公开(公告)号：CN119653814A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411268585.5

申请日：2024-09-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李雅玲 ,  张以澄 ,  黄彦杰 ,  李逸哲

IPC: H10D30/60 ,  H10D30/01 ,  H10B51/30

Abstract: 本发明实施例中，一种铁电随机存取内存(FeRAM)胞元可包括位于FeRAM胞元的源极/漏极区的电子障壁层与金属胶层之间的氧化物插入层。氧化物插入层可改善电子障壁层的热稳定性且使电子障壁层在高处理温度下的解离及/或向外扩散最小化或防止所述解离及/或向外扩散。因此，氧化物插入层可使得金属胶层能够以低表面粗糙度形成于电子障壁层之上，此可使得源极/漏极区的金属胶层与源极/漏极电极之间的黏合力能够增大。藉由此种方式，氧化物插入层可使得FeRAM胞元能够达成低电阻及/或可降低FeRAM胞元中出现故障的可能性等等。

公开(公告)号：CN115036363A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210353312.5

申请日：2022-04-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戴铭昆 ,  邱维刚 ,  张以澄 ,  吴正一 ,  蔡瀚霆 ,  林灿 ,  林仲德

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及包括氢扩散阻挡件的晶体管及其形成方法。一种薄膜晶体管包括：栅极电极，嵌入在衬底上面的绝缘层中；栅极电介质，在栅极电极上面；有源层，包括化合物半导体材料并且在栅极电介质上面；以及源极电极和漏极电极，与有源层的端部部分接触。栅极电介质可以在与绝缘层的界面之上具有较厚的部分，以抑制氢扩散通过。附加地或替代地，可以在有源层和有源层上面的电介质层之间插入包括电介质金属氧化物材料的钝化帽盖电介质，以抑制氢扩散通过。

公开(公告)号：CN114758988A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210112032.5

申请日：2022-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戴铭昆 ,  张以澄 ,  吴正一 ,  蔡瀚霆 ,  林灿 ,  林仲德 ,  邱维刚

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24

Abstract: 本公开实施例提出一种半导体结构。平坦绝缘间隔物层形成于基板上，而栅极、栅极介电层、与第一半导体金属氧化物层的垂直堆叠可形成其上。第一半导体金属氧化物层包括第一平均掺质浓度的第一n型掺质的原子。第二半导体金属氧化物层形成于第一半导体金属氧化物层上。第二半导体金属氧化物层的部分可掺杂第二n型掺质，以提供源极侧的n型掺杂区与漏极侧的n型掺杂区，其可包括第二平均掺质浓度的第二n型掺质的原子，且第二平均掺质浓度大于第一平均掺质浓度。可导入多种掺质以增进薄膜晶体管的效能。