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公开(公告)号：CN113805426A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110312358.8
申请日：2021-03-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/24
Abstract: 根据本发明的光刻掩模组件随附光刻掩模。该光刻掩模包括在衬底上方的覆盖层和设置在覆盖层上方的吸收层。该吸收层包括第一主部件区域、第二主部件区域，以及设置在第一主部件区域与第二主部件区域之间的通风部件区域。该通风部件区域包括多个通风部件。本申请的实施例还涉及制造光刻掩模组件的方法。
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公开(公告)号：CN107038697A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610815887.9
申请日：2016-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06T7/00
Abstract: 本发明的实施例提供了用于诊断半导体晶圆的方法和系统。根据半导体晶圆中的特定布局的图形数据系统(GDS)信息获得目标图像，其中，目标图像包括具有与特定布局对应的第一图案的第一外形。根据第一外形，执行基于图像的对准以从半导体晶圆采集原始图像。通过测量原始图像来分析半导体晶圆，从而提供诊断结果。
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公开(公告)号：CN113805426B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202110312358.8
申请日：2021-03-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/24
Abstract: 根据本发明的光刻掩模组件随附光刻掩模。该光刻掩模包括在衬底上方的覆盖层和设置在覆盖层上方的吸收层。该吸收层包括第一主部件区域、第二主部件区域，以及设置在第一主部件区域与第二主部件区域之间的通风部件区域。该通风部件区域包括多个通风部件。本申请的实施例还涉及制造光刻掩模组件的方法。
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公开(公告)号：CN107038697B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201610815887.9
申请日：2016-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06T7/00
Abstract: 本发明的实施例提供了用于诊断半导体晶圆的方法和系统。根据半导体晶圆中的特定布局的图形数据系统(GDS)信息获得目标图像，其中，目标图像包括具有与特定布局对应的第一图案的第一外形。根据第一外形，执行基于图像的对准以从半导体晶圆采集原始图像。通过测量原始图像来分析半导体晶圆，从而提供诊断结果。
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