公开(公告)号：CN114864697A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210619185.9

申请日：2017-09-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 冯家馨 ,  谢振宇 ,  许哲源 ,  吴明园 ,  郑旭傑

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/66 ,  H01L21/336

Abstract: 一种制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置。制造鳍式场效晶体管的方法包含在基板上形成鳍式结构，形成包覆鳍式结构的虚设栅极结构，在形成该虚设栅极结构之后，在鳍式结构上方沉积层间介电(ILD)层，移除虚设栅极结构以暴露鳍式结构的一部分，当量测的鳍式结构的宽度超过预定阈值宽度值时，对经暴露的鳍式结构的该部分执行蚀刻制程，以减小鳍式结构的该部分的宽度。

公开(公告)号：CN108807536A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710827374.4

申请日：2017-09-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 冯家馨 ,  谢振宇 ,  许哲源 ,  吴明园 ,  郑旭傑

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/66 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7851 ,  H01L22/26 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/7854

Abstract: 一种制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置。制造鳍式场效晶体管的方法包含在基板上形成鳍式结构，形成包覆鳍式结构的虚设栅极结构，在鳍式结构上方沉积层间介电(ILD)层，移除虚设栅极结构以暴露鳍式结构的一部分，及对鳍式结构的此部分执行蚀刻制程以减小鳍式结构的此部分的宽度。