公开(公告)号：CN104425567B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201410320227.4

申请日：2014-07-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖盈杰 ,  杨汉威 ,  赖振群 ,  郭康民 ,  田博仁

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/528 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/3171 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/564 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种具有提高的钝化完整性的半导体器件。该器件包括衬底、第一层和金属层。第一层形成在衬底上方。第一层包括通孔开口和邻近通孔开口的锥形部分。金属层形成在第一层的通孔开口和锥形部分上方。金属层基本没有间隙和空隙。本发明还提供了提高钝化完整性的方法。

公开(公告)号：CN104425567A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410320227.4

申请日：2014-07-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖盈杰 ,  杨汉威 ,  赖振群 ,  郭康民 ,  田博仁

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/528 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/3171 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/564 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种具有提高的钝化完整性的半导体器件。该器件包括衬底、第一层和金属层。第一层形成在衬底上方。第一层包括通孔开口和邻近通孔开口的锥形部分。金属层形成在第一层的通孔开口和锥形部分上方。金属层基本没有间隙和空隙。本发明还提供了提高钝化完整性的方法。

公开(公告)号：CN106887455B

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201610729667.4

申请日：2016-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 方琮闵 ,  王智麟 ,  郭康民

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括具有第一源极区域、第二源极区域、第一漏极区域、和第二漏极区域的衬底。半导体器件结构包括位于衬底上方并且介于第一源极区域和第一漏极区域之间的第一栅极结构。半导体器件结构包括位于衬底上方并且介于第二源极区域和第二漏极区域之间的第二栅极结构。第一栅极结构的第一厚度大于第二栅极结构的第二厚度。第一栅极结构的第一栅极宽度小于第二栅极结构的第二栅极宽度。本发明的实施例还提供了半导体器件结构的形成方法。

公开(公告)号：CN106601794B

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201610641281.8

申请日：2016-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 连承伟 ,  王智麟 ,  郭康民 ,  林智伟

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

Abstract: 提供了半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括衬底、在衬底上方形成的界面层以及在界面层上方形成的插入层。该半导体结构还包括在插入层上方形成的栅极介电层和在栅极介电层上方形成的栅极结构。此外，该插入层由M1Ox制成，并且M1是金属，O是氧，以及x是大于4的值。本发明的实施例还涉及具有插入层的半导体结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN106024767A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201510798938.7

申请日：2015-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈隆 ,  郭康民 ,  詹文炘

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供了半导体器件结构的结构和形成方法。该半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的栅极堆叠件。该半导体器件结构也包括位于半导体衬底上方的源极/漏极结构，并且源极/漏极结构包括掺杂剂。该半导体器件结构还包括位于栅极堆叠件下方的沟道区。此外，该半导体器件结构包括围绕源极/漏极结构的半导体层。半导体层配置为防止掺杂剂进入沟道区。

公开(公告)号：CN105742225A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510788330.6

申请日：2015-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 方琮闵 ,  郭康民 ,  吴细闵

IPC: H01L21/762

Abstract: 一种半导体结构包括半导体衬底、第一有源区、第二有源区、第一沟槽、至少一个凸起部分以及第一电介质。第一有源区位于半导体衬底中。第二有源区位于半导体衬底中。第一沟槽位于半导体衬底中并将第一有源区和第二有源区彼此分离。凸起部分从半导体衬底凸出并且设置在第一沟槽中。第一电介质位于第一沟槽中并且覆盖凸起部分。本发明还提供了用于形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN104253107A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410299912.3

申请日：2014-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖振群 ,  郭康民 ,  彭彦明 ,  郭国权 ,  杨汉威 ,  林怡瑞 ,  张晋嘉 ,  廖盈杰 ,  许哲嘉 ,  田博仁

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/306 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种具有金属熔丝的半导体器件。金属熔丝连接电部件(例如，晶体管)和现有的接地的伪部件。金属熔丝的保护可以设计为起始于金属化形成工艺的开始阶段。接地的伪部件在整个后段制程工艺期间为等离子体充电提供至地面的路径。金属熔丝是与二极管(电路级保护)相反的工艺级保护。作为工艺级保护，金属熔丝保护随后形成的电路。此外，不同于已经实施的内部伪图案，金属熔丝在芯片中不需要额外的有源区。本发明还提供了一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN106856209B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201610784391.X

申请日：2016-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡尚崎 ,  郭康民

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括衬底、金属氧化物半导体(MOS)晶体管和介电层。MOS晶体管包括在衬底上方形成的栅极结构。介电层形成在栅极结构旁边，并且该介电层掺杂有应变调节剂。应变调节剂的晶格常数大于介电层的原子的晶格常数。

公开(公告)号：CN106816470B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201610723852.2

申请日：2016-08-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林智伟 ,  王智麟 ,  郭康民

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了具有栅极堆叠件的半导体器件结构的结构和形成方法。该半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的栅极堆叠件。该栅极堆叠件包括栅极介电层和功函层。栅极介电层位于半导体衬底和功函层之间。该半导体器件结构也包括卤素源层。栅极介电层位于半导体衬底和卤素源层之间。

公开(公告)号：CN106856209A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201610784391.X

申请日：2016-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡尚崎 ,  郭康民

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7843 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括衬底、金属氧化物半导体(MOS)晶体管和介电层。MOS晶体管包括在衬底上方形成的栅极结构。介电层形成在栅极结构旁边，并且该介电层掺杂有应变调节剂。应变调节剂的晶格常数大于介电层的原子的晶格常数。