公开(公告)号：CN114823518A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210087912.1

申请日：2022-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德 ,  陈科夆 ,  梁正庸 ,  王振翰 ,  邱德洋 ,  彭羽筠 ,  林耕竹

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本发明实施例说明形成低热预算的介电层于半导体装置中的方法。方法包括形成第一鳍状结构与第二鳍状结构于基板上，且第一鳍状结构与第二鳍状结构之间具有开口；将可流动的隔离材料填入开口；以等离子体处理可流动的隔离材料；以及移除第一鳍状结构与第二鳍状结构之间的等离子体处理的可流动的隔离材料。

公开(公告)号：CN115346921A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202210678089.1

申请日：2022-06-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德 ,  彭羽筠 ,  陈科夆 ,  林耕竹

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明提出一种半导体结构。半导体结构可包括基板；第一接点结构与第二接点结构，彼此相邻并位于基板上；以及第一介电层与第二介电层，分别形成于第一接点结构与第二接点结构上。第一介电层的顶部可包括第一介电材料。第一介电层的底部可包括第二介电材料，且第二介电材料与第一介电材料不同。第二介电层可包括第三介电材料，且第三介电材料与第一介电材料不同。

公开(公告)号：CN114220812A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202110856079.8

申请日：2021-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德 ,  马哈维 ,  张惠政 ,  陈科夆 ,  林耕竹

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提出一种半导体结构。制作隔离结构于堆叠的晶体管结构的源极/漏极外延结构之间的隔离结构的方法。方法包括沉积无氧介电材料于第一外延结构上的开口中，其中无氧介电材料覆盖第一外延结构的上表面与开口的侧壁表面。方法亦包括暴露无氧介电材料至氧化工艺以氧化无氧介电材料，其中氧化工艺不氧化第一外延结构上的无氧介电材料的一部分。此外，蚀刻氧化的无氧介电材料，并形成第二外延层于蚀刻步骤未移除的无氧介电材料上，以实质上填入开口。