公开(公告)号：CN118866688A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410871815.0

申请日：2024-07-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄彦杰 ,  黄怀莹 ,  邱维刚 ,  施昱全 ,  吕俊颉 ,  林佑明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H10B51/30

Abstract: 本发明实施例可藉由以下方法来形成半导体装置结构：形成层堆叠，层堆叠包括连续底部电极材料层、连续介电层及连续介电金属氧化物层；藉由将氧原子并入至连续介电金属氧化物层的顶表面部分中来增大连续介电金属氧化物层的顶表面部分中的氧对金属比率；在连续介电金属氧化物层之上沉积连续半导体层；以及对连续半导体层及层堆叠进行图案化，以形成经图案化层堆叠，经图案化层堆叠包括底部电极、介电层、介电金属氧化物层及半导体层。

公开(公告)号：CN116583113A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310311611.7

申请日：2023-03-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李雅玲 ,  邱维刚 ,  黄彦杰 ,  蔡瀚霆 ,  林灿 ,  林佑明 ,  林仲德

IPC: H10B53/30

Abstract: 一种集成电路装置，包含以不含氯的前驱物所形成的铁电层。根据本公开，铁电层可形成为不含氯。邻近铁电层的结构亦以不含氯的前驱物来形成。邻近的结构中不含氯防止了氯扩散至铁电层之中，以及防止了在与铁电层的界面形成氯复合物。铁电层可用于存储装置中，诸如铁电场效晶体管。铁电层不含氯改善了依时性介电崩溃速率和偏压温度不稳定。

公开(公告)号：CN113571633A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202011267541.2

申请日：2020-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简瑞芬 ,  邱维刚 ,  林灿

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 本公开涉及磁性隧道结器件及方法。在实施例中，一种器件包括磁阻式随机存取存储器单元，该磁阻式随机存取存储器单元包括：底部电极；基准层，位于底部电极之上；隧道阻挡层，位于基准层之上，隧道阻挡层包括镁和氧的第一组合物；自由层，位于隧道阻挡层之上，自由层具有比基准层更小的矫顽力；帽盖层，位于自由层之上，帽盖层包括镁和氧的第二组合物，镁和氧的第二组合物具有比镁和氧的第一组合物更高的氧原子浓度和更小的镁原子浓度；以及顶部电极，位于帽盖层之上。

公开(公告)号：CN119947116A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411882042.2

申请日：2024-12-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄彦杰 ,  黄怀莹 ,  邱维刚 ,  李逸哲 ,  林佑明

IPC: H10B51/30 ,  H10B51/50

Abstract: 本发明提供一种多层氢阻挡堆叠可以被包括在半导体装置中的非挥发性内存结构和内连线结构中的导电结构之间。多层氢阻挡堆叠可以最小化和/或防止氢扩散到非挥发性内存结构的一层或多层中，例如非挥发性内存结构的金属氧化物通道。多层氢阻挡堆叠可以包括氢吸收层和位于氢吸收层上的氢阻隔层。氢阻隔层阻挡或阻止氢气经由导电结构扩散到非挥发性内存结构中。氢吸收层可以吸收可能扩散穿过氢阻隔层的任何氢原子。

公开(公告)号：CN113571633B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202011267541.2

申请日：2020-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简瑞芬 ,  邱维刚 ,  林灿

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 本公开涉及磁性隧道结器件及方法。在实施例中，一种器件包括磁阻式随机存取存储器单元，该磁阻式随机存取存储器单元包括：底部电极；基准层，位于底部电极之上；隧道阻挡层，位于基准层之上，隧道阻挡层包括镁和氧的第一组合物；自由层，位于隧道阻挡层之上，自由层具有比基准层更小的矫顽力；帽盖层，位于自由层之上，帽盖层包括镁和氧的第二组合物，镁和氧的第二组合物具有比镁和氧的第一组合物更高的氧原子浓度和更小的镁原子浓度；以及顶部电极，位于帽盖层之上。

公开(公告)号：CN115376995A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210712710.1

申请日：2022-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李雅玲 ,  邱维刚 ,  蔡明兴

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/22

Abstract: 本公开涉及一种将磁性穿隧接面连接至铜互连线的方法、一种磁阻式随机存取存储器的形成方法及一种半导体装置。一个或多个半导体加工工具可在铜互连线的上表面上及导通孔中沉积一个或多个氮化钽层。一个或多个半导体加工工具可在一个或多个氮化钽层的上表面上及导通孔中沉积粘着层。一个或多个半导体加工工具可在粘着层的上表面上及导通孔中沉积钨，以用于磁性穿隧接面到铜互连线的导通孔互连线。

公开(公告)号：CN115036363A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210353312.5

申请日：2022-04-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戴铭昆 ,  邱维刚 ,  张以澄 ,  吴正一 ,  蔡瀚霆 ,  林灿 ,  林仲德

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及包括氢扩散阻挡件的晶体管及其形成方法。一种薄膜晶体管包括：栅极电极，嵌入在衬底上面的绝缘层中；栅极电介质，在栅极电极上面；有源层，包括化合物半导体材料并且在栅极电介质上面；以及源极电极和漏极电极，与有源层的端部部分接触。栅极电介质可以在与绝缘层的界面之上具有较厚的部分，以抑制氢扩散通过。附加地或替代地，可以在有源层和有源层上面的电介质层之间插入包括电介质金属氧化物材料的钝化帽盖电介质，以抑制氢扩散通过。

公开(公告)号：CN114758988A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210112032.5

申请日：2022-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戴铭昆 ,  张以澄 ,  吴正一 ,  蔡瀚霆 ,  林灿 ,  林仲德 ,  邱维刚

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24

Abstract: 本公开实施例提出一种半导体结构。平坦绝缘间隔物层形成于基板上，而栅极、栅极介电层、与第一半导体金属氧化物层的垂直堆叠可形成其上。第一半导体金属氧化物层包括第一平均掺质浓度的第一n型掺质的原子。第二半导体金属氧化物层形成于第一半导体金属氧化物层上。第二半导体金属氧化物层的部分可掺杂第二n型掺质，以提供源极侧的n型掺杂区与漏极侧的n型掺杂区，其可包括第二平均掺质浓度的第二n型掺质的原子，且第二平均掺质浓度大于第一平均掺质浓度。可导入多种掺质以增进薄膜晶体管的效能。