公开(公告)号：CN107437564A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201710145590.0

申请日：2017-03-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈弘斌 ,  郑志成 ,  萧茹雄 ,  陈力毅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/16 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L2029/7857 ,  H01L29/0684

Abstract: 一种半导体装置，包含突出于半导体基板的半导体鳍片。半导体鳍片包含在半导体基板上的多对半导体层。每一对半导体层包含第一导电型的第一半导体层与第二导电型的第二半导体层。第二半导体层堆叠于第一半导体层上且接触第一半导体层。

公开(公告)号：CN222214178U

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202420804030.7

申请日：2024-04-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴振秾 ,  王茂家 ,  陈家仁 ,  陈力毅 ,  洪文瀚 ,  林哲立 ,  陈彦宁

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置，包括基板，基板包括形成于基板上的FinFET区，其中FinFET区包括一或多个鳍片。半导体装置进一步包括形成于基板上并设置邻近一或多个鳍片旁边的一或多个装置隔离结构。此外，半导体装置包括形成于一或多个鳍片的一部分上的增强层。