公开(公告)号：CN106030939B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201580008004.7

申请日：2015-03-11

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 岩见正之 ,  石井宏辰 ,  岩井则广 ,  松田竹善 ,  粕川秋彦 ,  石川卓哉 ,  川北泰雅 ,  锻治荣作

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种具备由以As为主成分的III‑V族半导体晶体形成的阱层和势垒层的半导体激光器元件，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的V族位，以浓度0.02～5％导入所述As以外的V族元素，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的III族位中包含Al。由此，提供一种抑制半导体晶体的块体内的缺陷的产生且特性变动少的半导体激光器元件。

公开(公告)号：CN106030939A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580008004.7

申请日：2015-03-11

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 岩见正之 ,  石井宏辰 ,  岩井则广 ,  松田竹善 ,  粕川秋彦 ,  石川卓哉 ,  川北泰雅 ,  锻治荣作

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种具备由以As为主成分的III‑V族半导体晶体形成的阱层和势垒层的半导体激光器元件，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的V族位，以浓度0.02～5％导入所述As以外的V族元素，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的III族位中包含Al。由此，提供一种抑制半导体晶体的块体内的缺陷的产生且特性变动少的半导体激光器元件。