/535 ,  H01L28/87 ,  H01L28/91 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945 ,  H01L28/84

Abstract: 本发明实施例涉及一种具有深沟槽电容器的集成芯片及形成方法，该深沟槽电容器具有限定弯曲凹陷的锯齿状侧壁。在一些实施例中，集成芯片包括具有沟槽的衬底，该沟槽具有限定多个弯曲凹陷的锯齿状侧壁。介电材料层共形地内衬于锯齿状侧壁，并且导电材料层布置在沟槽内并且通过介电材料层与衬底分离。介电材料层配置为位于包括导电材料层的第一电极和布置在衬底内的第二电极之间的电容器电介质。导电材料层的锯齿状侧壁增加了导电材料层的外表面的表面积，从而增加每单位深度的电容器的电容。本发明实施例涉及具有扇形轮廓的深沟槽电容器。

公开(公告)号：CN107017237B

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN201611237535.6

申请日：2016-12-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜翠玲 ,  倪其聪 ,  张瑞鸿 ,  罗耀聘

IPC: H01L23/64

Abstract: 本发明实施例涉及一种具有深沟槽电容器的集成芯片及形成方法，该深沟槽电容器具有限定弯曲凹陷的锯齿状侧壁。在一些实施例中，集成芯片包括具有沟槽的衬底，该沟槽具有限定多个弯曲凹陷的锯齿状侧壁。介电材料层共形地内衬于锯齿状侧壁，并且导电材料层布置在沟槽内并且通过介电材料层与衬底分离。介电材料层配置为位于包括导电材料层的第一电极和布置在衬底内的第二电极之间的电容器电介质。导电材料层的锯齿状侧壁增加了导电材料层的外表面的表面积，从而增加每单位深度的电容器的电容。本发明实施例涉及具有扇形轮廓的深沟槽电容器。