公开(公告)号：CN106145024A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510783708.3

申请日：2015-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 程世伟 ,  吕超波 ,  洪忠贤 ,  陈志山 ,  柯全益 ,  王志佑 ,  许希丞 ,  蒋季宏 ,  翁睿均 ,  吴威鼎

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81B3/0005 ,  B81B3/001 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00984 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/0785 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/16235

Abstract: 本发明涉及一种具有抗粘滞层的微机电系统(MEMS)封装件及相关形成方法。在一些实施例中，MEMS封装件包括器件衬底和CMOS衬底。器件衬底包括具有可移动的或灵活的部分的MEMS器件，该可移动的或灵活的部分相对于器件衬底是可移动的或灵活的。可移动的或灵活的部分的表面涂覆有由多晶硅制成的共形抗粘滞层。本发明也提供了一种用于制造MEMS封装件的方法。本发明实施例涉及运动微机电系统(MEMS)封装件。

公开(公告)号：CN106145024B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201510783708.3

申请日：2015-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 程世伟 ,  吕超波 ,  洪忠贤 ,  陈志山 ,  柯全益 ,  王志佑 ,  许希丞 ,  蒋季宏 ,  翁睿均 ,  吴威鼎

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明涉及一种具有抗粘滞层的微机电系统(MEMS)封装件及相关形成方法。在一些实施例中，MEMS封装件包括器件衬底和CMOS衬底。器件衬底包括具有可移动的或灵活的部分的MEMS器件，该可移动的或灵活的部分相对于器件衬底是可移动的或灵活的。可移动的或灵活的部分的表面涂覆有由多晶硅制成的共形抗粘滞层。本发明也提供了一种用于制造MEMS封装件的方法。本发明实施例涉及运动微机电系统(MEMS)封装件。

公开(公告)号：CN220604680U

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202321568918.7

申请日：2023-06-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 章圣恺 ,  李国祥 ,  洪忠贤 ,  陈列全 ,  郭建利

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 半导体结构与组装，可包括中介层，其包含多个中介层上凸块结构；至少一半导体晶粒，经由多个第一焊料材料部分接合至第一组的中介层上凸块结构；至少一间隔物晶粒，经由多个第二焊料材料部分接合至第二组的中介层上凸块结构；以及成型化合物晶粒框，横向围绕每一至少一半导体晶粒与每一至少一间隔物晶粒。至少一半导体晶粒各自包括个别组的多个晶体管与个别组的多个金属内连线结构。至少一间隔物晶粒各自不具有任何晶体管于其中。