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公开(公告)号：CN114882926A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210087397.7
申请日：2022-01-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种编程存储器的方法，包含在第一时间周期将写入信号的电流位阶设定为不为零的第一数值。在第一时间周期提供写入信号至存储器元件。在第二时间周期将写入信号的电流位阶从不为零的第一数值调整至不为零的第二数值，不为零的第二数值不同于不为零的第一数值。在第二时间周期提供写入信号至存储器元件。在第三时间周期将写入信号的电流位阶从不为零的第二数值调整至第三数值，第三数值不同于不为零的第一数值且不同于不为零的第二数值。在第三时间周期提供写入信号至存储器元件。
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公开(公告)号：CN115565901A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210916087.1
申请日：2022-08-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种半导体装置检查方法，包括：在基底上方沉积介电材料以形成内连线级介电层；将内连线级介电层图案化以在内连线级介电层中形成多个通孔结构；在内连线级介电层上和通孔结构中形成检查层；对检查层成像以产生图像数据；以及通过分析图像数据来判定通孔结构中是否存在任何缺陷。
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公开(公告)号：CN115020262A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210055976.3
申请日：2022-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 通过在集成电路制造工艺顺序的中间对衬底施加扫描探针显微镜检查，可以避免成本并且提高良率。扫描探针显微镜可以用于提供电导率数据。电导率数据可能与通常在器件制造结束之前不可用的器件特性有关。可以选择性地处理衬底，以改善数据显示的状况。可以基于数据选择性地丢弃一些衬底，以避免进一步处理的费用。可以基于该数据选择性地实施工艺维护操作。本发明的实施例还涉及集成电路器件制造系统及其中使用的方法。
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公开(公告)号：CN119947116A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411882042.2
申请日：2024-12-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种多层氢阻挡堆叠可以被包括在半导体装置中的非挥发性内存结构和内连线结构中的导电结构之间。多层氢阻挡堆叠可以最小化和/或防止氢扩散到非挥发性内存结构的一层或多层中，例如非挥发性内存结构的金属氧化物通道。多层氢阻挡堆叠可以包括氢吸收层和位于氢吸收层上的氢阻隔层。氢阻隔层阻挡或阻止氢气经由导电结构扩散到非挥发性内存结构中。氢吸收层可以吸收可能扩散穿过氢阻隔层的任何氢原子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114823618A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110898142.4
申请日：2021-08-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 通过使来自第一金属结构的金属材料迁移到第一金属结构上方的介电层中的开口中，在诸如金属线的第一金属结构上方形成诸如金属插塞的第二金属结构。金属材料，可以是铜，是一种随着氧化而密度降低的类型。使用交替氧化和还原金属材料的气体诱导迁移。经过多次循环，金属材料迁移到开口中。在一些实施例中，迁移的金属材料部分地填充开口。在一些实施例中，迁移的金属材料完全填充开口。根据本发明的一个实施例，提供了一种形成集成器件的方法，包括接收具有位于介电层正下方的金属结构的衬底；在介电层中形成开口以暴露金属结构；以及提供诱导金属材料从金属结构迁移到开口中的气体。根据本发明的又一个实施例，提供了一种集成器件。
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公开(公告)号：CN119653814A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411268585.5
申请日：2024-09-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例中，一种铁电随机存取内存(FeRAM)胞元可包括位于FeRAM胞元的源极/漏极区的电子障壁层与金属胶层之间的氧化物插入层。氧化物插入层可改善电子障壁层的热稳定性且使电子障壁层在高处理温度下的解离及/或向外扩散最小化或防止所述解离及/或向外扩散。因此，氧化物插入层可使得金属胶层能够以低表面粗糙度形成于电子障壁层之上，此可使得源极/漏极区的金属胶层与源极/漏极电极之间的黏合力能够增大。藉由此种方式，氧化物插入层可使得FeRAM胞元能够达成低电阻及/或可降低FeRAM胞元中出现故障的可能性等等。
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公开(公告)号：CN113192856B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202110250974.5
申请日：2021-03-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明的各种实施例针对一种单元蚀刻再沉积物的非破坏性检查的方法。在该方法的一些实施例中，捕获晶圆上的多个单元的灰度图像。灰度图像提供单元的俯视图，并且在一些实施例中，在蚀刻之后被原位捕获以形成单元。在灰度图像中识别单元，以确定对应于单元的非感兴趣区(non‑ROI)像素。从灰度图像减去非ROI像素，以确定ROI像素。ROI像素是减去之后的剩余像素，并且对应于单元的侧壁上和单元之间的凹槽中的材料。然后基于ROI像素的灰度级而对侧壁上和凹槽中的蚀刻再沉积物的量进行评分。此外，基于得分而处理晶圆。本发明的实施例还涉及单元蚀刻再沉积物的非破坏性检查的系统。
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公开(公告)号：CN113192856A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110250974.5
申请日：2021-03-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明的各种实施例针对一种单元蚀刻再沉积物的非破坏性检查的方法。在该方法的一些实施例中，捕获晶圆上的多个单元的灰度图像。灰度图像提供单元的俯视图，并且在一些实施例中，在蚀刻之后被原位捕获以形成单元。在灰度图像中识别单元，以确定对应于单元的非感兴趣区(non‑ROI)像素。从灰度图像减去非ROI像素，以确定ROI像素。ROI像素是减去之后的剩余像素，并且对应于单元的侧壁上和单元之间的凹槽中的材料。然后基于ROI像素的灰度级而对侧壁上和凹槽中的蚀刻再沉积物的量进行评分。此外，基于得分而处理晶圆。本发明的实施例还涉及单元蚀刻再沉积物的非破坏性检查的系统。
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公开(公告)号：CN222928729U
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202421260652.4
申请日：2024-06-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种铁电随机存取记忆体装置，包括电晶体，所述电晶体包括：闸极电极；铁电层，位于所述闸极电极之上；通道层，位于所述铁电层之上；顶盖层，位于所述通道层之上，其中所述顶盖层包含以下中的一或多者：CeOx、BeOx、InOx、GaOx、AlOx、SnOx、VOx、WOx、TiOx、ZrOx、NbOx、HfOx、SiOx、TaOx、基于前述金属氧化物的任意组合的二元金属氧化物、或者基于前述金属氧化物的任意组合的三元金属氧化物；介电层，位于所述顶盖层之上；以及源极及汲极，接触所述顶盖层、所述通道层或所述铁电层中的一或多者。
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