公开(公告)号：CN113140437B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202110088298.6

申请日：2021-01-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林弘青 ,  涂纪诚 ,  张一庭 ,  吕超波 ,  林琮闵

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/67 ,  H01L21/265 ,  F17D1/02 ,  F17D3/01 ,  F17D5/00 ,  F17D5/02

Abstract: 一种离子布植系统以及用于离子布植的气体运输的方法。离子布植系统包括具有离子源单元的离子布植机和掺杂剂源气体供应系统。此系统包括位于远离离子布植机的气箱容器内部的掺杂剂源气体储存罐，以及用以将掺杂剂源气体从掺杂剂源气体储存罐供应到离子源单元的掺杂剂源气体供应管。掺杂剂源气体供应管包括内管、包围内管的外管、连接至相应的内管和外管的第一端的第一管转接器，以及连接至相应的内管和外管的第二端的第二管转接器。第一管转接器将内管连接到掺杂剂源气体储存罐，而第二管转接器将内管连接到离子源单元。

公开(公告)号：CN106145024A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510783708.3

申请日：2015-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 程世伟 ,  吕超波 ,  洪忠贤 ,  陈志山 ,  柯全益 ,  王志佑 ,  许希丞 ,  蒋季宏 ,  翁睿均 ,  吴威鼎

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81B3/0005 ,  B81B3/001 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00984 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/0785 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/16235

Abstract: 本发明涉及一种具有抗粘滞层的微机电系统(MEMS)封装件及相关形成方法。在一些实施例中，MEMS封装件包括器件衬底和CMOS衬底。器件衬底包括具有可移动的或灵活的部分的MEMS器件，该可移动的或灵活的部分相对于器件衬底是可移动的或灵活的。可移动的或灵活的部分的表面涂覆有由多晶硅制成的共形抗粘滞层。本发明也提供了一种用于制造MEMS封装件的方法。本发明实施例涉及运动微机电系统(MEMS)封装件。

公开(公告)号：CN106145024B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201510783708.3

申请日：2015-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 程世伟 ,  吕超波 ,  洪忠贤 ,  陈志山 ,  柯全益 ,  王志佑 ,  许希丞 ,  蒋季宏 ,  翁睿均 ,  吴威鼎

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明涉及一种具有抗粘滞层的微机电系统(MEMS)封装件及相关形成方法。在一些实施例中，MEMS封装件包括器件衬底和CMOS衬底。器件衬底包括具有可移动的或灵活的部分的MEMS器件，该可移动的或灵活的部分相对于器件衬底是可移动的或灵活的。可移动的或灵活的部分的表面涂覆有由多晶硅制成的共形抗粘滞层。本发明也提供了一种用于制造MEMS封装件的方法。本发明实施例涉及运动微机电系统(MEMS)封装件。

公开(公告)号：CN113140437A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110088298.6

申请日：2021-01-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林弘青 ,  涂纪诚 ,  张一庭 ,  吕超波 ,  林琮闵

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/67 ,  H01L21/265 ,  F17D1/02 ,  F17D3/01 ,  F17D5/00 ,  F17D5/02

Abstract: 一种离子布植系统以及用于离子布植的气体运输的方法。离子布植系统包括具有离子源单元的离子布植机和掺杂剂源气体供应系统。此系统包括位于远离离子布植机的气箱容器内部的掺杂剂源气体储存罐，以及用以将掺杂剂源气体从掺杂剂源气体储存罐供应到离子源单元的掺杂剂源气体供应管。掺杂剂源气体供应管包括内管、包围内管的外管、连接至相应的内管和外管的第一端的第一管转接器，以及连接至相应的内管和外管的第二端的第二管转接器。第一管转接器将内管连接到掺杂剂源气体储存罐，而第二管转接器将内管连接到离子源单元。

公开(公告)号：CN111088482A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201911012054.9

申请日：2019-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林琮闵 ,  简芳记 ,  吕超波 ,  黄正义

IPC: C23C14/48 ,  C23C14/54 ,  C23C14/56

Abstract: 本公开实施例提供一种转移系统。转移系统包括一真空腔室、一轴以及一真空旋转馈通。真空腔室耦接至一处理腔室。轴耦接至一滚珠螺杆，且滚珠螺杆以及轴配置在真空腔室中。真空旋转馈通包括一磁流体轴封，以提供一高真空密封，其中真空旋转馈通配置成通过真空腔室的一第一端并耦接至滚珠螺杆，以对滚珠螺杆提供一旋转运动。

公开(公告)号：CN2663439Y

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN03270634.0

申请日：2003-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈步芳 ,  吕超波 ,  庄熙升 ,  陈怡仁 ,  陈进财 ,  塚田和德

IPC: C30B31/06

CPC classification number: H01L21/28185 ,  C23C8/10 ,  C30B33/005 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/67017

Abstract: 一种改善薄氧化层均一性的炉管装置，包括：反应腔体，提供氧化反应的空间，以形成薄氧化层于半导体硅晶圆上；第一导管，连接该反应腔体，以提供水气或反应气体进入该反应腔体；第一氮气导管，连接该第一导管以供应一吹净用氮气(purge N2)进入该反应腔体；旁通导管，连接该第一氮气导管与该排放导管，以提供至该排放导管毋需经过该反应腔体的旁绕(bypass)路径；第二导管，连接该反应腔体并与该第一导管连接于一共通接点，以提供水气或反应气体进入该反应腔体；第二氮气导管，连接该第二导管以提供一吹净用氮气(purge N2)，并可配合该旁通导管作用而产生一回拉(pullback)效应，以去除上述管线内的残留物；以及一排放导管，连接该反应腔体侧底，以排出该反应腔体内的气体。