公开(公告)号：CN114078766A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110791183.3

申请日：2021-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕侑珊 ,  杨崇巽 ,  赵高毅 ,  谢文兴 ,  郭俊铭 ,  王志庆 ,  彭远清

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明的半导体装置包括介电鳍状物，包括盖层；栅极结构，位于盖层的第一部分上并沿着方向延伸；以及介电层，与栅极结构相邻并位于盖层的第二部分上。第一部分沿着方向的宽度，大于第二部分沿着方向的宽度。

公开(公告)号：CN113284803A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202011441615.X

申请日：2020-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲纶 ,  郑孝信 ,  蔡济印 ,  蔡育霖 ,  黄歆杰 ,  吴明园 ,  郭俊铭 ,  黄明杰 ,  王育文 ,  许哲源

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02

Abstract: 一种方法包括：在衬底的顶部上形成掺杂区域；在衬底上方形成第一外延层；在第一外延层中形成凹槽，该凹槽与掺杂区域对准；在凹槽中执行表面清洁处理，表面清洁处理包括：氧化凹槽的表面以在凹槽中形成氧化物层；以及从凹槽的表面去除氧化物层；以及在凹槽中形成第二外延层。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN109427684B

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201810042939.2

申请日：2018-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王尹 ,  周鸿儒 ,  郭俊铭 ,  林玮耿 ,  李俊德

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 方法包括在衬底的第一区域中的第一鳍上方形成半导体覆盖层，在半导体覆盖层上方形成介电层，以及在介电层上方形成绝缘材料，该绝缘材料的上表面比第一鳍的上表面更远离衬底延伸。该方法还包括使绝缘材料凹进以暴露第一鳍的顶部；以及在第一鳍的顶部上方形成栅极结构。本发明的实施例还涉及鳍式场效应晶体管器件和方法。

公开(公告)号：CN113284803B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202011441615.X

申请日：2020-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲纶 ,  郑孝信 ,  蔡济印 ,  蔡育霖 ,  黄歆杰 ,  吴明园 ,  郭俊铭 ,  黄明杰 ,  王育文 ,  许哲源

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02

Abstract: 一种方法包括：在衬底的顶部上形成掺杂区域；在衬底上方形成第一外延层；在第一外延层中形成凹槽，该凹槽与掺杂区域对准；在凹槽中执行表面清洁处理，表面清洁处理包括：氧化凹槽的表面以在凹槽中形成氧化物层；以及从凹槽的表面去除氧化物层；以及在凹槽中形成第二外延层。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN113284895A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110168271.8

申请日：2021-02-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭俊铭 ,  高珮玲 ,  廖晨瑄 ,  周鸿儒 ,  张志仲 ,  许哲源

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明的实施例提供了半导体器件及其制造方法。在实施例中，半导体器件包括沿着第一方向延伸的第一鳍、平行于第一鳍延伸的第二鳍以及位于第一鳍和第二鳍上方并且包裹第一鳍和第二鳍的栅极结构，该栅极结构沿着垂直于第一方向的第二方向延伸。第一鳍沿着第二方向远离第二鳍弯曲，并且第二鳍沿着第二方向远离第一鳍弯曲。

公开(公告)号：CN113284893A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110087771.9

申请日：2021-01-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭俊铭 ,  陈欣志 ,  许哲源 ,  刘国庆 ,  蔡函育 ,  林宥霆 ,  张壬泓

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 根据一些实施例，一种半导体装置包括半导体衬底、至少一个半导体鳍及栅极堆叠。半导体鳍设置在半导体衬底上。半导体鳍包括第一部分、第二部分及位于第一部分与第二部分之间的第一颈部部分。第一部分的宽度随着第一部分变得更靠近第一颈部部分而减小，且第二部分的宽度随着第二部分变得更靠近半导体衬底的底表面而增大。栅极堆叠部分地覆盖半导体鳍。

公开(公告)号：CN113284943B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202110190252.5

申请日：2021-02-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕侑珊 ,  周鸿儒 ,  高珮玲 ,  廖晨瑄 ,  张志仲 ,  郭俊铭 ,  许哲源

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/28

Abstract: 半导体结构包括：SiGe鳍，从衬底突出，其中，SiGe鳍包括具有第一侧壁和第二侧壁的顶部以及具有第三侧壁和第四侧壁的底部，并且其中，将第一侧壁连接至第三侧壁的第一过渡区域和将第二侧壁连接至第四侧壁的第二过渡区域的每个具有分别远离第一侧壁和第二侧壁延伸的锥形轮廓；以及含Si层，设置在SiGe鳍的顶部上，其中，含Si层的位于第一过渡区域上的部分远离第一侧壁延伸第一横向距离，并且含Si层的位于第二过渡区域上的部分远离第二侧壁延伸与第一横向距离不同的第二横向距离。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN113284895B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202110168271.8

申请日：2021-02-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭俊铭 ,  高珮玲 ,  廖晨瑄 ,  周鸿儒 ,  张志仲 ,  许哲源

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明的实施例提供了半导体器件及其制造方法。在实施例中，半导体器件包括沿着第一方向延伸的第一鳍、平行于第一鳍延伸的第二鳍以及位于第一鳍和第二鳍上方并且包裹第一鳍和第二鳍的栅极结构，该栅极结构沿着垂直于第一方向的第二方向延伸。第一鳍沿着第二方向远离第二鳍弯曲，并且第二鳍沿着第二方向远离第一鳍弯曲。

公开(公告)号：CN118315337A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410274253.1

申请日：2024-03-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王心莉 ,  李思屏 ,  刘祖荫 ,  林宥霆 ,  郭俊铭 ,  李俊鸿 ,  彭远清

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L27/088 ,  H01L29/10 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种形成半导体器件的方法包括形成从衬底突出的鳍，鳍包括位于鳍基部上方的外延堆叠件和位于外延堆叠件上方的硬掩模层，外延堆叠件包括不同材料组成的第一半导体层和第二半导体层，执行第一蚀刻工艺以蚀刻硬掩模层，第一蚀刻工艺包括施加第一蚀刻剂组合，执行第二蚀刻工艺以蚀刻外延堆叠件，第二蚀刻工艺包括施加第二蚀刻剂组合，以及执行第三蚀刻工艺以蚀刻鳍基部，第三蚀刻工艺包括施加第三蚀刻剂组合。第一蚀刻剂组合、第二蚀刻剂组合和第三蚀刻剂组合是彼此不同的。本申请的实施例还提供了半导体器件。

公开(公告)号：CN117457712A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311259016.X

申请日：2023-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏劭 ,  郭俊铭 ,  彭远清 ,  林宥霆 ,  简郁玫

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了半导体结构及其形成方法。根据本发明的半导体结构包括：第一有源区域，沿第一方向纵向延伸并且沿垂直于第一方向的第二方向具有第一宽度；第二有源区域，沿第一方向纵向延伸并且沿第二方向具有第二宽度；以及外延部件，沿第一方向夹置在第一有源区域和第二有源区域之间。第一宽度大于第二宽度。