公开(公告)号：CN102856330A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201110354962.3

申请日：2011-11-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈政聪 ,  黄薰莹 ,  张永承 ,  叶永富 ,  陈毓萍 ,  梁启源 ,  吕受书 ,  陈俊霖 ,  陈家仁 ,  申弘道 ,  谢奇勋

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/02325 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/0248

Abstract: 公开了一种用于图像感测的系统和方法。实施例包括具有像素区的衬底，该衬底具有正面和背面。沿着衬底的背面实施共同注入工艺，所述衬底的背面与沿着衬底的正面设置的感光元件相对。共同注入工艺利用形成预非晶化区的第一预非晶化注入工艺。然后注入掺杂剂，其中预非晶化区阻止或者减少了掺杂剂在感光区内的扩散或者拖尾。在共同注入区上方也可以形成抗反射层、滤色器、和微透镜。本发明还公开了一种用于背面照明传感器的共同注入。

公开(公告)号：CN222214178U

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202420804030.7

申请日：2024-04-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴振秾 ,  王茂家 ,  陈家仁 ,  陈力毅 ,  洪文瀚 ,  林哲立 ,  陈彦宁

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置，包括基板，基板包括形成于基板上的FinFET区，其中FinFET区包括一或多个鳍片。半导体装置进一步包括形成于基板上并设置邻近一或多个鳍片旁边的一或多个装置隔离结构。此外，半导体装置包括形成于一或多个鳍片的一部分上的增强层。