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公开(公告)号：CN106938837B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201610903062.2
申请日：2016-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及微电子机械系统(MEMS)封装件及其形成方法，该MEMS封装件具有配置为通过向室中引入排气调整密封室内的压力的加热元件。在一些实施例中，MEMS封装件具有CMOS衬底，该CMOS衬底具有布置在半导体主体内的一个或多个半导体器件。MEMS结构连接至CMOS衬底并且具有微电子机械(MEMS)器件。CMOS衬底和MEMS结构形成了邻接MEMS器件的密封室。加热元件电连接至一个或多个半导体器件并且通过沿着密封室的内表面布置的排气层与密封室分隔开。在形成加热元件之后，通过操作加热元件引起排气层释放气体，可以调整密封室的压力。
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公开(公告)号：CN106938837A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201610903062.2
申请日：2016-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0041 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/09 , B81C1/00293 , B81C2201/013 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/037 , B81C2203/038 , B81C2203/0735 , H01L28/20 , B81B7/0035 , B81C1/00277
Abstract: 本发明涉及微电子机械系统(MEMS)封装件及其形成方法，该MEMS封装件具有配置为通过向室中引入排气调整密封室内的压力的加热元件。在一些实施例中，MEMS封装件具有CMOS衬底，该CMOS衬底具有布置在半导体主体内的一个或多个半导体器件。MEMS结构连接至CMOS衬底并且具有微电子机械(MEMS)器件。CMOS衬底和MEMS结构形成了邻接MEMS器件的密封室。加热元件电连接至一个或多个半导体器件并且通过沿着密封室的内表面布置的排气层与密封室分隔开。在形成加热元件之后，通过操作加热元件引起排气层释放气体，可以调整密封室的压力。
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公开(公告)号：CN106145024A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510783708.3
申请日：2015-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B2201/0235 , B81B2207/012 , B81C1/00984 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , B81C2203/036 , B81C2203/0785 , B81C2203/0792 , H01L2224/81805 , H01L2924/1461 , H01L2924/16235
Abstract: 本发明涉及一种具有抗粘滞层的微机电系统(MEMS)封装件及相关形成方法。在一些实施例中，MEMS封装件包括器件衬底和CMOS衬底。器件衬底包括具有可移动的或灵活的部分的MEMS器件，该可移动的或灵活的部分相对于器件衬底是可移动的或灵活的。可移动的或灵活的部分的表面涂覆有由多晶硅制成的共形抗粘滞层。本发明也提供了一种用于制造MEMS封装件的方法。本发明实施例涉及运动微机电系统(MEMS)封装件。
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公开(公告)号：CN103456768B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310080401.8
申请日：2013-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/823481 , H01L21/76264 , H01L21/76283 , H01L21/76289 , H01L21/764 , H01L21/7682 , H01L21/823475 , H01L27/088 , H01L29/0649 , H01L2221/1047
Abstract: 一种器件包括半导体衬底；位于半导体衬底上方的接触塞；以及位于半导体衬底上方的层间介电(ILD)层，并且接触塞设置在ILD层中。气隙被ILD层的一部分和半导体衬底密封。气隙形成环绕半导体衬底的一部分的完整的气隙环。本发明提供了深沟槽中具有气隙的半导体隔离结构。
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公开(公告)号：CN112687709B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202010905692.X
申请日：2020-09-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 陈信宇 , 翁睿均 , 潘汉宗 , 张佑诚 , 黎俊朋 , 陈信桦 , 邱俊杰 , 刘彦江 , 许希丞 , 胡景翔 , 洪嘉骏 , 李佳烜 , 拉瓦亚·沙纳卡瓦拉普 , 吴威鼎 , 蒋季宏
Abstract: 本申请实施例公开光学准直器、半导体装置及其形成方法，该方法符合经济效益，制造用于接触式影像感测器的多功能准直器结构来过滤周围红外光，以减少噪声。在一实施例中，光学准直器包含介电层；基底；多个通孔；以及导电层，其中介电层形成于基底上方，其中多个通孔被配置为沿介电层的第一表面的横向方向延伸的阵列，其中多个通孔的每一者在垂直方向从介电层的第一表面延伸通过介电层和基底至基底的第二表面，且其中导电层形成于介电层的第一表面和多个通孔的每一者的侧壁的一部分的至少一者上方，且其中导电层被配置为允许光学准直器过滤一波长范围的光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112687708A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010885422.7
申请日：2020-08-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 陈信宇 , 翁睿均 , 潘汉宗 , 张佑诚 , 黎俊朋 , 陈信桦 , 邱俊杰 , 刘彦江 , 许希丞 , 胡景翔 , 洪嘉骏 , 李佳烜 , 杜立扬 , 拉瓦亚·沙纳卡瓦拉普 , 吴威鼎 , 蒋季宏
IPC: H01L27/146 , G06K9/00 , G02B27/30
Abstract: 本公开实施例公开光学准直器、半导体装置及其形成方法。在一实施例中，光学准直器包含：介电层；基底；以及多个通孔，其中介电层形成于基底上方，其中多个通孔被配置为沿介电层的第一表面的横向方向延伸的阵列，其中多个通孔的每一者在垂直方向从介电层的第一表面延伸通过介电层和基底至基底的第二表面，其中基底具有整体杂质掺杂浓度等于或大于1×1019cm‑3和第一厚度，且其中基底的整体杂质掺杂浓度和第一厚度被配置为允许光学准直器过滤一波长范围的光。
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公开(公告)号：CN112687709A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010905692.X
申请日：2020-09-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 陈信宇 , 翁睿均 , 潘汉宗 , 张佑诚 , 黎俊朋 , 陈信桦 , 邱俊杰 , 刘彦江 , 许希丞 , 胡景翔 , 洪嘉骏 , 李佳烜 , 拉瓦亚·沙纳卡瓦拉普 , 吴威鼎 , 蒋季宏
IPC: H01L27/146 , G06K9/00 , G02B27/30
Abstract: 本申请实施例公开光学准直器、半导体装置及其形成方法，该方法符合经济效益，制造用于接触式影像感测器的多功能准直器结构来过滤周围红外光，以减少噪声。在一实施例中，光学准直器包含介电层；基底；多个通孔；以及导电层，其中介电层形成于基底上方，其中多个通孔被配置为沿介电层的第一表面的横向方向延伸的阵列，其中多个通孔的每一者在垂直方向从介电层的第一表面延伸通过介电层和基底至基底的第二表面，且其中导电层形成于介电层的第一表面和多个通孔的每一者的侧壁的一部分的至少一者上方，且其中导电层被配置为允许光学准直器过滤一波长范围的光。
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公开(公告)号：CN106586943B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201610755921.8
申请日：2016-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及使用多晶硅层间连接件以提供MEMS器件信号中的较低的寄生电容的微机电系统(MEMS)封装件、以及形成方法。在一些实施例中，MEMS封装件具有CMOS衬底，CMOS衬底具有在半导体主体内布置的一个或多个半导体器件。具有活动元件的MEMS衬底通过导电接合结构连接至CMOS衬底。在MEMS衬底的从活动元件横向偏移的位置处的前侧上布置导电接合结构。一个或多个多晶硅通孔延伸穿过导电的MEMS衬底至接合结构。一个或多个多晶硅通孔配置为将MEMS衬底电耦合至CMOS衬底。通过使用多晶硅通孔将MEMS衬底连接至CMOS衬底，减小了MEMS封装件的寄生电容和形状系数。本发明的实施例还涉及用于寄生电容器的层间多晶硅连接件以及管芯尺寸改进。
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公开(公告)号：CN109319728A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810474025.3
申请日：2018-05-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种用于处理微机电系统(MEMS)组件的方法。在一个实例中，所述方法包括以下步骤：提供第一晶圆(wafer)；使用第一化学气相沉积(CVD)法来处理第一晶圆，以在第一晶圆的顶面上形成腔室以及至少一个氧化物层；提供第二晶圆；将第二晶圆接合在至少一个氧化物层的顶面上；处理第二晶圆以形成多个第一结构；使用第二化学气相沉积法将自组装单层(SAM)的层沉积到微机电系统组件的表面。
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公开(公告)号：CN106976838A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201610817614.8
申请日：2016-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00285 , B81B7/0038 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , B81C1/00309
Abstract: 本揭露是关于一种制造微机电系统封装的方法，通过将排气元件引入空腔中，透过排气以调整空腔内的压力。于部分实施例中，形成排气元件于互补式金属氧化物半导体基板的钝化层内。形成排气阻层以覆盖排气元件。移除覆盖在排气元件上方的排气阻层。连接微机电系统基板至互补式金属氧化物半导体基板的前侧，以将第一微机电系统元件封闭至第一空腔中，并将第二微机电系统元件封闭至第二空腔中，其中在移除排气阻层后，排气元件释放气体至第二空腔内以增加第二空腔内的第二压力，使第二压力大于第一空腔内的第一压力。
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