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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118866688A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410871815.0
申请日：2024-07-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/51 , H10B51/30
Abstract: 本发明实施例可藉由以下方法来形成半导体装置结构：形成层堆叠，层堆叠包括连续底部电极材料层、连续介电层及连续介电金属氧化物层；藉由将氧原子并入至连续介电金属氧化物层的顶表面部分中来增大连续介电金属氧化物层的顶表面部分中的氧对金属比率；在连续介电金属氧化物层之上沉积连续半导体层；以及对连续半导体层及层堆叠进行图案化，以形成经图案化层堆叠，经图案化层堆叠包括底部电极、介电层、介电金属氧化物层及半导体层。
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公开(公告)号：CN119967855A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510087384.3
申请日：2025-01-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了氧化物半导体铁电场效应晶体管(OS‑FeFET)及其形成方法。本文公开的器件包括位于第一介电层中的电极、位于电极和第一介电层上方的铁电层、位于铁电层上方的高k介电层、位于高k介电层上方的氧化物半导体层、位于氧化物半导体层和高k介电层上方的第二介电层以及延伸穿过第二介电层以接触氧化物半导体层的第一接触部件和第二接触部件。本公开的实施例还涉及半导体器件、半导体器件结构及半导体器件的形成方法。
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公开(公告)号：CN220935482U
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202322407834.1
申请日：2023-09-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B51/30
Abstract: 本实用新型提供一种非易失性存储单元结构及反铁电存储阵列结构，包括反铁电层而非铁电层。反铁电层可基于程序化状态及擦除状态操作，其中反铁电层分别处于完全极化对准及非极化对准(随机极化状态)。此使得FeFET中的反铁电层能够相对于基于在两个相反的完全极化状态之间切换而操作的铁电材料层为FeFET的擦除操作(例如，其中FeFET自程序化状态切换或转换至擦除状态)提供更陡/更大的电压降。
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公开(公告)号：CN222869295U
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202421336772.8
申请日：2024-06-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型实施例涉及一种铁电场效晶体管(FeFET)装置及集成芯片，铁电场效晶体管装置包括：铁电结构，包括铁电层及反铁电层；栅极结构，沿着所述反铁电层的第一面设置，使得所述反铁电层将所述栅极结构与所述铁电层隔开；氧化物半导体，沿着所述铁电层的第一面设置，使得所述铁电层将所述氧化物半导体与所述反铁电层隔开；源极区及漏极区，设置于所述氧化物半导体上，其中所述栅极结构在所述源极区与所述漏极区之间在所述反铁电层上在侧向上延伸；以及夹层，将所述铁电层与所述反铁电层隔开。
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公开(公告)号：CN222776514U
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202421157447.5
申请日：2024-05-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型的实施例提供一种可在第一和第二状态之间选择性地切换的场效晶体管包括：源极和漏极区以及设置在其间的通道区；被布置为选择性地接收偏压的栅极，该偏压在第一和第二状态之间切换场效晶体管；在栅极和通道区之间的存储结构包括反铁电的第一部分和铁电的第二部分，当场效晶体管在第一状态时，两个部分沿第一方向被极化；以及设置成靠近存储结构的去极化介电层。当场效晶体管被设定为第一状态时，去极化介电层使存储结构的第二部分的极化不稳定，同时保持第一部分的极化。在存储结构中并入反铁电材料可抑制弱擦除问题，尤其在重复擦写期间达到良好控制的擦除状态。
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