公开(公告)号：CN106030939B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201580008004.7

申请日：2015-03-11

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 岩见正之 ,  石井宏辰 ,  岩井则广 ,  松田竹善 ,  粕川秋彦 ,  石川卓哉 ,  川北泰雅 ,  锻治荣作

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种具备由以As为主成分的III‑V族半导体晶体形成的阱层和势垒层的半导体激光器元件，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的V族位，以浓度0.02～5％导入所述As以外的V族元素，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的III族位中包含Al。由此，提供一种抑制半导体晶体的块体内的缺陷的产生且特性变动少的半导体激光器元件。

公开(公告)号：CN107431331B

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201680012598.3

申请日：2016-02-05

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 川北泰雅 ,  比嘉康贵 ,  岩井则广 ,  黑部立郎

IPC: H01S5/10

Abstract: 一种波长可变激光元件，具备：衍射光栅和包含环形谐振器滤波器的反射镜所构成的激光谐振器、增益部和相位调整部，衍射光栅生成第一梳状反射光谱，环形谐振器滤波器具备环状波导和两个臂部，并生成第二梳状反射光谱，第二梳状反射光谱具有与第一梳状反射光谱的波峰相比半峰全宽窄的波峰，且波长间隔与第一梳状反射光谱不同，使第一梳状反射光谱的一个波峰和第二梳状反射光谱的一个波峰在波长轴上重叠，谐振器模式的模式间间隔比第一梳状反射光谱的波峰的半峰全宽窄。

公开(公告)号：CN107431331A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680012598.3

申请日：2016-02-05

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 川北泰雅 ,  比嘉康贵 ,  岩井则广 ,  黑部立郎

IPC: H01S5/10

Abstract: 一种波长可变激光元件，具备：衍射光栅和包含环形谐振器滤波器的反射镜所构成的激光谐振器、增益部和相位调整部，衍射光栅生成第一梳状反射光谱，环形谐振器滤波器具备环状波导和两个臂部，并生成第二梳状反射光谱，第二梳状反射光谱具有与第一梳状反射光谱的波峰相比半峰全宽窄的波峰，且波长间隔与第一梳状反射光谱不同，使第一梳状反射光谱的一个波峰和第二梳状反射光谱的一个波峰在波长轴上重叠，谐振器模式的模式间间隔比第一梳状反射光谱的波峰的半峰全宽窄。

公开(公告)号：CN106030939A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580008004.7

申请日：2015-03-11

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 岩见正之 ,  石井宏辰 ,  岩井则广 ,  松田竹善 ,  粕川秋彦 ,  石川卓哉 ,  川北泰雅 ,  锻治荣作

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种具备由以As为主成分的III‑V族半导体晶体形成的阱层和势垒层的半导体激光器元件，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的V族位，以浓度0.02～5％导入所述As以外的V族元素，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的III族位中包含Al。由此，提供一种抑制半导体晶体的块体内的缺陷的产生且特性变动少的半导体激光器元件。