公开(公告)号：CN113508320A

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN202080018002.7

申请日：2020-03-25

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 富安高弘 ,  石井宏辰 ,  江森芳博 ,  须山健一 ,  望月浩二

IPC: G02B6/02 ,  G02B6/44

Abstract: 光纤的光处理构造具备：光纤，其具有纤芯、包覆层以及被覆，被覆的一部分被去除；导热性保护材料，其设置在光纤的被覆去除区域中的包覆层的周围，并且包含硅酮系导热性化合物；以及导热性基材，其载置光纤，导热性保护材料包含具有比包覆层的折射率高的折射率的填料，当在包覆层内传播的包覆层模光进行全反射时，在渗出到包覆层外的渐逝光存在的区域中存在填料。

公开(公告)号：CN117461225A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202280040982.X

申请日：2022-06-13

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 川北泰雅 ,  三浦雅和 ,  石井宏辰 ,  竹内哲也

IPC: H01S5/02345 ,  H01S5/023

Abstract: 基座上芯片封装件例如具备：基座、设置在基座上且与第一方向交叉的覆盖层、具有位于与第一方向交叉的第二方向的中间部分并沿与第一方向以及第二方向交叉的第三方向输出激光的发光部的激光元件、以及对激光元件施加包含朝向第一方向的相反方向的分力成分的按压力的接合线，在覆盖层产生朝向第二方向上的中央压缩的残留应力，因残留应力而产生的绕发光部的沿第三方向的中心轴的第一力矩与因从接合线作用于激光元件的按压力而产生的绕发光部的中心轴的第二力矩相互抵消。

公开(公告)号：CN106030939A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580008004.7

申请日：2015-03-11

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 岩见正之 ,  石井宏辰 ,  岩井则广 ,  松田竹善 ,  粕川秋彦 ,  石川卓哉 ,  川北泰雅 ,  锻治荣作

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种具备由以As为主成分的III‑V族半导体晶体形成的阱层和势垒层的半导体激光器元件，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的V族位，以浓度0.02～5％导入所述As以外的V族元素，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的III族位中包含Al。由此，提供一种抑制半导体晶体的块体内的缺陷的产生且特性变动少的半导体激光器元件。

公开(公告)号：CN106030939B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201580008004.7

申请日：2015-03-11

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 岩见正之 ,  石井宏辰 ,  岩井则广 ,  松田竹善 ,  粕川秋彦 ,  石川卓哉 ,  川北泰雅 ,  锻治荣作

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种具备由以As为主成分的III‑V族半导体晶体形成的阱层和势垒层的半导体激光器元件，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的V族位，以浓度0.02～5％导入所述As以外的V族元素，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的III族位中包含Al。由此，提供一种抑制半导体晶体的块体内的缺陷的产生且特性变动少的半导体激光器元件。

公开(公告)号：CN101796699B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200780100504.9

申请日：2007-09-04

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 谷口英广 ,  石井宏辰 ,  行谷武

IPC: H01S5/16

CPC classification number: H01S5/164 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/162 ,  H01S5/168 ,  H01S5/2072 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3223 ,  H01S5/3427

Abstract: 本发明公开一种半导体激光元件(1)，其具备包含由III族空穴的扩散形成的混晶化部分的窗口区域(23)、和具有量子阱构造的有源层(15)的非窗口区域(24)，在窗口区域(23)上设置对规定的原子进行吸收而促进III族空穴的扩散的促进膜而形成混晶化部分，在有源层(15)的近旁侧的层掺杂对V族位置优先进行置换的杂质，窗口区域中的能带间隙和非窗口区域中的能带间隙的差是50meV以上。

公开(公告)号：CN101796699A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200780100504.9

申请日：2007-09-04

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 谷口英广 ,  石井宏辰 ,  行谷武

IPC: H01S5/16

CPC classification number: H01S5/164 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/162 ,  H01S5/168 ,  H01S5/2072 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3223 ,  H01S5/3427

Abstract: 本发明公开一种半导体激光元件(1)，其具备包含由III族空穴的扩散形成的混晶化部分的窗口区域(23)、和具有量子阱构造的有源层(15)的非窗口区域(24)，在窗口区域(23)上设置对规定的原子进行吸收而促进III族空穴的扩散的促进膜而形成混晶化部分，在有源层(15)的近旁侧的层掺杂对V族位置优先进行置换的杂质，窗口区域中的能带间隙和非窗口区域中的能带间隙的差是50meV以上。