公开(公告)号：CN103137633A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210200355.6

申请日：2012-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕受书 ,  黄薰莹 ,  黄信荣 ,  邱俊贸 ,  萧家棋 ,  张永承

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/028 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种包括有非划片槽区域和划片槽区域的半导体图像传感器件。该图像传感器件包括设置在非划片槽区域中的第一衬底部分。该第一衬底部分包括掺杂辐射感测区域。该图像传感器件包括设置在划片槽区域中的第二衬底部分。该第二衬底部分具有与第一衬底部分相同的材料组分。本发明还提供了一种制造图像传感器件的方法。该方法包括在衬底中形成多个辐射感测区域。该方法包括通过蚀刻划片槽区域中的衬底而在图像传感器件的划片槽区域中形成开口。在蚀刻之后，部分衬底保留在划片槽区域中。该方法包括利用有机材料填充开口。本发明还提供了一种减小背照式图像传感器的暗电流的器件和方法。

公开(公告)号：CN103137633B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201210200355.6

申请日：2012-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕受书 ,  黄薰莹 ,  黄信荣 ,  邱俊贸 ,  萧家棋 ,  张永承

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/028 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种包括有非划片槽区域和划片槽区域的半导体图像传感器件。该图像传感器件包括设置在非划片槽区域中的第一衬底部分。该第一衬底部分包括掺杂辐射感测区域。该图像传感器件包括设置在划片槽区域中的第二衬底部分。该第二衬底部分具有与第一衬底部分相同的材料组分。本发明还提供了一种制造图像传感器件的方法。该方法包括在衬底中形成多个辐射感测区域。该方法包括通过蚀刻划片槽区域中的衬底而在图像传感器件的划片槽区域中形成开口。在蚀刻之后，部分衬底保留在划片槽区域中。该方法包括利用有机材料填充开口。本发明还提供了一种减小背照式图像传感器的暗电流的器件和方法。

公开(公告)号：CN102856330A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201110354962.3

申请日：2011-11-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈政聪 ,  黄薰莹 ,  张永承 ,  叶永富 ,  陈毓萍 ,  梁启源 ,  吕受书 ,  陈俊霖 ,  陈家仁 ,  申弘道 ,  谢奇勋

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/02325 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/0248

Abstract: 公开了一种用于图像感测的系统和方法。实施例包括具有像素区的衬底，该衬底具有正面和背面。沿着衬底的背面实施共同注入工艺，所述衬底的背面与沿着衬底的正面设置的感光元件相对。共同注入工艺利用形成预非晶化区的第一预非晶化注入工艺。然后注入掺杂剂，其中预非晶化区阻止或者减少了掺杂剂在感光区内的扩散或者拖尾。在共同注入区上方也可以形成抗反射层、滤色器、和微透镜。本发明还公开了一种用于背面照明传感器的共同注入。