公开(公告)号：CN120035161A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510101519.7

申请日：2025-01-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何嘉政 ,  陈高超 ,  魏佳瑜

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/65 ,  H10D64/01 ,  H10D64/27 ,  H10D62/10 ,  H01L21/28

Abstract: 本揭露实施例公开横向金属氧化物半导体(MOS)装置和其栅极及其制作方法。在制作横向MOS装置中，在基础半导体中形成横向MOS装置的源极区和漏极区。在基础半导体上配置栅极氧化物层，且在栅极氧化物层上配置栅极层。对栅极层进行光刻图案化蚀刻，以形成面向源极的栅极的第一侧。对栅极层进行光刻图案化蚀刻，以形成面向横向MOS装置的漏极的栅极的第二侧，也蚀刻出部分延伸至栅极的第二侧下方的孔穴。至少在栅极的第一侧和第二侧上形成介电层，且介电层填充部分延伸到栅极的第二侧下方的孔穴。

公开(公告)号：CN221508188U

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202322887729.2

申请日：2023-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈高超 ,  李佳叡 ,  何嘉政 ,  魏佳瑜

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置。半导体装置中的高压晶体管可以包括在衬底中的场板结构和高压晶体管的通道区之间的阶梯状介电层。阶梯状介电层可以通过降低高压晶体管的漏极区附近的电场强度来增加高压晶体管的击穿电压。特别是，漏极区附近的阶梯状介电层的部分包括的厚度大于栅极结构附近的阶梯状介电层的另一部分的厚度。漏极区附近所增加的厚度提供了漏极区(其在高电压下工作)附近增强的电场抑制。本实用新型可以此方式，阶梯状介电层使本文所述的高压晶体管能够实施更高的击穿电压，而无需增加高压晶体管的栅极结构和漏极区之间的距离。