公开(公告)号：CN115841983A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211027983.9

申请日：2022-08-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪昕扬 ,  戴玮萱 ,  江宗育 ,  陈隆

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  H10B10/10 ,  H01L29/08

Abstract: 根据本申请的实施例，提供了半导体结构及其形成方法。根据本公开的半导体结构包括：衬底，包括第一区域和与第一区域相邻的第二区域；第一鳍，设置在第一区域上方；第二鳍，设置在第二区域上方；第一源极/漏极部件，设置在第一鳍上方；第二源极/漏极部件，设置在第二鳍上方；以及隔离结构，设置在第一鳍和第二鳍之间。隔离结构具有突出在隔离结构的其余部分之上的突起部件，并且突起部件设置在第一鳍和第二鳍之间。

公开(公告)号：CN115528091A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210099155.X

申请日：2022-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈隆

IPC: H01L29/08 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本揭示内容描述了一种制造半导体结构的方法和半导体结构。此方法可以包括在基板中形成凹陷结构并且在此凹陷结构上方形成第一半导体层。形成第一半导体层的制程可以包括分别地用具有第一掺杂浓度和第二掺杂浓度的第一n型掺质来掺杂第一半导体层的第一部分和第二部分。第二掺杂浓度可以大于第一掺杂浓度。此方法还可以包括在第一半导体层的第二部分上方形成第二半导体层。形成第二半导体层的制程可以包括用第二n型掺质来掺杂第二半导体层。

公开(公告)号：CN106024767A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201510798938.7

申请日：2015-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈隆 ,  郭康民 ,  詹文炘

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供了半导体器件结构的结构和形成方法。该半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的栅极堆叠件。该半导体器件结构也包括位于半导体衬底上方的源极/漏极结构，并且源极/漏极结构包括掺杂剂。该半导体器件结构还包括位于栅极堆叠件下方的沟道区。此外，该半导体器件结构包括围绕源极/漏极结构的半导体层。半导体层配置为防止掺杂剂进入沟道区。

公开(公告)号：CN110660742A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910572523.6

申请日：2019-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈隆 ,  洪隆傑 ,  郭康民

IPC: H01L21/8238

Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括在基板上形成第一晶体管结构及第二晶体管结构，其中合并第一晶体管结构及第二晶体管结构的源极/漏极结构。第一及第二晶体管结构是通过蚀刻源极/漏极结构而分开。

公开(公告)号：CN106024767B

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201510798938.7

申请日：2015-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈隆 ,  郭康民 ,  詹文炘

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供了半导体器件结构的结构和形成方法。该半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的栅极堆叠件。该半导体器件结构也包括位于半导体衬底上方的源极/漏极结构，并且源极/漏极结构包括掺杂剂。该半导体器件结构还包括位于栅极堆叠件下方的沟道区。此外，该半导体器件结构包括围绕源极/漏极结构的半导体层。半导体层配置为防止掺杂剂进入沟道区。

公开(公告)号：CN222721860U

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202421294471.3

申请日：2024-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴伟豪 ,  陈隆

IPC: H10D30/62 ,  H10D64/27 ,  H10D64/23 ,  H10D30/01

Abstract: 一个示例半导体结构包括从基板形成并沿一方向纵向延伸的鳍片结构、在基板上方和鳍片结构周围的隔离特征、包裹鳍片结构的通道区域的栅极结构、沿栅极结构侧壁延伸的第一栅极间隔物、在第一栅极间隔物上方的第二栅极间隔物、在第二栅极间隔物上方的填料介电层、设置在鳍片结构的源极/漏极区域上方的磊晶特征，磊晶特征的一部分设置在填料介电层上方、在磊晶特征和填料介电层上方的接触蚀刻停止层、在接触蚀刻停止层上方的层间介电层。接触蚀刻停止层的一部分沿一方向在磊晶特征和栅极结构的侧壁之间延伸。

公开(公告)号：CN221466586U

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202322608937.4

申请日：2023-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡義河 ,  张屹宏 ,  陈隆 ,  洪隆傑

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L27/088

Abstract: 一种包含半导体通道的半导体装置。半导体装置包含介电间隔物、源极/漏极区、以及金属硅化物层。介电间隔物设置于半导体通道上方。源极/漏极区设置相邻于介电间隔物且耦合至半导体通道，其中源极/漏极区包含一或多个半导体层。金属硅化物层设置于源极/漏极区上方。其中，金属硅化物层的底表面与一或多个半导体层的最上层的顶表面之间的第一接触区终止于介电间隔物的内侧壁。