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公开(公告)号：CN113880039A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110747766.6
申请日：2021-07-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种微机电系统器件能够形成为在微机电系统器件的器件晶片的一或多个可移动微机电系统结构上包含抗静摩擦多晶硅层以降低、最小化及/或消除可移动微机电系统结构与微机电系统器件的其它组件或结构之间的静摩擦。抗静摩擦多晶硅层能够形成为使得抗静摩擦多晶硅层的表面粗糙度大于将与微机电系统器件的电路晶片接合的器件晶片的表面上的接合多晶硅层的表面粗糙度。抗静摩擦多晶硅层的较高表面粗糙度能够减小可移动微机电系统结构的底部的表面积，这能够降低一或多个可移动微机电系统结构将粘附到其它组件或结构的可能性。
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公开(公告)号：CN113880039B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202110747766.6
申请日：2021-07-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种微机电系统器件能够形成为在微机电系统器件的器件晶片的一或多个可移动微机电系统结构上包含抗静摩擦多晶硅层以降低、最小化及/或消除可移动微机电系统结构与微机电系统器件的其它组件或结构之间的静摩擦。抗静摩擦多晶硅层能够形成为使得抗静摩擦多晶硅层的表面粗糙度大于将与微机电系统器件的电路晶片接合的器件晶片的表面上的接合多晶硅层的表面粗糙度。抗静摩擦多晶硅层的较高表面粗糙度能够减小可移动微机电系统结构的底部的表面积，这能够降低一或多个可移动微机电系统结构将粘附到其它组件或结构的可能性。
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公开(公告)号：CN114709140A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110505952.9
申请日：2021-05-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L23/544
Abstract: 通过在所述装置之间使用切割道来实现将被接合的衬底上形成的装置的对准，其中切割道的尺寸从衬底中的一者或多者的中心到边缘逐渐增加或减小，以补偿衬底的热膨胀率的差异。由于切割道的尺寸逐渐增加或减小，在接合操作期间，随着衬底被加热，衬底上的装置被对准。切割道能够在衬底中沿单个方向排列以补偿衬底沿着单个轴的热膨胀，或者能够沿多个方向排列以补偿辐射对称的热膨胀。
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公开(公告)号：CN112687709A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010905692.X
申请日：2020-09-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 陈信宇 , 翁睿均 , 潘汉宗 , 张佑诚 , 黎俊朋 , 陈信桦 , 邱俊杰 , 刘彦江 , 许希丞 , 胡景翔 , 洪嘉骏 , 李佳烜 , 拉瓦亚·沙纳卡瓦拉普 , 吴威鼎 , 蒋季宏
IPC: H01L27/146 , G06K9/00 , G02B27/30
Abstract: 本申请实施例公开光学准直器、半导体装置及其形成方法，该方法符合经济效益，制造用于接触式影像感测器的多功能准直器结构来过滤周围红外光，以减少噪声。在一实施例中，光学准直器包含介电层；基底；多个通孔；以及导电层，其中介电层形成于基底上方，其中多个通孔被配置为沿介电层的第一表面的横向方向延伸的阵列，其中多个通孔的每一者在垂直方向从介电层的第一表面延伸通过介电层和基底至基底的第二表面，且其中导电层形成于介电层的第一表面和多个通孔的每一者的侧壁的一部分的至少一者上方，且其中导电层被配置为允许光学准直器过滤一波长范围的光。
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公开(公告)号：CN106586943B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201610755921.8
申请日：2016-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及使用多晶硅层间连接件以提供MEMS器件信号中的较低的寄生电容的微机电系统(MEMS)封装件、以及形成方法。在一些实施例中，MEMS封装件具有CMOS衬底，CMOS衬底具有在半导体主体内布置的一个或多个半导体器件。具有活动元件的MEMS衬底通过导电接合结构连接至CMOS衬底。在MEMS衬底的从活动元件横向偏移的位置处的前侧上布置导电接合结构。一个或多个多晶硅通孔延伸穿过导电的MEMS衬底至接合结构。一个或多个多晶硅通孔配置为将MEMS衬底电耦合至CMOS衬底。通过使用多晶硅通孔将MEMS衬底连接至CMOS衬底，减小了MEMS封装件的寄生电容和形状系数。本发明的实施例还涉及用于寄生电容器的层间多晶硅连接件以及管芯尺寸改进。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109319728A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810474025.3
申请日：2018-05-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种用于处理微机电系统(MEMS)组件的方法。在一个实例中，所述方法包括以下步骤：提供第一晶圆(wafer)；使用第一化学气相沉积(CVD)法来处理第一晶圆，以在第一晶圆的顶面上形成腔室以及至少一个氧化物层；提供第二晶圆；将第二晶圆接合在至少一个氧化物层的顶面上；处理第二晶圆以形成多个第一结构；使用第二化学气相沉积法将自组装单层(SAM)的层沉积到微机电系统组件的表面。
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公开(公告)号：CN106976838A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201610817614.8
申请日：2016-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00285 , B81B7/0038 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , B81C1/00309
Abstract: 本揭露是关于一种制造微机电系统封装的方法，通过将排气元件引入空腔中，透过排气以调整空腔内的压力。于部分实施例中，形成排气元件于互补式金属氧化物半导体基板的钝化层内。形成排气阻层以覆盖排气元件。移除覆盖在排气元件上方的排气阻层。连接微机电系统基板至互补式金属氧化物半导体基板的前侧，以将第一微机电系统元件封闭至第一空腔中，并将第二微机电系统元件封闭至第二空腔中，其中在移除排气阻层后，排气元件释放气体至第二空腔内以增加第二空腔内的第二压力，使第二压力大于第一空腔内的第一压力。
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公开(公告)号：CN112687708B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202010885422.7
申请日：2020-08-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 陈信宇 , 翁睿均 , 潘汉宗 , 张佑诚 , 黎俊朋 , 陈信桦 , 邱俊杰 , 刘彦江 , 许希丞 , 胡景翔 , 洪嘉骏 , 李佳烜 , 杜立扬 , 拉瓦亚·沙纳卡瓦拉普 , 吴威鼎 , 蒋季宏
Abstract: 本公开实施例公开光学准直器、半导体装置及其形成方法。在一实施例中，光学准直器包含：介电层；基底；以及多个通孔，其中介电层形成于基底上方，其中多个通孔被配置为沿介电层的第一表面的横向方向延伸的阵列，其中多个通孔的每一者在垂直方向从介电层的第一表面延伸通过介电层和基底至基底的第二表面，其中基底具有整体杂质掺杂浓度等于或大于1×1019cm‑3和第一厚度，且其中基底的整体杂质掺杂浓度和第一厚度被配置为允许光学准直器过滤一波长范围的光。
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公开(公告)号：CN106586943A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610755921.8
申请日：2016-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B7/0006 , B81B2207/012 , B81B2207/096 , B81C1/00238 , B81C1/00301 , B81C2201/013 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/037 , B81C2203/0792 , B81B7/0032 , B81C1/00261
Abstract: 本发明涉及使用多晶硅层间连接件以提供MEMS器件信号中的较低的寄生电容的微机电系统(MEMS)封装件、以及形成方法。在一些实施例中，MEMS封装件具有CMOS衬底，CMOS衬底具有在半导体主体内布置的一个或多个半导体器件。具有活动元件的MEMS衬底通过导电接合结构连接至CMOS衬底。在MEMS衬底的从活动元件横向偏移的位置处的前侧上布置导电接合结构。一个或多个多晶硅通孔延伸穿过导电的MEMS衬底至接合结构。一个或多个多晶硅通孔配置为将MEMS衬底电耦合至CMOS衬底。通过使用多晶硅通孔将MEMS衬底连接至CMOS衬底，减小了MEMS封装件的寄生电容和形状系数。本发明的实施例还涉及用于寄生电容器的层间多晶硅连接件以及管芯尺寸改进。
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公开(公告)号：CN112687709B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202010905692.X
申请日：2020-09-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 陈信宇 , 翁睿均 , 潘汉宗 , 张佑诚 , 黎俊朋 , 陈信桦 , 邱俊杰 , 刘彦江 , 许希丞 , 胡景翔 , 洪嘉骏 , 李佳烜 , 拉瓦亚·沙纳卡瓦拉普 , 吴威鼎 , 蒋季宏
Abstract: 本申请实施例公开光学准直器、半导体装置及其形成方法，该方法符合经济效益，制造用于接触式影像感测器的多功能准直器结构来过滤周围红外光，以减少噪声。在一实施例中，光学准直器包含介电层；基底；多个通孔；以及导电层，其中介电层形成于基底上方，其中多个通孔被配置为沿介电层的第一表面的横向方向延伸的阵列，其中多个通孔的每一者在垂直方向从介电层的第一表面延伸通过介电层和基底至基底的第二表面，且其中导电层形成于介电层的第一表面和多个通孔的每一者的侧壁的一部分的至少一者上方，且其中导电层被配置为允许光学准直器过滤一波长范围的光。
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