公开(公告)号：CN102856330A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201110354962.3

申请日：2011-11-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈政聪 ,  黄薰莹 ,  张永承 ,  叶永富 ,  陈毓萍 ,  梁启源 ,  吕受书 ,  陈俊霖 ,  陈家仁 ,  申弘道 ,  谢奇勋

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/02325 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/0248

Abstract: 公开了一种用于图像感测的系统和方法。实施例包括具有像素区的衬底，该衬底具有正面和背面。沿着衬底的背面实施共同注入工艺，所述衬底的背面与沿着衬底的正面设置的感光元件相对。共同注入工艺利用形成预非晶化区的第一预非晶化注入工艺。然后注入掺杂剂，其中预非晶化区阻止或者减少了掺杂剂在感光区内的扩散或者拖尾。在共同注入区上方也可以形成抗反射层、滤色器、和微透镜。本发明还公开了一种用于背面照明传感器的共同注入。

公开(公告)号：CN106409767B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201610084673.9

申请日：2016-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 埃米·马哈德夫·沃克 ,  谢奇勋 ,  朱哲民 ,  郭宇轩

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了包括第一导电类型的晶体管的FET结构。晶体管包括具有第二导电类型的区域的衬底、位于源极和漏极之间的沟道以及位于沟道上方的栅极。沟道包括第一导电类型的掺杂物。栅极包括第二导电类型的功函设置层。本发明还提供了用于制造具有多阈值电压方案的FET的方法。该方法包括：从第一掩模暴露第一导电类型的第一晶体管的沟道和第二导电类型的第一晶体管的沟道；利用第一导电类型的掺杂物来掺杂沟道；从第二掩模暴露第一导电类型的第二晶体管和第二导电类型的第二晶体管的沟道；以及利用第二导电类型的掺杂物来掺杂沟道。本发明还提供了一种多阈值电压场效应晶体管及其制造方法。

公开(公告)号：CN104022027B

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201310217777.9

申请日：2013-06-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈柏年 ,  黄昱方 ,  谢奇勋 ,  吴伟成 ,  杨宝如 ,  庄学理

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823857

Abstract: 本发明公开了一种具有多个不同器件栅极结构的集成电路和用于制造该电路的方法。形成该电路的示例性实施例包括：接收具有第一器件区、第二器件区和第三器件区的衬底。在第一器件区、第二器件区以及第三器件区中的每一个的至少一部分上方形成第一界面层。第一界面层被图案化，以在第三器件区内限定栅叠层。在第二器件区的至少一部分上方形成第二界面层。第二界面层被图案化，以在第二器件区内限定栅叠层。在第一器件区的至少一部分上方形成第三界面层。第三界面层在第一器件区内限定栅叠层。本发明还提供了结合有多种栅叠层组成的电路。

公开(公告)号：CN106409767A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610084673.9

申请日：2016-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 埃米·马哈德夫·沃克 ,  谢奇勋 ,  朱哲民 ,  郭宇轩

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了包括第一导电类型的晶体管的FET结构。晶体管包括具有第二导电类型的区域的衬底、位于源极和漏极之间的沟道以及位于沟道上方的栅极。沟道包括第一导电类型的掺杂物。栅极包括第二导电类型的功函设置层。本发明还提供了用于制造具有多阈值电压方案的FET的方法。该方法包括：从第一掩模暴露第一导电类型的第一晶体管的沟道和第二导电类型的第一晶体管的沟道；利用第一导电类型的掺杂物来掺杂沟道；从第二掩模暴露第一导电类型的第二晶体管和第二导电类型的第二晶体管的沟道；以及利用第二导电类型的掺杂物来掺杂沟道。本发明还提供了一种多阈值电压场效应晶体管及其制造方法。

公开(公告)号：CN104022027A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201310217777.9

申请日：2013-06-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈柏年 ,  黄昱方 ,  谢奇勋 ,  吴伟成 ,  杨宝如 ,  庄学理

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823857

Abstract: 本发明公开了一种具有多个不同器件栅极结构的集成电路和用于制造该电路的方法。形成该电路的示例性实施例包括：接收具有第一器件区、第二器件区和第三器件区的衬底。在第一器件区、第二器件区以及第三器件区中的每一个的至少一部分上方形成第一界面层。第一界面层被图案化，以在第三器件区内限定栅叠层。在第二器件区的至少一部分上方形成第二界面层。第二界面层被图案化，以在第二器件区内限定栅叠层。在第一器件区的至少一部分上方形成第三界面层。第三界面层在第一器件区内限定栅叠层。本发明还提供了结合有多种栅叠层组成的电路。