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公开(公告)号：CN110660905A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910571607.8
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一些实施例中涉及存储器器件。该存储器器件包括磁阻随机存取存储器(MRAM)单元，MRAM单元包括磁隧道结(MTJ)。MTJ器件包括层的堆叠件，包括设置在衬底上方的底部电极。晶种层设置在底部电极上方。缓冲层设置在底部电极和晶种层之间。缓冲层防止扩散物质从底部电极扩散到晶种层。本发明的实施例还涉及半导体器件、MRAM器件和制造存储器器件的方法。
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公开(公告)号：CN110957421B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201910911400.0
申请日：2019-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一些实施例涉及一种存储器器件。存储器器件包括磁阻随机存取存储器(MRAM)单元，MRAM单元包括磁隧道结(MTJ)。MTJ器件包括层堆叠件，包括设置在衬底上方的底部电极。晶种层设置在底部电极上方。缓冲层设置在底部电极和晶种层之间。缓冲层防止扩散物质从底部电极扩散到晶种层。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN111105824B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201911033480.0
申请日：2019-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种磁性存储器包括：设置在衬底上方的第一自旋轨道转移‑自旋扭矩转移(SOT‑STT)混合磁性器件、设置在衬底上方的第二SOT‑STT混合磁性器件以及连接至第一和第二SOT‑STT混合磁性器件的SOT导电层。第一SOT‑STT混合磁性器件和第二SOT‑STT混合磁性器件中的每个包括：第一磁性层，作为磁性自由层；间隔件层，设置在第一磁性层下方；以及第二磁性层，作为磁性参考层，设置在间隔件层下方。SOT导电层设置在第一SOT‑STT混合磁性器件和第二SOT‑STT混合磁性器件中的每个的第一磁性层上方。本发明的实施例还涉及磁性存储器的制造方法。
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公开(公告)号：CN116583113A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310311611.7
申请日：2023-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B53/30
Abstract: 一种集成电路装置，包含以不含氯的前驱物所形成的铁电层。根据本公开，铁电层可形成为不含氯。邻近铁电层的结构亦以不含氯的前驱物来形成。邻近的结构中不含氯防止了氯扩散至铁电层之中，以及防止了在与铁电层的界面形成氯复合物。铁电层可用于存储装置中，诸如铁电场效晶体管。铁电层不含氯改善了依时性介电崩溃速率和偏压温度不稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113571633A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202011267541.2
申请日：2020-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及磁性隧道结器件及方法。在实施例中，一种器件包括磁阻式随机存取存储器单元，该磁阻式随机存取存储器单元包括：底部电极；基准层，位于底部电极之上；隧道阻挡层，位于基准层之上，隧道阻挡层包括镁和氧的第一组合物；自由层，位于隧道阻挡层之上，自由层具有比基准层更小的矫顽力；帽盖层，位于自由层之上，帽盖层包括镁和氧的第二组合物，镁和氧的第二组合物具有比镁和氧的第一组合物更高的氧原子浓度和更小的镁原子浓度；以及顶部电极，位于帽盖层之上。
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公开(公告)号：CN110957421A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910911400.0
申请日：2019-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一些实施例涉及一种存储器器件。存储器器件包括磁阻随机存取存储器(MRAM)单元，MRAM单元包括磁隧道结(MTJ)。MTJ器件包括层堆叠件，包括设置在衬底上方的底部电极。晶种层设置在底部电极上方。缓冲层设置在底部电极和晶种层之间。缓冲层防止扩散物质从底部电极扩散到晶种层。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN113571633B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202011267541.2
申请日：2020-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及磁性隧道结器件及方法。在实施例中，一种器件包括磁阻式随机存取存储器单元，该磁阻式随机存取存储器单元包括：底部电极；基准层，位于底部电极之上；隧道阻挡层，位于基准层之上，隧道阻挡层包括镁和氧的第一组合物；自由层，位于隧道阻挡层之上，自由层具有比基准层更小的矫顽力；帽盖层，位于自由层之上，帽盖层包括镁和氧的第二组合物，镁和氧的第二组合物具有比镁和氧的第一组合物更高的氧原子浓度和更小的镁原子浓度；以及顶部电极，位于帽盖层之上。
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公开(公告)号：CN110660905B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN201910571607.8
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一些实施例中涉及存储器器件。该存储器器件包括磁阻随机存取存储器(MRAM)单元，MRAM单元包括磁隧道结(MTJ)。MTJ器件包括层的堆叠件，包括设置在衬底上方的底部电极。晶种层设置在底部电极上方。缓冲层设置在底部电极和晶种层之间。缓冲层防止扩散物质从底部电极扩散到晶种层。本发明的实施例还涉及半导体器件、MRAM器件和制造存储器器件的方法。
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