公开(公告)号：CN104253107B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410299912.3

申请日：2014-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖振群 ,  郭康民 ,  彭彦明 ,  郭国权 ,  杨汉威 ,  林怡瑞 ,  张晋嘉 ,  廖盈杰 ,  许哲嘉 ,  田博仁

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/306 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种具有金属熔丝的半导体器件。金属熔丝连接电部件(例如，晶体管)和现有的接地的伪部件。金属熔丝的保护可以设计为起始于金属化形成工艺的开始阶段。接地的伪部件在整个后段制程工艺期间为等离子体充电提供至地面的路径。金属熔丝是与二极管(电路级保护)相反的工艺级保护。作为工艺级保护，金属熔丝保护随后形成的电路。此外，不同于已经实施的内部伪图案，金属熔丝在芯片中不需要额外的有源区。本发明还提供了一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN104810351B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201410333805.8

申请日：2014-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林怡瑞 ,  彭彦明 ,  杨汉威 ,  赖振群

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/3192 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件结构的实施例及其制造方法。半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上方的第一层。半导体器件结构还包括形成在第一层中的应力降低结构，并且应力降低结构围绕第一层的一部分。半导体器件结构还包括形成在由应力降低结构围绕的第一层的部分中的导电部件。本发明还提供了具有应力降低结构的互连装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN104810351A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201410333805.8

申请日：2014-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林怡瑞 ,  彭彦明 ,  杨汉威 ,  赖振群

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/3192 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件结构的实施例及其制造方法。半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上方的第一层。半导体器件结构还包括形成在第一层中的应力降低结构，并且应力降低结构围绕第一层的一部分。半导体器件结构还包括形成在由应力降低结构围绕的第一层的部分中的导电部件。本发明还提供了具有应力降低结构的互连装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN104253107A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410299912.3

申请日：2014-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖振群 ,  郭康民 ,  彭彦明 ,  郭国权 ,  杨汉威 ,  林怡瑞 ,  张晋嘉 ,  廖盈杰 ,  许哲嘉 ,  田博仁

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/306 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种具有金属熔丝的半导体器件。金属熔丝连接电部件(例如，晶体管)和现有的接地的伪部件。金属熔丝的保护可以设计为起始于金属化形成工艺的开始阶段。接地的伪部件在整个后段制程工艺期间为等离子体充电提供至地面的路径。金属熔丝是与二极管(电路级保护)相反的工艺级保护。作为工艺级保护，金属熔丝保护随后形成的电路。此外，不同于已经实施的内部伪图案，金属熔丝在芯片中不需要额外的有源区。本发明还提供了一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN104425567B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201410320227.4

申请日：2014-07-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖盈杰 ,  杨汉威 ,  赖振群 ,  郭康民 ,  田博仁

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/528 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/3171 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/564 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种具有提高的钝化完整性的半导体器件。该器件包括衬底、第一层和金属层。第一层形成在衬底上方。第一层包括通孔开口和邻近通孔开口的锥形部分。金属层形成在第一层的通孔开口和锥形部分上方。金属层基本没有间隙和空隙。本发明还提供了提高钝化完整性的方法。

公开(公告)号：CN104425567A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410320227.4

申请日：2014-07-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖盈杰 ,  杨汉威 ,  赖振群 ,  郭康民 ,  田博仁

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/528 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/3171 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/564 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种具有提高的钝化完整性的半导体器件。该器件包括衬底、第一层和金属层。第一层形成在衬底上方。第一层包括通孔开口和邻近通孔开口的锥形部分。金属层形成在第一层的通孔开口和锥形部分上方。金属层基本没有间隙和空隙。本发明还提供了提高钝化完整性的方法。