公开(公告)号：CN109326556B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN201810834870.7

申请日：2018-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘尹捷 ,  彭羽筠

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 半导体器件和制造方法包括形成无沟道多孔低k材料。可以使用硅骨架前体和烃前体形成材料以形成基质材料。然后可以固化材料以去除致孔剂并且有助于使材料内的沟道塌陷。由此，该材料可以形成为具有小于或等于约1.8的比例因子。

公开(公告)号：CN112509972A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202010973977.7

申请日：2020-09-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜甫庭 ,  陈婷婷 ,  彭羽筠 ,  林耕竹

IPC: H01L21/762

Abstract: 根据本公开实施例的一些实施例，一种半导体结构的形成方法，包含：提供工件，其包含开口与顶表面；沉积介电材料于工件上且进入开口中，以形成第一介电材料层，且第一介电材料层具有于顶表面上的顶部与于开口中的插塞部(plug portion)；处理(treating)第一介电层以将顶部转换成第二介电层，其中第二介电层不同于第一介电层；以及选择性移除第二介电层。

公开(公告)号：CN110660640A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910565992.5

申请日：2019-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭羽筠

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/513

Abstract: 此处提供介电材料组成与相关方法。一种半导体结构的形成方法，方法包括图案化基板以形成第一结构、与第一结构相邻的第二结构、以及位于第一结构与第二结构之间的沟槽。方法亦包括沉积介电材料于第一结构上与沟槽中。在一些实施例中，沉积介电材料的步骤包括：使第一前驱物、第二前驱物、与反应气体流入工艺腔室。此外，在使第一前驱物、第二前驱物、与反应气体流入工艺腔室时，形成等离子体于工艺腔室中以沉积介电材料。

公开(公告)号：CN109755173A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811181745.7

申请日：2018-10-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭羽筠

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了一种形成氧化硅层及半导体结构的方法。所述形成氧化硅层的方法包括以下步骤。提供含硅前体、含氧前体以及氧自由基，以形成含有水的氧化硅层。对所述氧化硅层执行热工艺以使所述水扩散入所述氧化硅层中并利用所述水作为氧化剂来氧化所述氧化硅层。

公开(公告)号：CN115566009A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210947781.X

申请日：2022-08-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱德洋 ,  颜甫庭 ,  彭羽筠 ,  林耕竹

IPC: H01L25/07

Abstract: 本公开提出一种半导体结构。半导体结构包括具有含碳的第一储存层的第一晶片、具有含碳的第二储存层的第二晶片以及介于第一晶片和第二晶片之间且与第一储存层和第二储存层接触的结合层。

公开(公告)号：CN114823518A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210087912.1

申请日：2022-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德 ,  陈科夆 ,  梁正庸 ,  王振翰 ,  邱德洋 ,  彭羽筠 ,  林耕竹

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本发明实施例说明形成低热预算的介电层于半导体装置中的方法。方法包括形成第一鳍状结构与第二鳍状结构于基板上，且第一鳍状结构与第二鳍状结构之间具有开口；将可流动的隔离材料填入开口；以等离子体处理可流动的隔离材料；以及移除第一鳍状结构与第二鳍状结构之间的等离子体处理的可流动的隔离材料。

公开(公告)号：CN110600421B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN201811608154.3

申请日：2018-12-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭羽筠

IPC: H01L21/762 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 通常，提供关于用介电材料填充间隙的实例，例如填充用于浅沟槽隔离(STI)的鳍之间的沟槽。在一个实施例中，使用原子层沉积(ALD)工艺将第一介电材料共形地沉积在沟槽中。在共形地沉积第一介电材料之后，第一介电材料被转换为第二介电材料。在进一步的实例中，第一介电材料可以共形地沉积在另一个沟槽中，并且填充介电材料可以流入其他沟槽中并被转换。本发明实施例涉及介电间隙填充。

公开(公告)号：CN114121949A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110935747.6

申请日：2021-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德 ,  彭羽筠 ,  林耕竹

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开提出一种半导体结构。用以制造位于纳米结构晶体管中的源极/漏极外延结构与金属栅极结构之间的间隔物结构的方法。此方法包括形成具有交替排列的第一及第二纳米结构元件的鳍片结构于基板上。此方法亦包括蚀刻鳍片结构中的第一鳍片结构的边缘部分以形成间隔物凹腔，并在鳍片结构上沉积间隔物层以填充间隔物凹腔。使用微波产生的等离子体处理间隔物层，以在位于间隔物凹腔之外的间隔物层中形成氧浓度梯度，并通过蚀刻工艺移除间隔物层的经过处理的部分。在蚀刻工艺期间，蚀刻工艺对间隔物层的经过处理的部分的移除速率是基于在氧浓度梯度内的氧浓度。

公开(公告)号：CN109326556A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201810834870.7

申请日：2018-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘尹捷 ,  彭羽筠

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 半导体器件和制造方法包括形成无沟道多孔低k材料。可以使用硅骨架前体和烃前体形成材料以形成基质材料。然后可以固化材料以去除致孔剂并且有助于使材料内的沟道塌陷。由此，该材料可以形成为具有小于或等于约1.8的比例因子。

公开(公告)号：CN103367310B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210258769.4

申请日：2012-07-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 施伯铮 ,  彭羽筠 ,  周家政 ,  刘中伟

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了互连结构及其形成方法。互连结构包括形成在介电层中的导电层。粘着层形成在介电层和衬底之间。粘着层的碳含量比大于介电层的碳含量比。