公开(公告)号：CN101315860A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200710165979.8

申请日：2007-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈俊霖 ,  叶永富 ,  李玉堂 ,  郑迺汉

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/317 ,  H01L21/66 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/243 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明是有关于一种离子植入机的剂量准确性监测系统，其中一种装置，用以监测一离子植入机的离子束电流。此装置包括有离子束感测单元，用以感测至少一离子束电流值；位置量测单元，用以测得扫掠位置；以及电脑单元。电脑单元是用以接收由该离子束感测单元所感测的离子束电流值和由位置量测单元所测得的扫掠位置，并决定离子植入机的离子束电流的一偏差状态(Drift Status)，其中电脑单元周期性地在离子植入机的扫掠过程的初始时间和结束时间之间，来接收离子束电流值和扫掠位置。本发明可有效地监测离子植入机的离子束电流的偏差，因而可提升离子植入过程的剂量(或离子束电流)准确性，并可避免晶片的不当耗费。

公开(公告)号：CN101315860B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200710165979.8

申请日：2007-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈俊霖 ,  叶永富 ,  李玉堂 ,  郑迺汉

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01L21/66 ,  H01J37/244

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/243 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明是有关于一种离子植入机的剂量准确性监测系统，其中一种装置，用以监测一离子植入机的离子束电流。此装置包括有离子束感测单元，用以感测至少一离子束电流值；位置量测单元，用以测得扫掠位置；以及电脑单元。电脑单元是用以接收由该离子束感测单元所感测的离子束电流值和由位置量测单元所测得的扫掠位置，并决定离子植入机的离子束电流的一偏差状态(Drift Status)，其中电脑单元周期性地在离子植入机的扫掠过程的初始时间和结束时间之间，来接收离子束电流值和扫掠位置。本发明可有效地监测离子植入机的离子束电流的偏差，因而可提升离子植入过程的剂量(或离子束电流)准确性，并可避免晶片的不当耗费。

公开(公告)号：CN102856330A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201110354962.3

申请日：2011-11-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈政聪 ,  黄薰莹 ,  张永承 ,  叶永富 ,  陈毓萍 ,  梁启源 ,  吕受书 ,  陈俊霖 ,  陈家仁 ,  申弘道 ,  谢奇勋

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/02325 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/0248

Abstract: 公开了一种用于图像感测的系统和方法。实施例包括具有像素区的衬底，该衬底具有正面和背面。沿着衬底的背面实施共同注入工艺，所述衬底的背面与沿着衬底的正面设置的感光元件相对。共同注入工艺利用形成预非晶化区的第一预非晶化注入工艺。然后注入掺杂剂，其中预非晶化区阻止或者减少了掺杂剂在感光区内的扩散或者拖尾。在共同注入区上方也可以形成抗反射层、滤色器、和微透镜。本发明还公开了一种用于背面照明传感器的共同注入。