公开(公告)号：CN1487334A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03147478.0

申请日：2003-07-14

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 池田成明 ,  山口武治 ,  荒川智志 ,  山中信光 ,  粕川秋彦 ,  中琦龟介

IPC: G02F1/015 ,  H01L33/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3409 ,  H01S5/34306

Abstract: 包括形成在第一导电型衬底上的DFB激光二极管和EA调制器的EA－DFB模块有一个台式带，一个形成在台式带两侧面上的电流阻挡结构和一个形成在台式带顶部及电流阻挡结构上的第二InP包层。电流阻挡结构包括一个掺Fe的半绝缘膜、一个第一导电型埋层和一个载流子耗尽层。载流子耗尽层减小第一导电型埋层和第二InP包层之间边界处的寄生电容。