公开(公告)号：CN106030939B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201580008004.7

申请日：2015-03-11

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 岩见正之 ,  石井宏辰 ,  岩井则广 ,  松田竹善 ,  粕川秋彦 ,  石川卓哉 ,  川北泰雅 ,  锻治荣作

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种具备由以As为主成分的III‑V族半导体晶体形成的阱层和势垒层的半导体激光器元件，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的V族位，以浓度0.02～5％导入所述As以外的V族元素，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的III族位中包含Al。由此，提供一种抑制半导体晶体的块体内的缺陷的产生且特性变动少的半导体激光器元件。

公开(公告)号：CN106030939A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580008004.7

申请日：2015-03-11

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 岩见正之 ,  石井宏辰 ,  岩井则广 ,  松田竹善 ,  粕川秋彦 ,  石川卓哉 ,  川北泰雅 ,  锻治荣作

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种具备由以As为主成分的III‑V族半导体晶体形成的阱层和势垒层的半导体激光器元件，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的V族位，以浓度0.02～5％导入所述As以外的V族元素，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的III族位中包含Al。由此，提供一种抑制半导体晶体的块体内的缺陷的产生且特性变动少的半导体激光器元件。

公开(公告)号：CN113169514B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201980078728.7

申请日：2019-11-20

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 锻治荣作 ,  大木泰

IPC: H01S5/0237 ,  H01S5/02315 ,  H01S5/024

Abstract: 半导体激光芯片安装辅助基板具备：半导体激光芯片，其在长边方向上具有出射端面和后端面，从所述出射端面出射激光；和辅助基板，其安装所述半导体激光芯片，所述辅助基板与所述半导体激光芯片的出射端面侧的第1距离比所述辅助基板与所述半导体激光芯片的后端面侧的第2距离小。

公开(公告)号：CN113169514A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980078728.7

申请日：2019-11-20

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 锻治荣作 ,  大木泰

IPC: H01S5/0237 ,  H01S5/02315 ,  H01S5/024

Abstract: 半导体激光芯片安装辅助基板具备：半导体激光芯片，其在长边方向上具有出射端面和后端面，从所述出射端面出射激光；和辅助基板，其安装所述半导体激光芯片，所述辅助基板与所述半导体激光芯片的出射端面侧的第1距离比所述辅助基板与所述半导体激光芯片的后端面侧的第2距离小。

公开(公告)号：CN115349207A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202080099277.8

申请日：2020-12-21

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 富安高弘 ,  锻治荣作 ,  大木泰

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/02315 ,  H01S5/02345 ,  H01S5/0237 ,  H01S5/024 ,  H01S5/40

Abstract: 安装有发光装置的子基座具备：基底，具有在第一方向以及与该第一方向正交的第二方向上延伸的第一面；第一电极，在第一面上在第一方向以及第二方向上延伸，具有该第二方向的第一端和在第一方向上延伸的第二方向的相反方向的第二端；和第二电极，在第一面上在第一方向以及第二方向上延伸，具有从所述第一端开始在所述第二方向上隔开间隙而分离的第二方向的相反方向的第三端和在第一方向上延伸的第二方向的第四端，第二电极的第三端与第四端之间的第二方向的第二宽度按照第一方向的位置而不同。