公开(公告)号：CN104253107B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410299912.3

申请日：2014-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖振群 ,  郭康民 ,  彭彦明 ,  郭国权 ,  杨汉威 ,  林怡瑞 ,  张晋嘉 ,  廖盈杰 ,  许哲嘉 ,  田博仁

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/306 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种具有金属熔丝的半导体器件。金属熔丝连接电部件(例如，晶体管)和现有的接地的伪部件。金属熔丝的保护可以设计为起始于金属化形成工艺的开始阶段。接地的伪部件在整个后段制程工艺期间为等离子体充电提供至地面的路径。金属熔丝是与二极管(电路级保护)相反的工艺级保护。作为工艺级保护，金属熔丝保护随后形成的电路。此外，不同于已经实施的内部伪图案，金属熔丝在芯片中不需要额外的有源区。本发明还提供了一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN117878059A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311755990.5

申请日：2023-12-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄麒 ,  许哲嘉 ,  曹志彬 ,  黄至鸿

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了半导体结构及其制造方法。该方法包括：形成第一沟道结构和第二沟道结构，并形成附接至第一沟道结构的相对侧的第一类型的源极/漏极结构和附接至第二沟道结构的相对侧的第二类型的源极区/漏极结构。该方法还包括：形成具有覆盖第一沟道结构的第一部分和覆盖第二沟道结构的第二部分的第一栅极介电层，并将第一金属元素驱动到第一栅极介电层的第一部分中。该方法还包括：在第一栅极介电层的第一部分和第二部分上方形成盖层，并对盖层下方的第一栅极介电层执行退火工艺。

公开(公告)号：CN104253107A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410299912.3

申请日：2014-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖振群 ,  郭康民 ,  彭彦明 ,  郭国权 ,  杨汉威 ,  林怡瑞 ,  张晋嘉 ,  廖盈杰 ,  许哲嘉 ,  田博仁

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/306 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种具有金属熔丝的半导体器件。金属熔丝连接电部件(例如，晶体管)和现有的接地的伪部件。金属熔丝的保护可以设计为起始于金属化形成工艺的开始阶段。接地的伪部件在整个后段制程工艺期间为等离子体充电提供至地面的路径。金属熔丝是与二极管(电路级保护)相反的工艺级保护。作为工艺级保护，金属熔丝保护随后形成的电路。此外，不同于已经实施的内部伪图案，金属熔丝在芯片中不需要额外的有源区。本发明还提供了一种制造半导体器件的方法。