公开(公告)号：CN101908540A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010196907.1

申请日：2010-06-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟道文 ,  柯博尧 ,  林威仰 ,  庄建祥

IPC: H01L27/082 ,  H01L29/73 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/0823 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/735

Abstract: 本发明提供一种集成电路元件，包括：一半导体基板，具有一上表面；至少一绝缘区，自该上表面延伸进入该半导体基板；多个基区接触，具有一第一导电型，彼此电性连接；以及多个发射极与多个集电极，具有一第二导电型，与该第一导电型相反。每一所述发射极、所述集电极与所述基区接触通过所述至少一绝缘区彼此侧向分隔。该集成电路元件还包括一埋层，具有该第二导电型，于该半导体基板中，其中该埋层具有一上表面，邻近所述多个集电极的下表面。本发明优点特征包括高电流获得、低芯片使用面积以及低基区电阻。

公开(公告)号：CN107016143A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610843746.8

申请日：2016-09-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林威仰 ,  刘凯明

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5081 ,  G06F17/5009 ,  G06F17/5036

Abstract: 本发明的实施例涉及由至少一个处理器实施的方法，包括如下步骤：生成包括晶体管的芯片的布局数据；基于布局数据中的晶体管的位置确定用于晶体管的热相关参数；生成包括热相关参数的网表数据；基于网表数据实施布局后模拟；以及验证布局后模拟是否满足设计规格。本发明的实施例还涉及参数提取的方法及其系统。

公开(公告)号：CN101908540B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201010196907.1

申请日：2010-06-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟道文 ,  柯博尧 ,  林威仰 ,  庄建祥

IPC: H01L27/082 ,  H01L29/73 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/0823 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/735

Abstract: 本发明提供一种集成电路元件，包括：一半导体基板，具有一上表面；至少一绝缘区，自该上表面延伸进入该半导体基板；多个基区接触，具有一第一导电型，彼此电性连接；以及多个发射极与多个集电极，具有一第二导电型，与该第一导电型相反。每一所述发射极、所述集电极与所述基区接触通过所述至少一绝缘区彼此侧向分隔。该集成电路元件还包括一埋层，具有该第二导电型，于该半导体基板中，其中该埋层具有一上表面，邻近所述多个集电极的下表面。本发明优点特征包括高电流获得、低芯片使用面积以及低基区电阻。