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公开(公告)号：CN222214178U
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202420804030.7
申请日：2024-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体装置，包括基板，基板包括形成于基板上的FinFET区，其中FinFET区包括一或多个鳍片。半导体装置进一步包括形成于基板上并设置邻近一或多个鳍片旁边的一或多个装置隔离结构。此外，半导体装置包括形成于一或多个鳍片的一部分上的增强层。
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