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公开(公告)号：CN103872012A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310087533.3
申请日：2013-03-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/48 , H01L25/16 , H01Q1/22
CPC classification number: H01Q1/2283 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L23/3121 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/5226 , H01L23/66 , H01L24/02 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2223/6677 , H01L2224/02379 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/73267 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01Q1/36 , H01Q9/0407 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种天线装置，包括具有多个有源电路的半导体管芯；形成在半导体管芯上方的模塑料层，其中半导体管芯和模塑料层形成扇出封装件；形成在模塑料层上方且在半导体管芯的第一侧上的第一介电层；形成在第一介电层中的第一再分配层；以及形成在半导体管芯上方并且通过第一再分配层连接至多个有源电路的天线结构。本发明还公开了一种形成天线装置的方法。
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公开(公告)号：CN103872012B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201310087533.3
申请日：2013-03-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/48 , H01L25/16 , H01Q1/22
CPC classification number: H01Q1/2283 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L23/3121 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/5226 , H01L23/66 , H01L24/02 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2223/6677 , H01L2224/02379 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/73267 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01Q1/36 , H01Q9/0407 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种天线装置，包括具有多个有源电路的半导体管芯；形成在半导体管芯上方的模塑料层，其中半导体管芯和模塑料层形成扇出封装件；形成在模塑料层上方且在半导体管芯的第一侧上的第一介电层；形成在第一介电层中的第一再分配层；以及形成在半导体管芯上方并且通过第一再分配层连接至多个有源电路的天线结构。本发明还公开了一种形成天线装置的方法。
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公开(公告)号：CN103915421A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310084632.6
申请日：2013-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/563 , H01L23/3185 , H01L25/0652 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/48227 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105
Abstract: 本文公开了用于封装件或者堆叠封装(PoP)器件的方法和装置。一种IC封装件或者PoP器件可以包括连接管芯和去耦电容器的电气通路，其中该电气通路可以具有约8μm至约44μm范围内的宽度和约10μm至约650μm范围内的长度。去耦电容器和管芯可以包含同一封装件中或者位于PoP器件内的不同封装件中，并且通过接触焊盘、再分配层(RDL)和连接件来连接。
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公开(公告)号：CN108962876A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810603222.0
申请日：2013-05-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L25/03 , H01L25/10 , H01L25/16 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/683 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/76885 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68372 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/73267 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2224/82 , H01L2224/81 , H01L2924/00
Abstract: POP结构及其形成方法。一种器件包括与底部封装件接合的顶部封装件。底部封装件包括模塑材料；在模塑材料中模制的器件管芯；穿透模塑材料的组件通孔(TAV)；以及位于器件管芯上方的再分配线。顶部封装件包括封装在其中的分立无源器件。分立无源器件与再分配线电连接。
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公开(公告)号：CN104037157A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310226499.3
申请日：2013-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01P1/2007 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/64 , H01L23/66 , H01L2924/0002 , H03H7/0138 , H03H2001/0092 , Y10T29/49117 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了用于集成电路的扼流器以及用于选择性过滤一个或多个RF频率带宽内的RF信号的一种或多种技术及系统。具体地，提供了被配置为选择性过滤这种RF信号的诸如3D RF扼流器或半集总RF扼流器的RF扼流器。RF扼流器包括被配置为RF扼流器的电感元件的金属连线。在一个实例中，诸如金属开路枝节的一条或多条金属线被形成为RF扼流器的电容元件。在另一个实例中，一个或多个通孔被形成为RF扼流器的电容元件。以这种方式，RF扼流器允许DC电源信号通过金属连线而阻止一个或多个RF频带内的RF信号通过金属连线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103915421B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201310084632.6
申请日：2013-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/563 , H01L23/3185 , H01L25/0652 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/48227 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105
Abstract: 本文公开了用于封装件或者堆叠封装(PoP)器件的方法和装置。一种IC封装件或者PoP器件可以包括连接管芯和去耦电容器的电气通路，其中该电气通路可以具有约8μm至约44μm范围内的宽度和约10μm至约650μm范围内的长度。去耦电容器和管芯可以包含同一封装件中或者位于PoP器件内的不同封装件中，并且通过接触焊盘、再分配层(RDL)和连接件来连接。
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公开(公告)号：CN103855458B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201310080407.5
申请日：2013-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01Q9/0407 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2223/6677 , H01L2224/12105 , H01L2224/8203 , H01L2224/9222 , H01L2924/18162 , H01Q1/38
Abstract: 一种器件包括贴片天线，该贴片天线包括馈线和位于馈线上方的接地板。接地板具有位于其中的孔。低k介电模块位于孔的上方并且与孔对准。贴片位于低k介电模块的上方。本发明还提供了在天线中嵌入低K材料。
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公开(公告)号：CN103855458A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310080407.5
申请日：2013-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01Q9/0407 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2223/6677 , H01L2224/12105 , H01L2224/8203 , H01L2224/9222 , H01L2924/18162 , H01Q1/38
Abstract: 一种器件包括贴片天线，该贴片天线包括馈线和位于馈线上方的接地板。接地板具有位于其中的孔。低k介电模块位于孔的上方并且与孔对准。贴片位于低k介电模块的上方。本发明还提供了在天线中嵌入低K材料。
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公开(公告)号：CN108962876B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201810603222.0
申请日：2013-05-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L25/03 , H01L25/10 , H01L25/16 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/683 , H01L21/56
Abstract: POP结构及其形成方法。一种器件包括与底部封装件接合的顶部封装件。底部封装件包括模塑材料；在模塑材料中模制的器件管芯；穿透模塑材料的组件通孔(TAV)；以及位于器件管芯上方的再分配线。顶部封装件包括封装在其中的分立无源器件。分立无源器件与再分配线电连接。
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公开(公告)号：CN104037157B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201310226499.3
申请日：2013-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01P1/2007 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/64 , H01L23/66 , H01L2924/0002 , H03H7/0138 , H03H2001/0092 , Y10T29/49117 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了用于集成电路的扼流器以及用于选择性过滤一个或多个RF频率带宽内的RF信号的一种或多种技术及系统。具体地，提供了被配置为选择性过滤这种RF信号的诸如3D RF扼流器或半集总RF扼流器的RF扼流器。RF扼流器包括被配置为RF扼流器的电感元件的金属连线。在一个实例中，诸如金属开路枝节的一条或多条金属线被形成为RF扼流器的电容元件。在另一个实例中，一个或多个通孔被形成为RF扼流器的电容元件。以这种方式，RF扼流器允许DC电源信号通过金属连线而阻止一个或多个RF频带内的RF信号通过金属连线。
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