公开(公告)号：CN104637903A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410020876.2

申请日：2014-01-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林育蔚 ,  陈冠宇 ,  梁裕民 ,  郭庭豪 ,  陈承先

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3841 ,  H05K1/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明提供了具有平衡的金属密度和阻焊层密度的衬底设计。一种封装件，包括封装衬底，封装衬底包括选自由核心和中间金属层组成的组的中间层、覆盖在中间层上面的顶部金属层和位于中间层下面的底部金属层。覆盖在中间层上面的所有金属层具有第一总金属密度，第一总金属密度等于在中间层上方的所有金属层的所有密度的总和。位于中间层下面的所有金属层具有第二总金属密度，第二总金属密度等于在中间层下面的所有金属层的所有密度的总和。第一总金属密度和第二总金属密度之差的绝对值小于约0.1。

公开(公告)号：CN103377305A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310002312.1

申请日：2013-01-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾裕仁 ,  陈冠宇 ,  吴胜郁 ,  余振华 ,  李明机 ,  陈承先 ,  郭庭豪

IPC: G06F17/50 ,  H01L23/522

CPC classification number: G06F17/5068 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17104 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/1144

Abstract: 一种用于阻止迹线上凸块结构中的邻近的金属迹线桥接的方法和器件。实施例包括确定封装元件的热膨胀系数(CTE)和处理参数。然后分析设计参数并可以基于封装元件的CTE和处理参数修改设计参数。本发明提供了迹线上凸块结构的迹线布局方法。

公开(公告)号：CN102169853B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201010603967.0

申请日：2010-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏建彰 ,  郭紫微 ,  林宪信 ,  宋学昌 ,  白易芳 ,  陈冠宇

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了一种集成电路结构的形成方法，该方法包含提供晶片，其包含基底与基底的主要表面上的半导体鳍片，以及进行沉积步骤，在半导体鳍片的上表面与侧壁上外延生长外延层，其中外延层包含半导体材料。然后，进行蚀刻步骤，移除一部分的外延层，在半导体鳍片的上表面与侧壁上留下外延层的剩余部分。采用本发明提供的方法，能够经由外延层的融合所产生的空隙(如果真的形成)至少会减小，且可能会被消除。

公开(公告)号：CN102637728A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210029796.4

申请日：2012-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭紫微 ,  宋学昌 ,  陈冠宇 ,  林宪信

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明公开了一种集成电路器件和形成该集成电路器件的方法。所公开的方法提供了用于在半导体器件中形成改进的轻掺杂源极/漏极元件和源极/漏极元件的工艺。具有改进的轻掺杂源极/漏极元件和源极/漏极元件的半导体器件可以防止或者降低缺陷，并且获得较好的应变效果。在至少一个实施例中，轻掺杂源极/漏极元件和源极/漏极元件包含通过外延生长形成的相同的半导体材料。

公开(公告)号：CN101989616B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201010243664.2

申请日：2010-07-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑振辉 ,  宋学昌 ,  陈冠宇 ,  林宪信 ,  冯家馨

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

Abstract: 本发明提供一种晶体管与其制法。此晶体管包括：一栅极电极，设置于一基材之上；以及至少一复合应力结构，设置于该栅极电极下方的沟道旁，其中复合应力结构包括：一第一应力区域，位于基材中；以及一第二应力区域，设于第一应力区域之上，且至少一部分的第二应力区域设置于基材中。本发明提供的晶体管具有复合应力结构，可提供晶体管的沟道所需的压缩或伸张应力，增加了晶体管的电性表现。

公开(公告)号：CN109165431A

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201810903139.5

申请日：2013-01-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾裕仁 ,  陈冠宇 ,  吴胜郁 ,  余振华 ,  李明机 ,  陈承先 ,  郭庭豪

IPC: G06F17/50 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60

Abstract: 一种用于阻止迹线上凸块结构中的邻近的金属迹线桥接的方法和器件。实施例包括确定封装元件的热膨胀系数(CTE)和处理参数。然后分析设计参数并可以基于封装元件的CTE和处理参数修改设计参数。本发明提供了迹线上凸块结构的迹线布局方法。

公开(公告)号：CN106057758A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610223678.5

申请日：2016-04-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张智浩 ,  江宗宪 ,  陈冠宇 ,  张纬森 ,  郭庭豪 ,  蔡豪益 ,  余振华

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/18162 ,  H01L24/10 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 用于形成器件封装件的方法包括在多个管芯周围形成模塑料以及在管芯上方层压聚合物层。在形成模塑料时，管芯的顶面由膜层覆盖，并且聚合物层横向延伸超出管芯的边缘部分。该方法还包括在聚合物层中形成导电通孔，其中，导电通孔在管芯的一个的顶面处电连接至接触焊盘。本发明的实施例还涉及用于晶圆级封装件的互连结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN102610637B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201110271896.3

申请日：2011-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭紫微 ,  宋学昌 ,  陈冠宇 ,  林宪信

IPC: H01L29/43 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本申请公开了一种制造应变的源极/漏极结构的方法。本公开的方法提供了一种用于在半导体器件中形成改进的源极/漏极部件的工艺过程。带有改进的源极/漏极部件的半导体器件可以防止或减少缺陷并且由外延层实现高的应变效应。在实施例中，该源极/漏极部件包括围绕着第一部分的第二部分和在第二部分和半导体衬底之间的第三部分，其中，第二部分具有与第一和第三部分不同的成分。

公开(公告)号：CN118280996A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410267774.4

申请日：2024-03-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈冠宇 ,  林俊言 ,  曾威程 ,  林威呈 ,  彭士玮 ,  曾健庭

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L21/8238 ,  H10B10/00

Abstract: 一种半导体器件包括：有源区域，在第一方向上延伸；第一金属到S/D(MD)接触结构，在垂直的第二方向上延伸，并且在有源区域上方并耦合到有源区域；第一金属化层，位于第一MD接触结构上方，并具有在第一方向上延伸且各自具有相对于第二方向基本上相同的宽度的M_1区段，M_1区段包括M_1路由区段，以及具有在第一MD接触结构上方并耦合到第一MD接触结构的部分的M_1电力网(PG)区段；第二金属化层，在第一金属化层上方并且具有在第二方向上延伸并且包括被配置用于第一参考电压的M_2PG轨的M_2区段，M_2PG轨的部分在M_1PG区段上方并且耦合到M_1PG区段。M_2PG轨跨过多个单元区域延伸。本申请的实施例还提供了形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN115394746A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202111186473.1

申请日：2021-10-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨奇翰 ,  陈龙辉 ,  陈冠宇 ,  魏士展

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 一种集成电路(IC)的金属化结构包含：金属间介电(IMD)层；图案化金属层，嵌入在IMD层中；图案化顶部金属层，配置在IMD层上；电通孔，包括穿过IMD层的通孔材料且连接图案化顶部金属层和嵌入在IMD层中的图案化金属层；以及金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器。MIM电容器包含：第一电容器金属层，包括接触嵌入在IMD层中的图案化金属层的MIM电容器着陆区域的通孔材料；第二电容器金属层，包括接触图案化顶部金属层的第一MIM电容器端子区域的通孔材料；以及绝缘体层，配置在第一电容器金属层与第二电容器金属层之间。