公开(公告)号：CN115565949A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210925939.3

申请日：2022-08-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈书文 ,  李威养 ,  林彦伯 ,  郭俊铭 ,  赵高毅 ,  彭远清

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 在基底的前侧上方形成多个第一半导体层及多个第二半导体层。第一半导体层和第二半导体层在垂直方向交错。蚀刻第一半导体层及第二半导体层为堆叠物，进行蚀刻使得最底部第一半导体层在剖面示意图中具有渐缩轮廓。以介电层取代最底部第一半导体层，介电层承袭最底部第一半导体层的渐缩轮廓。在堆叠物上方形成栅极结构，栅极结构在第一水平方向延伸；在栅极结构上方形成第一互连结构；在基底的背侧上方形成第二互连结构。

公开(公告)号：CN113314468A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110591702.1

申请日：2021-05-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林彦伯 ,  李威养 ,  彭远清 ,  林家彬 ,  郭俊铭

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体装置及形成半导体装置的方法，形成半导体装置的方法包括：在基板上方沉积虚设半导体层及第一半导体层；在虚设半导体层的侧壁上形成多个间隔物；在基板中形成第一磊晶材料；暴露虚设半导体层及第一磊晶材料，其中暴露虚设半导体层及第一磊晶材料的步骤包括薄化基板的背侧的步骤；蚀刻虚设半导体层以暴露第一半导体层，其中间隔物在蚀刻虚设半导体层同时保留于第一半导体层的末端部分上方且与末端部分接触；使用间隔物作为遮罩来蚀刻第一半导体层的数个部分；及用背侧通孔替换第二磊晶材料及第一磊晶材料，背侧通孔电耦接至第一晶体管的源极/漏极区。

公开(公告)号：CN117423621A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311133526.2

申请日：2023-09-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈书文 ,  林彦伯 ,  陈俊翰

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/82

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。在半导体装置的制造方法中，形成在基底上方具有金属栅极结构、源极及漏极的场效晶体管，在隔离绝缘层上方设置于虚设金属栅极结构之间的第一前侧接点，在第一前侧接点上方形成第一配线层，从基底的背侧移除基底的一部分，以暴露隔离绝缘层的底部，从隔离绝缘层的底部在隔离绝缘层中形成第一开口，以暴露第一前侧接点的底部，通过以导电材料填充第一开口形成第一背侧接点，以连接第一前侧接点。

公开(公告)号：CN112201627A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN202011008140.5

申请日：2015-05-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴明园 ,  林彦伯 ,  吕侑珊 ,  许哲源

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明公开了FinFET接触结构及其形成方法。一种器件包括：衬底，包括通过隔离区域分离的第一部分和第二部分；第一栅极结构，位于第一部分上方；第一漏极/源极区域和第二漏极/源极区域，位于第一部分中并位于第一栅极结构的相对侧，其中，第一漏极/源极区域和第二漏极/源极区域具有凹面；第二栅极结构，位于第二部分上；以及第三漏极/源极区域和第四漏极/源极区域，位于第二部分中且位于第二栅极结构的相对侧，其中，第三漏极/源极区域和第四漏极/源极区域具有凹面。

公开(公告)号：CN106206437A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510267172.X

申请日：2015-05-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴明园 ,  林彦伯 ,  吕侑珊 ,  许哲源

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明公开了FinFET接触结构及其形成方法。一种器件包括：衬底，包括通过隔离区域分离的第一部分和第二部分；第一栅极结构，位于第一部分上方；第一漏极/源极区域和第二漏极/源极区域，位于第一部分中并位于第一栅极结构的相对侧，其中，第一漏极/源极区域和第二漏极/源极区域具有凹面；第二栅极结构，位于第二部分上；以及第三漏极/源极区域和第四漏极/源极区域，位于第二部分中且位于第二栅极结构的相对侧，其中，第三漏极/源极区域和第四漏极/源极区域具有凹面。

公开(公告)号：CN218482246U

公开(公告)日：2023-02-14

申请号：CN202221561266.X

申请日：2022-06-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周鸿儒 ,  林彦伯 ,  郭俊铭 ,  彭远清

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体装置，包括基板，半导体装置还包括第一鳍状结构，位于基板的第一区上且包括第一组的多个第一通道层，而第一通道层各自具有第一厚度。装置还包括第二鳍状结构，位于基板的第二区上且包括第二组的多个第二通道层，第二通道层各自具有第二厚度，且第二厚度大于第一厚度。半导体装置还包括栅极结构，位于第一鳍状结构与第二鳍状结构上，并包覆第一组的第一通道层与第二组的第二通道层。