公开(公告)号：CN106887455B

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201610729667.4

申请日：2016-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 方琮闵 ,  王智麟 ,  郭康民

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括具有第一源极区域、第二源极区域、第一漏极区域、和第二漏极区域的衬底。半导体器件结构包括位于衬底上方并且介于第一源极区域和第一漏极区域之间的第一栅极结构。半导体器件结构包括位于衬底上方并且介于第二源极区域和第二漏极区域之间的第二栅极结构。第一栅极结构的第一厚度大于第二栅极结构的第二厚度。第一栅极结构的第一栅极宽度小于第二栅极结构的第二栅极宽度。本发明的实施例还提供了半导体器件结构的形成方法。

公开(公告)号：CN105742225A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510788330.6

申请日：2015-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 方琮闵 ,  郭康民 ,  吴细闵

IPC: H01L21/762

Abstract: 一种半导体结构包括半导体衬底、第一有源区、第二有源区、第一沟槽、至少一个凸起部分以及第一电介质。第一有源区位于半导体衬底中。第二有源区位于半导体衬底中。第一沟槽位于半导体衬底中并将第一有源区和第二有源区彼此分离。凸起部分从半导体衬底凸出并且设置在第一沟槽中。第一电介质位于第一沟槽中并且覆盖凸起部分。本发明还提供了用于形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN105742225B

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201510788330.6

申请日：2015-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 方琮闵 ,  郭康民 ,  吴细闵

IPC: H01L21/762

Abstract: 一种半导体结构包括半导体衬底、第一有源区、第二有源区、第一沟槽、至少一个凸起部分以及第一电介质。第一有源区位于半导体衬底中。第二有源区位于半导体衬底中。第一沟槽位于半导体衬底中并将第一有源区和第二有源区彼此分离。凸起部分从半导体衬底凸出并且设置在第一沟槽中。第一电介质位于第一沟槽中并且覆盖凸起部分。本发明还提供了用于形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN106887455A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201610729667.4

申请日：2016-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 方琮闵 ,  王智麟 ,  郭康民

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括具有第一源极区域、第二源极区域、第一漏极区域、和第二漏极区域的衬底。半导体器件结构包括位于衬底上方并且介于第一源极区域和第一漏极区域之间的第一栅极结构。半导体器件结构包括位于衬底上方并且介于第二源极区域和第二漏极区域之间的第二栅极结构。第一栅极结构的第一厚度大于第二栅极结构的第二厚度。第一栅极结构的第一栅极宽度小于第二栅极结构的第二栅极宽度。本发明的实施例还提供了半导体器件结构的形成方法。