公开(公告)号：CN1487334A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03147478.0

申请日：2003-07-14

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 池田成明 ,  山口武治 ,  荒川智志 ,  山中信光 ,  粕川秋彦 ,  中琦龟介

IPC: G02F1/015 ,  H01L33/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3409 ,  H01S5/34306

Abstract: 包括形成在第一导电型衬底上的DFB激光二极管和EA调制器的EA－DFB模块有一个台式带，一个形成在台式带两侧面上的电流阻挡结构和一个形成在台式带顶部及电流阻挡结构上的第二InP包层。电流阻挡结构包括一个掺Fe的半绝缘膜、一个第一导电型埋层和一个载流子耗尽层。载流子耗尽层减小第一导电型埋层和第二InP包层之间边界处的寄生电容。

公开(公告)号：CN105324668A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201480035285.0

申请日：2014-08-08

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 西田昌贵 ,  山中信光 ,  三好一富 ,  大久保典雄

IPC: G01N33/552 ,  C09K11/06 ,  G01N33/543

CPC classification number: G01N33/552 ,  G01N33/54353 ,  G01N33/582

Abstract: 一种二氧化硅颗粒，其在表面具有硫醇基，是含有荧光性或吸光性的色素的二氧化硅颗粒，其中，该二氧化硅颗粒满足下述(a)和(b)：(a)粒径为20nm～1000nm；(b)二氧化硅颗粒表面的上述硫醇基的密度为0.002个/nm2～0.2个/nm2；(c)二氧化硅颗粒的表面所存在的硫醇基的量B(个/1颗粒)相对于该二氧化硅颗粒中的硫元素的量A(在每1个二氧化硅颗粒中的硫醇来源的硫元素个数)之比(B/A)为0.10～0.60。

公开(公告)号：CN105324668B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201480035285.0

申请日：2014-08-08

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 西田昌贵 ,  山中信光 ,  三好一富 ,  大久保典雄

IPC: G01N33/552 ,  C09K11/06 ,  G01N33/543

CPC classification number: G01N33/552 ,  G01N33/54353 ,  G01N33/582

Abstract: 一种二氧化硅颗粒，其在表面具有硫醇基，是含有荧光性或吸光性的色素的二氧化硅颗粒，其中，该二氧化硅颗粒满足下述(a)和(b)：(a)粒径为20nm～1000nm；(b)二氧化硅颗粒表面的上述硫醇基的密度为0.002个/nm2～0.2个/nm2；(c)二氧化硅颗粒的表面所存在的硫醇基的量B(个/1颗粒)相对于该二氧化硅颗粒中的硫元素的量A(在每1个二氧化硅颗粒中的硫醇来源的硫元素个数)之比(B/A)为0.10～0.60。

公开(公告)号：CN104981693B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201480007178.7

申请日：2014-01-29

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 山中信光 ,  会泽英树 ,  大久保典雄 ,  三好一富

IPC: G01N33/531 ,  G01N33/533 ,  G01N33/534 ,  G01N33/547 ,  G01N33/552

CPC classification number: G01N33/533 ,  G01N33/532 ,  G01N33/54346 ,  G01N33/54353 ,  G01N33/552 ,  Y10T428/2982

Abstract: 一种标记抗体的制造方法，其包含下述工序：a)使含有功能性分子且表面具有硫醇基的二氧化硅纳米颗粒与具有马来酰亚胺基及胺基的连接分子共存在溶剂中，由此在上述硫醇基与上述马来酰亚胺基之间形成硫醚键，从而获得键合有连接分子且含功能性分子的二氧化硅纳米颗粒，及b)使上述键合有连接分子且含功能性分子的二氧化硅纳米颗粒、碳二亚胺及抗体共存在水系溶剂中，在上述连接分子所具有的胺基与上述抗体所具有的羧基之间形成酰胺键。

公开(公告)号：CN104981693A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201480007178.7

申请日：2014-01-29

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 山中信光 ,  会泽英树 ,  大久保典雄 ,  三好一富

IPC: G01N33/531 ,  G01N33/533 ,  G01N33/534 ,  G01N33/547 ,  G01N33/552

CPC classification number: G01N33/533 ,  G01N33/532 ,  G01N33/54346 ,  G01N33/54353 ,  G01N33/552 ,  Y10T428/2982

Abstract: 一种标记抗体的制造方法，其包含下述工序：a)使含有功能性分子且表面具有硫醇基的二氧化硅纳米颗粒与具有马来酰亚胺基及胺基的连接分子共存在溶剂中，由此在上述硫醇基与上述马来酰亚胺基之间形成硫醚键，从而获得键合有连接分子且含功能性分子的二氧化硅纳米颗粒，及b)使上述键合有连接分子且含功能性分子的二氧化硅纳米颗粒、碳二亚胺及抗体共存在水系溶剂中，在上述连接分子所具有的胺基与上述抗体所具有的羧基之间形成酰胺键。