公开(公告)号：CN106030939B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201580008004.7

申请日：2015-03-11

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 岩见正之 ,  石井宏辰 ,  岩井则广 ,  松田竹善 ,  粕川秋彦 ,  石川卓哉 ,  川北泰雅 ,  锻治荣作

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种具备由以As为主成分的III‑V族半导体晶体形成的阱层和势垒层的半导体激光器元件，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的V族位，以浓度0.02～5％导入所述As以外的V族元素，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的III族位中包含Al。由此，提供一种抑制半导体晶体的块体内的缺陷的产生且特性变动少的半导体激光器元件。

公开(公告)号：CN106030939A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580008004.7

申请日：2015-03-11

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 岩见正之 ,  石井宏辰 ,  岩井则广 ,  松田竹善 ,  粕川秋彦 ,  石川卓哉 ,  川北泰雅 ,  锻治荣作

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种具备由以As为主成分的III‑V族半导体晶体形成的阱层和势垒层的半导体激光器元件，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的V族位，以浓度0.02～5％导入所述As以外的V族元素，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的III族位中包含Al。由此，提供一种抑制半导体晶体的块体内的缺陷的产生且特性变动少的半导体激光器元件。

公开(公告)号：CN1487334A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03147478.0

申请日：2003-07-14

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 池田成明 ,  山口武治 ,  荒川智志 ,  山中信光 ,  粕川秋彦 ,  中琦龟介

IPC: G02F1/015 ,  H01L33/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3409 ,  H01S5/34306

Abstract: 包括形成在第一导电型衬底上的DFB激光二极管和EA调制器的EA－DFB模块有一个台式带，一个形成在台式带两侧面上的电流阻挡结构和一个形成在台式带顶部及电流阻挡结构上的第二InP包层。电流阻挡结构包括一个掺Fe的半绝缘膜、一个第一导电型埋层和一个载流子耗尽层。载流子耗尽层减小第一导电型埋层和第二InP包层之间边界处的寄生电容。