公开(公告)号：CN106206437A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510267172.X

申请日：2015-05-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴明园 ,  林彦伯 ,  吕侑珊 ,  许哲源

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明公开了FinFET接触结构及其形成方法。一种器件包括：衬底，包括通过隔离区域分离的第一部分和第二部分；第一栅极结构，位于第一部分上方；第一漏极/源极区域和第二漏极/源极区域，位于第一部分中并位于第一栅极结构的相对侧，其中，第一漏极/源极区域和第二漏极/源极区域具有凹面；第二栅极结构，位于第二部分上；以及第三漏极/源极区域和第四漏极/源极区域，位于第二部分中且位于第二栅极结构的相对侧，其中，第三漏极/源极区域和第四漏极/源极区域具有凹面。

公开(公告)号：CN101789368B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200910169144.9

申请日：2009-09-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶炅翰 ,  徐振斌 ,  吴明园 ,  郑光茗 ,  庄学理

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42376 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28105 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制造方法，该方法包括提供含有伪栅极结构形成于其上的基底，移除伪栅极结构形成沟槽，形成第一金属层在基底之上，填充沟槽的一部分，形成保护层在沟槽剩余的部分内，移除第一金属层未受到保护的部分，从沟槽内移除保护层，以及形成第二金属层在基底之上以填充沟槽。本发明可实施后栅极工艺形成金属栅极结构，将沟槽开口处(例如顶部开口)的金属膜的突出物移除而减少。因此，后续沉积的填充金属层可以轻易地完全填充在沟槽内，形成金属栅极结构。因此，即使元件尺寸持续缩减至先进技术世代(例如45nm或以下)，仍可以降低和/或消除在金属栅极结构内形成空隙的风险。

公开(公告)号：CN101789368A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200910169144.9

申请日：2009-09-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶炅翰 ,  徐振斌 ,  吴明园 ,  郑光茗 ,  庄学理

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42376 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28105 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制造方法，该方法包括提供含有伪栅极结构形成于其上的基底，移除伪栅极结构形成沟槽，形成第一金属层在基底之上，填充沟槽的一部分，形成保护层在沟槽剩余的部分内，移除第一金属层未受到保护的部分，从沟槽内移除保护层，以及形成第二金属层在基底之上以填充沟槽。本发明可实施后栅极工艺形成金属栅极结构，将沟槽开口处(例如顶部开口)的金属膜的突出物移除而减少。因此，后续沉积的填充金属层可以轻易地完全填充在沟槽内，形成金属栅极结构。因此，即使元件尺寸持续缩减至先进技术世代(例如45nm或以下)，仍可以降低和/或消除在金属栅极结构内形成空隙的风险。

公开(公告)号：CN114864697A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210619185.9

申请日：2017-09-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 冯家馨 ,  谢振宇 ,  许哲源 ,  吴明园 ,  郑旭傑

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/66 ,  H01L21/336

Abstract: 一种制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置。制造鳍式场效晶体管的方法包含在基板上形成鳍式结构，形成包覆鳍式结构的虚设栅极结构，在形成该虚设栅极结构之后，在鳍式结构上方沉积层间介电(ILD)层，移除虚设栅极结构以暴露鳍式结构的一部分，当量测的鳍式结构的宽度超过预定阈值宽度值时，对经暴露的鳍式结构的该部分执行蚀刻制程，以减小鳍式结构的该部分的宽度。

公开(公告)号：CN113284803A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202011441615.X

申请日：2020-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲纶 ,  郑孝信 ,  蔡济印 ,  蔡育霖 ,  黄歆杰 ,  吴明园 ,  郭俊铭 ,  黄明杰 ,  王育文 ,  许哲源

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02

Abstract: 一种方法包括：在衬底的顶部上形成掺杂区域；在衬底上方形成第一外延层；在第一外延层中形成凹槽，该凹槽与掺杂区域对准；在凹槽中执行表面清洁处理，表面清洁处理包括：氧化凹槽的表面以在凹槽中形成氧化物层；以及从凹槽的表面去除氧化物层；以及在凹槽中形成第二外延层。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN112201627A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN202011008140.5

申请日：2015-05-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴明园 ,  林彦伯 ,  吕侑珊 ,  许哲源

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明公开了FinFET接触结构及其形成方法。一种器件包括：衬底，包括通过隔离区域分离的第一部分和第二部分；第一栅极结构，位于第一部分上方；第一漏极/源极区域和第二漏极/源极区域，位于第一部分中并位于第一栅极结构的相对侧，其中，第一漏极/源极区域和第二漏极/源极区域具有凹面；第二栅极结构，位于第二部分上；以及第三漏极/源极区域和第四漏极/源极区域，位于第二部分中且位于第二栅极结构的相对侧，其中，第三漏极/源极区域和第四漏极/源极区域具有凹面。

公开(公告)号：CN101661936B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN200910170465.0

申请日：2009-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶炅翰 ,  吴明园 ,  郑光茗 ,  庄学理 ,  梁孟松

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66606 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823871

Abstract: 本发明提供一半导体装置及其制造方法，该装置包含一形成在基材上的晶体管，此晶体管具有一栅极堆叠，其包含形成在基材上的一金属栅极、一高介电常数介电质及一双重第一接触结构。该双重第一接触结构包括一第一接触元件、一位于该第一接触元件上的第二接触元件及一形成于该第二接触元件的侧壁及底部的金属阻挡层，该金属阻挡层连接该第一接触元件至该第二接触元件。本发明可轻易地与现有的化学机械研磨流程做整合并能进一步的应用于未来及先进的技术。此外，此方法及装置可帮助减少基材中图案密度较小的区域(与基材中其他区域或其他凹陷的区域相比)遭到侵蚀的风险。因此，形成此大致上平坦的平面可改善半导体装置的工艺。

公开(公告)号：CN101714554A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910177627.3

申请日：2009-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈俊良 ,  吴明园 ,  叶炅翰 ,  郑光茗 ,  庄学理

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/544 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/823828 ,  H01L23/585 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体元件与其制法。半导体元件包括：一具有一第一区域与一第二区域的半导体基材，其中第一区域与第二区域彼此隔离；多个晶体管形成于第一区域中；一对准标记形成于该第二区域中，其中对准标记于一第一方向具有多个有源区域；以及一虚设栅极结构形成于该对准标记之上，其中虚设栅极结构于第二方向具有多条线，且该第二方向与该第一方向不同。本发明提供一种包括虚设栅极结构的元件与方法，其能避免或降低由CMP工艺(ILD CMP或金属CMP)造成损害的风险。

公开(公告)号：CN108807536A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710827374.4

申请日：2017-09-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 冯家馨 ,  谢振宇 ,  许哲源 ,  吴明园 ,  郑旭傑

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/66 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7851 ,  H01L22/26 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/7854

Abstract: 一种制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置。制造鳍式场效晶体管的方法包含在基板上形成鳍式结构，形成包覆鳍式结构的虚设栅极结构，在鳍式结构上方沉积层间介电(ILD)层，移除虚设栅极结构以暴露鳍式结构的一部分，及对鳍式结构的此部分执行蚀刻制程以减小鳍式结构的此部分的宽度。

公开(公告)号：CN103633011A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310390288.3

申请日：2009-04-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴明园 ,  郑光茗 ,  叶炅翰 ,  庄学理 ,  梁孟松

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76883 ,  H01L21/76229

Abstract: 本发明提供一种集成电路结构的形成方法，该方法包括下列步骤:提供一半导体基底;形成多个图案化元件于半导体基底上，其中图案化元件之间具有沟槽;以第一填沟材料填入该沟槽，其中第一填沟材料具有第一上表面，其高于图案化元件的上表面;进行第一平坦化以降低第一填沟材料的第一上表面，直到露出图案化元件的上表面;沉积第二填沟材料，其中第二填沟材料具有第二上表面，其高于图案化元件的上表面;以及，进行第二平坦化以降低第二填沟材料的第二上表面，直到露出图案化元件的上表面。本发明的方法可明显降低，甚至完全消除碟化效应与空洞。