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公开(公告)号：CN112510048A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201911301955.X
申请日：2019-12-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11507 , H01L27/11509
Abstract: 一种半导体装置包括半导体衬底、栅极结构、电容器结构及导电接触件。所述半导体衬底上具有至少一个半导体鳍。所述栅极结构跨越所述半导体鳍设置。所述电容器结构设置在所述栅极结构上。所述电容器结构包括铁电层以及设置在所述铁电层上的第一金属层。所述电容器结构夹置在所述导电接触件与所述栅极结构之间。
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公开(公告)号：CN111987148A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910982784.5
申请日：2019-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种包括设置在漂移区之上的场板的集成芯片。第一栅极电极在源极区与漏极区之间上覆在衬底上。刻蚀终止层在侧向上从第一栅极电极的外侧壁延伸到漏极区。刻蚀终止层上覆在设置在源极区与漏极区之间的漂移区上。场板设置在上覆在衬底上的第一层间介电(ILD)层内。场板上覆在漂移区上。场板的顶表面与第一栅极电极的顶表面对准，且场板的底表面垂直地位于第一栅极电极的底表面上方。场板及第一栅极电极分别包含金属材料。
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公开(公告)号：CN111081767A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910851852.4
申请日：2019-09-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/10 , H01L29/78 , B82Y40/00
Abstract: 多个所述的实施例提供具有负电容的晶体管、及其制造方法。晶体管包含具有铁电层的栅极结构。铁电层是通过形成厚铁电膜、退火铁电膜以具有所需相态、以及薄化铁电膜至铁电层的所需厚度而形成。此制程确保在不管铁电层厚度的情况下，铁电层将具有铁电性质。
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公开(公告)号：CN105702583B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201510845166.8
申请日：2015-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/324 , H01L21/28 , H01L29/423
CPC classification number: H01L21/82345 , H01L21/324 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823462 , H01L21/823807 , H01L21/823821
Abstract: 用于制造半导体装置的方法包括以下步骤：在第一鳍特征结构的上方形成第一栅极堆叠及在第二鳍特征结构的上方形成第二栅极堆叠；移除第一栅极堆叠以形成曝露第一鳍特征结构的第一栅极沟道，移除第二栅极堆叠以形成曝露第二鳍特征结构的第二栅极沟道；对第一鳍特征结构的一部分执行高压退火工艺；及在第一鳍特征结构的彼部分的上方的第一栅极沟道内部形成第一高介电金属栅极及在第二鳍特征结构的上方的第二栅极沟道内部形成第二高介电金属栅极。因此形成具有第一、第二阈值电压的第一、第二高介电金属栅极，第二阈值电压不同于第一阈值电压。于是，本方法在无植入工艺的不利影响、不受形成工作函数金属层的工艺约束的情况下达成阈值电压调整。
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公开(公告)号：CN113054003A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202010800249.6
申请日：2020-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/336
Abstract: 一种集成芯片包括上覆在隔离结构上的场板。栅极电极在源极区与漏极区之间上覆在衬底上。蚀刻停止层在侧向上从栅极电极的上表面延伸到衬底的前侧。蚀刻停止层上覆在设置在源极区与漏极区之间的漂移区上。场板设置在第一层间介电(ILD)层内，第一层间介电层上覆在衬底上。场板从第一ILD层的顶表面延伸到蚀刻停止层的上表面。隔离结构设置在衬底内且从衬底的前侧延伸到位于衬底的前侧下方的点。隔离结构在侧向上设置在栅极电极与漏极区之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427683B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201711229436.8
申请日：2017-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 本揭示内容公开了一种形成半导体装置的方法。方法包括提供具有基板和在基板之上的硬罩幕层的装置；形成心轴于硬罩幕层之上；沉积材料层于心轴的多个侧壁上；植入掺杂剂到材料层中；使用心轴和材料层作为蚀刻罩幕来执行蚀刻制程于硬罩幕层上，从而形成图案化硬罩幕层，其中蚀刻制程同时产生沉积于图案化硬罩幕层的多个侧壁上的介电层，介电层含有掺杂剂；以及通过使用图案化硬罩幕层和介电层共同作为蚀刻罩幕蚀刻基板来形成鳍片。
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公开(公告)号：CN109427683A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711229436.8
申请日：2017-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 本揭示内容公开了一种形成半导体装置的方法。方法包括提供具有基板和在基板之上的硬罩幕层的装置；形成心轴于硬罩幕层之上；沉积材料层于心轴的多个侧壁上；植入掺杂剂到材料层中；使用心轴和材料层作为蚀刻罩幕来执行蚀刻制程于硬罩幕层上，从而形成图案化硬罩幕层，其中蚀刻制程同时产生沉积于图案化硬罩幕层的多个侧壁上的介电层，介电层含有掺杂剂；以及通过使用图案化硬罩幕层和介电层共同作为蚀刻罩幕蚀刻基板来形成鳍片。
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公开(公告)号：CN103199011B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210189758.5
申请日：2012-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L29/0653 , H01L29/0673 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/7851
Abstract: 一种方法，包括提供多个相互平行的半导体鳍状件，并包括两个边缘鳍状件和位于两个边缘鳍状件之间的中心鳍状件。两个边缘鳍状件的每一个的中部被蚀刻，而中心鳍状件不被蚀刻。栅极电介质形成在中心鳍状件的顶面和侧壁上。栅电极形成在栅极电介质的上方。两个边缘鳍状件的端部和中心鳍状件的端部凹进。执行外延，以形成外延区域，其中从由两个边缘鳍状件的端部留下的间隔生长的外延材料与从由中心鳍状件的端部留下的间隔生长的外延材料相结合，以形成外延区域。源极/漏极区域形成在外延区域中。本发明还提供了一种FinFET及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103177982B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210142263.7
申请日：2012-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12 , G01B7/06 , H01L21/823431 , H01L22/34
Abstract: 本公开内容提供了用于估计其他半导体器件中的外延生长半导体材料的高度的方法和装置。该方法包括：在第一半导体器件上方外延地生长半导体材料的第一部分、第二部分和第三部分；测量半导体材料的第三部分的高度和半导体材料的第一部分或第二部分的高度；测量流经半导体材料的第一部分和第二部分的第一饱和电流；测量流经半导体材料的第一部分和第三部分的第二饱和电流；制备相对于半导体材料的第一或第二部分的高度的第一饱和电流以及半导体材料的第一部分和第三部分的平均高度的第二饱和电流的模型。该模型用于估计在其他半导体器件中外延生长的半导体材料的高度。本发明还提供了监控外延轮廓的测试键。
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公开(公告)号：CN120035161A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510101519.7
申请日：2025-01-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露实施例公开横向金属氧化物半导体(MOS)装置和其栅极及其制作方法。在制作横向MOS装置中，在基础半导体中形成横向MOS装置的源极区和漏极区。在基础半导体上配置栅极氧化物层，且在栅极氧化物层上配置栅极层。对栅极层进行光刻图案化蚀刻，以形成面向源极的栅极的第一侧。对栅极层进行光刻图案化蚀刻，以形成面向横向MOS装置的漏极的栅极的第二侧，也蚀刻出部分延伸至栅极的第二侧下方的孔穴。至少在栅极的第一侧和第二侧上形成介电层，且介电层填充部分延伸到栅极的第二侧下方的孔穴。
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