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公开(公告)号：CN114975782A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210301217.0
申请日：2022-03-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L51/05
Abstract: 本公开提供薄膜晶体管、薄膜晶体管应力感测器、以及其形成方法。一种薄膜晶体管可包含非晶半导体通道层，有机材料压电应力栅极层，与非晶半导体通道层相邻形成，源极电极，耦接于有机材料压电应力栅极层，漏极电极，耦接于有机材料压电应力栅极层，以及栅极电极，耦接于有机材料压电应力栅极层。在一些实施例中，非晶半导体通道层为非晶氧化铟镓锌。在一些实施例中，有机材料压电应力栅极层可为有机聚偏二氟乙烯。在一些实施例中，非晶半导体通道层形成于可弯曲的基板之上。
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公开(公告)号：CN114759041A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210020770.7
申请日：2022-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/1159 , H01L27/11585
Abstract: 在一些实施例中，本发明实施例有关于集成芯片，集成芯片包含设置于基底上方的栅极电极以及设置于栅极电极上方的栅极介电层。栅极介电层包含铁电材料。主动结构设置于栅极介电层上方，且主动结构包含半导体材料。源极接点和漏极接点设置于主动结构上方。覆盖结构设置于主动结构上方及源极接点与漏极接点之间，其中覆盖结构包含第一金属材料。
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公开(公告)号：CN114759040A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210020745.9
申请日：2022-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11585 , H01L27/1159
Abstract: 在一些实施例中，本公开是关于一种集成芯片，包括设置在一基底的上方的一栅极电极。一栅极介电层设置于栅极电极的上方，且一主动结构设置在栅极介电层的上方。一源极接触件和一漏极接触件设置在主动结构的上方。主动结构包括由多个鸡尾酒层与多个第一主动层交替设置所形成的一堆叠。鸡尾酒层包括第一材料和第二材料的混合物。第一主动层包括不同于第一材料和第二材料的一第三材料。主动结构的一最底层是鸡尾酒层的其中一层。
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公开(公告)号：CN116583113A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310311611.7
申请日：2023-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B53/30
Abstract: 一种集成电路装置，包含以不含氯的前驱物所形成的铁电层。根据本公开，铁电层可形成为不含氯。邻近铁电层的结构亦以不含氯的前驱物来形成。邻近的结构中不含氯防止了氯扩散至铁电层之中，以及防止了在与铁电层的界面形成氯复合物。铁电层可用于存储装置中，诸如铁电场效晶体管。铁电层不含氯改善了依时性介电崩溃速率和偏压温度不稳定。
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公开(公告)号：CN114664946A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210204692.6
申请日：2022-03-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/11585
Abstract: 本揭露提供铁电存储器器件、铁电存储器器件的制造方法以及半导体芯片。铁电存储器器件包括栅极、铁电层、通道层、第一阻挡层、第二阻挡层与一对源极/漏极。铁电层设置于栅极的一侧。通道层经由铁电层而电容耦合至栅极。第一阻挡层与第二阻挡层设置于铁电层与通道层之间。第二阻挡层设置于第一阻挡层与通道层之间。第一阻挡层与第二阻挡层包括相同的材料，且第二阻挡层更掺杂有氮。一对源极/漏极设置于栅极的相对两侧，且电性连接至通道层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119653814A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411268585.5
申请日：2024-09-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例中，一种铁电随机存取内存(FeRAM)胞元可包括位于FeRAM胞元的源极/漏极区的电子障壁层与金属胶层之间的氧化物插入层。氧化物插入层可改善电子障壁层的热稳定性且使电子障壁层在高处理温度下的解离及/或向外扩散最小化或防止所述解离及/或向外扩散。因此，氧化物插入层可使得金属胶层能够以低表面粗糙度形成于电子障壁层之上，此可使得源极/漏极区的金属胶层与源极/漏极电极之间的黏合力能够增大。藉由此种方式，氧化物插入层可使得FeRAM胞元能够达成低电阻及/或可降低FeRAM胞元中出现故障的可能性等等。
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公开(公告)号：CN116234320A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310064685.5
申请日：2023-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开多种实施例直指一种集成芯片(IC)，包括下方栅极电极，设置于介电结构中。第一铁电结构覆盖下方栅极电极。第一浮动电极结构覆盖第一铁电结构。通道结构覆盖第一浮动电极结构。第二浮动电极结构覆盖通道结构。第二铁电结构覆盖第二浮动电极结构。上方栅极电极覆盖第二铁电结构。
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公开(公告)号：CN115732542A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210945688.5
申请日：2022-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H10B51/00
Abstract: 本公开提出一种场效晶体管装置。具有经过改善的铁电特性以及装置性能。所公开的FeFET装置包括铁电材料栅极介电层以及金属氧化物半导体体通道层，具有经过改善的铁电特性，例如增加的残留极化、低缺陷还有增加的载子迁移率，用以改善装置性能。
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公开(公告)号：CN115000172A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210278564.6
申请日：2022-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/786 , H01L21/34 , H01L27/1159
Abstract: 本公开涉及双栅极铁电场效应晶体管器件及其形成方法。具有双栅极结构的铁电场效应晶体管(FeFET)包括：第一栅极电极、第一栅极电极之上的第一铁电材料层、第一铁电材料层之上的半导体沟道层、与半导体沟道层接触的源极电极和漏极电极、半导体沟道层之上的第二铁电材料层、以及第二铁电材料层之上的第二栅极电极。
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公开(公告)号：CN114765176A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210026909.9
申请日：2022-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11502 , H01L27/11507
Abstract: 一种具有存储器结构的集成电路，其中存储器结构包括第一电极以及第一铁电结构。第一铁电结构与第一电极垂直堆叠。第一铁电结构包括第一铁电层、第二铁电层以及第一恢复层。第二铁电层覆盖于第一铁电层。第一恢复层位于第一铁电层以及第二铁电层之间，且与第一铁电层以及第二铁电层相紧邻。第一恢复层是与第一铁电层以及第二铁电层具有不同的材料类型。
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