公开(公告)号：CN109841563A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201810970566.5

申请日：2018-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 纪志坚 ,  魏孝宽 ,  苏鸿文 ,  李佩璇 ,  许馨云 ,  简瑞芬

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本文公开的实施例通常涉及覆盖工艺和由此形成的结构。在实施例中，形成在介电层中的导电部件具有金属表面，并且介电层具有介电表面。通过实施表面修改处理将介电表面修改为疏水的。在修改介电表面之后，通过实施选择性沉积工艺在金属表面上形成覆盖层。在另一实施例中，通过介电层暴露栅极结构的表面。通过实施选择性沉积工艺在栅极结构的表面上形成覆盖层。

公开(公告)号：CN113571633B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202011267541.2

申请日：2020-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简瑞芬 ,  邱维刚 ,  林灿

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 本公开涉及磁性隧道结器件及方法。在实施例中，一种器件包括磁阻式随机存取存储器单元，该磁阻式随机存取存储器单元包括：底部电极；基准层，位于底部电极之上；隧道阻挡层，位于基准层之上，隧道阻挡层包括镁和氧的第一组合物；自由层，位于隧道阻挡层之上，自由层具有比基准层更小的矫顽力；帽盖层，位于自由层之上，帽盖层包括镁和氧的第二组合物，镁和氧的第二组合物具有比镁和氧的第一组合物更高的氧原子浓度和更小的镁原子浓度；以及顶部电极，位于帽盖层之上。

公开(公告)号：CN109841563B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201810970566.5

申请日：2018-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 纪志坚 ,  魏孝宽 ,  苏鸿文 ,  李佩璇 ,  许馨云 ,  简瑞芬

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本文公开的实施例通常涉及覆盖工艺和由此形成的结构。在实施例中，形成在介电层中的导电部件具有金属表面，并且介电层具有介电表面。通过实施表面修改处理将介电表面修改为疏水的。在修改介电表面之后，通过实施选择性沉积工艺在金属表面上形成覆盖层。在另一实施例中，通过介电层暴露栅极结构的表面。通过实施选择性沉积工艺在栅极结构的表面上形成覆盖层。

公开(公告)号：CN113571633A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202011267541.2

申请日：2020-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简瑞芬 ,  邱维刚 ,  林灿

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 本公开涉及磁性隧道结器件及方法。在实施例中，一种器件包括磁阻式随机存取存储器单元，该磁阻式随机存取存储器单元包括：底部电极；基准层，位于底部电极之上；隧道阻挡层，位于基准层之上，隧道阻挡层包括镁和氧的第一组合物；自由层，位于隧道阻挡层之上，自由层具有比基准层更小的矫顽力；帽盖层，位于自由层之上，帽盖层包括镁和氧的第二组合物，镁和氧的第二组合物具有比镁和氧的第一组合物更高的氧原子浓度和更小的镁原子浓度；以及顶部电极，位于帽盖层之上。